天眼查資料顯示，近日，天岳先進、超芯星兩家廠商公開了多項碳化硅晶體相關(guān)專利。
天岳先進公開2項碳化硅晶棒制備專利
天眼查資料顯示，12月3日，天岳先進公開一項“一種曲率半徑大且分布均勻的4H碳化硅晶棒及制備方法和應(yīng)用”專利，申請公布號為CN119061481A，申請日期為2024年11月1日。
該專利摘要顯示，本申請公開了一種曲率半徑大且分布均勻的4H碳化硅晶棒及制備方法和應(yīng)用，屬于4H碳化硅晶棒制備技術(shù)領(lǐng)域。該4H碳化硅晶棒在任意位置處的電阻率均大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，其切割得到的碳化硅晶片的曲率半徑均大于800m，且切割得到的碳化硅晶片在軸向上曲率半徑分布函數(shù)為CR=ey+fy2+gy3+h。該4H碳化硅晶棒在降低電阻率的同時提高切割所得的碳化硅晶片的曲率半徑，且同一4H碳化硅晶棒制備得到的碳化硅晶片的曲率半徑分布均勻，可顯著提高利用該材料制備得到的器件的穩(wěn)定性。
11月29日，天岳先進還公開一項“一種大尺寸、低電阻4H碳化硅晶棒、低電阻4H碳化硅晶片及制備方法”專利，申請公布號為CN119041030A，申請日期為2024年11月1日。
該專利摘要顯示，本申請公開了一種大尺寸、低電阻4H碳化硅晶棒、低電阻4H碳化硅晶片及制備方法，屬于N型碳化硅單晶材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該4H碳化硅晶棒的厚度為15mm以上，所述4H碳化硅晶棒任意位置處的電阻率大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，且所述4H碳化硅晶棒面內(nèi)的電阻率差值在0.5mΩ·cm以下，所述4H碳化硅晶棒的硅面與碳面的電阻率差值在1mΩ·cm以下。該4H碳化硅晶棒的電阻率低于現(xiàn)有的產(chǎn)品，且面內(nèi)及軸向電阻率分布更均勻，有利于器件整體導(dǎo)通電阻的降低，為提高4H碳化硅晶片質(zhì)量及器件性能提供了新的方案。
在碳化硅業(yè)務(wù)進展方面，天岳先進于11月13日發(fā)布了12英寸（300mm）N型碳化硅襯底產(chǎn)品，標志著碳化硅產(chǎn)業(yè)正式邁入超大尺寸碳化硅襯底時代。
超芯星公開碳化硅晶體生長方法專利
12月3日，超芯星公開一項“一種碳化硅晶體的生長方法及生長裝置”專利，申請公布號為CN119061469A，申請日期為2024年8月29日。
該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種碳化硅晶體的生長方法及生長裝置，屬于碳化硅晶體生長領(lǐng)域。碳化硅晶體生長裝置包括長晶爐體，長晶爐體內(nèi)設(shè)置有單側(cè)開口的石英管，石英管的開口端部密封安裝有密封件；石英管的生長腔室內(nèi)設(shè)置有坩堝組件，坩堝組件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的內(nèi)側(cè)；坩堝組件具有進氣口、進氣通道、出氣口和出氣通道，進氣通道的進氣端連通氣源，氣源和密封件之間的管路上設(shè)置有電動針閥；出氣通道的出氣端連通真空泵，真空泵和密封件之間的管路上設(shè)置有電動球閥；密封件上開設(shè)有測壓孔，用于外接真空計，真空計連接PID控制器的輸入端，用于調(diào)控生長腔室的壓力；長晶爐體外接有真空系統(tǒng)。
在碳化硅業(yè)務(wù)方面，去年7月，超芯星6英寸碳化硅襯底進入美國一流器件廠商，由此成功打入美國市場；同年，超芯星成功研制出8英寸碳化硅襯底；今年7月，超芯星在官微宣布，公司已與國內(nèi)知名下游客戶簽訂了8英寸碳化硅深度戰(zhàn)略合作協(xié)議。為滿足國內(nèi)外市場需求，超芯星計劃將6-8英寸碳化硅襯底的年產(chǎn)量提升至150萬片。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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