近期，華潤微、瞻芯電子、重慶青山公布SiC新動態(tài)。
01華潤微：公司SiC產(chǎn)品可應(yīng)用于AI服務(wù)器電源中
華潤微披露投資者關(guān)系活動記錄表顯示，該公司MOSFET等功率器件、功率IC、MEMS、模塊等產(chǎn)品預(yù)計受益于汽車智能化、電子化趨勢及AI、超計算等新興領(lǐng)域帶來的變革，實現(xiàn)增長。
source：華潤微電子官微（圖為華潤微電子（重慶）功率半導(dǎo)體研發(fā)中心）
產(chǎn)能方面，華潤微深圳12吋產(chǎn)線已于2024年底實現(xiàn)通線，處于新品驗證和新工藝轉(zhuǎn)移階段；重慶12吋產(chǎn)線已達(dá)成規(guī)劃產(chǎn)能3萬片/月。
產(chǎn)品進展方面，華潤微表示，目前中低壓MOS、高壓MOS、SiC產(chǎn)品可應(yīng)用于AI服務(wù)器電源中，已處于上量階段。
SiC JBS和SiC MOS已完成產(chǎn)品系列化并量產(chǎn)，覆蓋650V/1200V/1700V系列，性能達(dá)到國際領(lǐng)先同等水平。碳化硅模塊產(chǎn)品已在上量階段。產(chǎn)品圍繞新能源汽車、充電樁、光伏逆變、儲能逆變、服務(wù)器電源等領(lǐng)域全面推廣上量，預(yù)計今年將實現(xiàn)高增長。
業(yè)界指出，碳化硅在AI服務(wù)器中的應(yīng)用圍繞高效能電源設(shè)計與高可靠性散熱管理展開，通過替代傳統(tǒng)硅基器件，顯著提升能效比并降低運營成本。隨著AI熱潮不斷持續(xù)，碳化硅技術(shù)將成為AI數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低碳化與高性能化的重要推手。
02瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓模塊
瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品，可應(yīng)用于光伏等領(lǐng)域，已通過工業(yè)級可靠性測試，并在光伏客戶導(dǎo)入驗證。
該款產(chǎn)品殼體高度僅12mm，能壓縮應(yīng)用系統(tǒng)的體積，金屬底座讓模塊安裝更牢固，并消除了塑料底座老化的隱患。產(chǎn)品內(nèi)部集成了4相升壓電路，共用電源接地，分為2組，集成熱敏電阻以監(jiān)測溫度，可靈活適配2路或者4路直流輸入（DC input），滿足個性化設(shè)計需求。相對于分立器件方案，大幅提升功率密度，同時顯著簡化了電路的設(shè)計。
瞻芯電子介紹，2000V SiC MOFET和Diode特別適用于1500V 光伏升壓電路。在升壓變換電路中，2000V SiC分立器件能簡化電路拓?fù)洹p少元器件數(shù)量，降低總物料成本，同時讓應(yīng)用控制更簡單。對比分立器件的方案，若采用2000V SiC功率模塊產(chǎn)品，還進一步簡化了電路設(shè)計，大幅提升了功率密度。
03重慶青山與重慶大學(xué)聯(lián)合研發(fā)SiC芯片流片成功下線
近日，重慶青山與重慶大學(xué)聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片首輪流片成功下線。此次雙方聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片，在耐壓和閾值電壓等關(guān)鍵參數(shù)上均表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能。
器件耐壓性能突出，擊穿電壓最高可達(dá)1700V以上；閾值電壓一致性表現(xiàn)優(yōu)異，通過率達(dá)到98%，實測值分布集中，具有較強的抗干擾能力，在大批量使用時更易于配對，從而節(jié)約成本。（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）
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