近日，巴克萊銀行第23屆全球科技年會于美國舊金山落下帷幕，全球半導體產(chǎn)業(yè)巨頭齊聚一堂，圍繞AI算力、半導體技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)等核心議題展開深度交流。其中，英飛凌、意法半導體、安森美三家公司集中披露了在碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體領(lǐng)域的最新產(chǎn)能規(guī)劃、技術(shù)突破與應(yīng)用落地進展。
作為新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心等高端場景的核心支撐器件，第三代半導體憑借高耐壓、高頻率、低損耗等優(yōu)勢，已成為全球半導體產(chǎn)業(yè)競爭的戰(zhàn)略高地。此次年會上，三家企業(yè)均強調(diào)，將持續(xù)加大第三代半導體領(lǐng)域的投入，通過產(chǎn)能擴張、技術(shù)優(yōu)化與生態(tài)構(gòu)建，推動SiC/GaN器件的規(guī)?；瘧?yīng)用與成本下降，助力下游產(chǎn)業(yè)綠色低碳轉(zhuǎn)型。
英飛凌：虛擬工廠戰(zhàn)略賦能產(chǎn)能爬坡，SiC/GaN協(xié)同布局高端市場
英飛凌功率與傳感系統(tǒng)事業(yè)部高管在12月10日的發(fā)言中明確表示，公司SiC產(chǎn)能正按計劃持續(xù)爬坡，目標是2026年將SiC模塊在新能源汽車主驅(qū)的滲透率進一步提升。依托新一代CoolSiC?器件的技術(shù)優(yōu)勢，通過優(yōu)化能量與電荷指標，可有效幫助客戶降低系統(tǒng)能耗與成本。據(jù)介紹，英飛凌最新推出的CoolSiC? MOSFET G2系列產(chǎn)品，導通損耗較前代產(chǎn)品降低15%，且具備更高的可靠性，已廣泛適配新能源汽車主驅(qū)、光伏逆變器等核心場景。
在GaN領(lǐng)域，英飛凌將快充與數(shù)據(jù)中心電源作為規(guī)?；瘧?yīng)用的重點方向，通過封裝與熱管理方案迭代，加速GaN與硅基方案的成本平價。值得關(guān)注的是，其300mm GaN晶圓工藝已進入量產(chǎn)準備階段，預計2025年第四季度向客戶交付樣品，將有效支撐AI電源與車載OBC的快速擴產(chǎn)需求。
為保障產(chǎn)能協(xié)同與交付效率，英飛凌正推進“One Virtual Fab（虛擬工廠）”戰(zhàn)略，打通奧地利菲拉赫與馬來西亞居林的產(chǎn)能，通過數(shù)字技術(shù)實現(xiàn)不同基地的技術(shù)、流程協(xié)同優(yōu)化。其中，投資50億歐元的居林第三工廠擴建項目重點聚焦8英寸GaN和SiC晶圓生產(chǎn)，將進一步強化其在“硅+碳化硅+氮化鎵”領(lǐng)域的全能競爭優(yōu)勢。
意法半導體：錨定200mm SiC產(chǎn)能擴張，強化本土化供應(yīng)鏈布局
意法半導體總裁兼CFO Lorenzo Grandi在12月11日的發(fā)言中指出，公司正全力推進200mm SiC產(chǎn)能擴張，這是降低SiC器件成本、滿足新能源汽車與光伏逆變器需求增長的核心路徑。公司目標通過規(guī)?；圃炫c封裝優(yōu)化，持續(xù)提升SiC在主驅(qū)逆變器等核心場景的性價比競爭力。
據(jù)悉，意法半導體位于意大利阿格拉泰的300mm工廠將成為智能電源旗艦基地，2025—2027年投資重心將集中于SiC制造與封裝能力的階梯式擴產(chǎn)，以確保供應(yīng)鏈韌性與交付確定性。
在GaN領(lǐng)域，意法半導體計劃復制SiC在汽車市場的成功路徑，依托與英諾賽科的8英寸GaN晶圓合作及法國圖爾的8英寸產(chǎn)線，加速GaN在快充、服務(wù)器電源的規(guī)?；涞?。
此外，意法半導體與英飛凌在重慶的合資工廠預計于2025年三季度量產(chǎn)8英寸SiC和GaN器件，精準卡位中國電動汽車市場，形成“歐洲設(shè)計+中國制造”的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟格局。
安森美：綁定車企長單保障增長，以EliteSiC生態(tài)構(gòu)建全鏈優(yōu)勢
安森美汽車方案事業(yè)部負責人在12月11日的發(fā)言中披露，公司正推進SiC襯底與器件端的全面擴產(chǎn)，并已與頭部車企簽訂長期供貨協(xié)議（LTSA），2025年SiC器件營收占比目標提升至12%—15%，這一增長主要來自800V平臺主驅(qū)與車載高壓系統(tǒng)的需求拉動。
技術(shù)層面，安森美基于M3e EliteSiC?技術(shù)的最新功率模塊可實現(xiàn)低于4nH的雜散電感，配合技術(shù)優(yōu)化實現(xiàn)1.4mΩ的內(nèi)阻，導通損耗較前幾代產(chǎn)品降低30%，關(guān)斷損耗最多可降低50%，性能優(yōu)勢顯著。
圖片來源：意法半導體
在GaN領(lǐng)域，公司正加速車載OBC與數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用的落地，結(jié)合垂直GaN（vGaN）技術(shù)與封裝優(yōu)勢，提供700V/1200V高壓器件樣品，有效解決高頻開關(guān)與能效瓶頸。
安森美強調(diào)，SiC與GaN的產(chǎn)能規(guī)劃將與EliteSiC生態(tài)系統(tǒng)深度綁定，通過IDM模式保障從襯底到器件的全鏈可控，實現(xiàn)高可靠交付與成本優(yōu)化的同步推進。
結(jié)語
行業(yè)分析指出，此次三家半導體巨頭在巴克萊全球科技年會上的集中發(fā)聲，不僅展現(xiàn)了第三代半導體產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的明確趨勢，也反映出全球產(chǎn)業(yè)鏈對高端功率器件需求的持續(xù)升溫。
隨著產(chǎn)能擴張與技術(shù)迭代的推進，SiC/GaN器件成本將逐步下降，滲透率有望在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心、光伏儲能等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅提升，為全球新能源產(chǎn)業(yè)與數(shù)字經(jīng)濟發(fā)展提供核心支撐。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
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