文章分類： 功率

山東2個氮化鎵襯底項目有新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 22 日 17:50 | | 分類: 功率
在當今快速發(fā)展的科技時代，半導體材料的創(chuàng)新和應用正成為推動全球電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵力量。在第三代半導體材料領域，氮化鎵（GaN）因其卓越的電子特性和廣泛的應用前景，正受到業(yè)界的關注。近期，山東省的濟南和臨沂兩地，在氮化鎵襯底方面取得了新進展。 濟南：新增一個氮化鎵項目 據(jù)濟南日報消...  [詳內(nèi)文]

全球有多少座8英寸碳化硅廠？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 10 日 16:23 |
| 分類: 功率
2024年的碳化硅市場猶如一條洶涌的大河，全球各大廠家傾瀉而下、奔涌向前。我們可以看到全球各大廠在過去幾年中投資布局的8英寸碳化硅生產(chǎn)線已逐步進入落地階段，包括英飛凌在馬來西亞建設的居林新廠，安森美在韓國富川規(guī)劃的生產(chǎn)設施，三安在重慶投資的碳化硅項目等等。聚焦我國，則以碳化硅產(chǎn)業(yè)...  [詳內(nèi)文]

15億，臺灣8英寸氮化鎵功率廠投資案通過

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 10 月 09 日 17:50 | | 分類: 功率
10月4日，中國臺灣科學園區(qū)審議會第19次會議召開，會中通過冠亞半導體股份有限公司（下文簡稱“冠亞”）投資議案。 據(jù)介紹，該案投資金額達15億元新臺幣（折合人民幣約3.29億元），主要用來生產(chǎn)氮化鎵功率元件相關產(chǎn)品。 資料顯示冠亞為臺亞半導體子公司，專注于氮化鎵（GaN）功率技術...  [詳內(nèi)文]

住友金屬將建設8英寸碳化硅產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 29 日 17:21 |
| 分類: 功率
9月27日，住友金屬礦山株式會社（以下簡稱“住友金屬”）及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布，將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設一條新的8英寸（200mm）SiCkrest大規(guī)模生產(chǎn)線，SiCkrest為直接鍵合的碳化硅（SiC）襯底。 source：...  [詳內(nèi)文]

碳化硅襯底及材料相關項目落地浙江

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 27 日 17:20 |
| 分類: 功率
據(jù)望潮客戶端消息，9月25日，在第三屆全球數(shù)字貿(mào)易博覽會重大項目簽約儀式上，臺州市有4個項目簽約，分別為碳化硅原材料及碳化硅襯底項目、AI數(shù)據(jù)研發(fā)總部及算力中心項目、年產(chǎn)130萬套智能硬件終端設備制造項目、年產(chǎn)260萬噸化學品及新材料一體化項目。 其中，碳化硅原材料及碳化硅襯底項...  [詳內(nèi)文]

6000萬，氮化鎵功率半導體公司完成Pre-A輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 23 日 16:31 | | 分類: 功率
近日，晶通半導體（深圳）有限公司（下文簡稱“晶通半導體”）成功完成了6000萬元的Pre-A輪融資，此輪投資人包括了知名投資機構賽富投資基金、天使投資人，以及現(xiàn)有股東GRC富華資本的超額認購。公司未來將持續(xù)拓展產(chǎn)品矩陣，加速客戶方案導入，以滿足不同市場日益增長的需求。 晶通半導...  [詳內(nèi)文]

10億，江蘇新增一座6英寸功率晶圓廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 23 日 16:27 |
| 分類: 功率
9月20日，昕感科技宣布，公司位于江蘇江陰的晶圓廠順利完成首批投片。這一重要里程碑標志著昕感科技晶圓廠正式邁入全面運營的新階段。 source：昕感科技 集邦化合物半導體了解到，昕感科技6英寸功率半導體制造項目總計投資超10億元，一期建設6英寸廠房，總建筑面積超4.5萬平，核心...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅之爭，正燃

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 20 日 16:14 |
| 分類: 功率
放眼全球，碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立的局面，受下游應用需求推動，碳化硅邁入加速發(fā)展期。目前來看，英飛凌、意法半導體、安森美、天岳先進、三安光電、羅姆等大廠持續(xù)布局碳化硅產(chǎn)能，穩(wěn)固其市場地位，同時，產(chǎn)業(yè)鏈相關環(huán)節(jié)的其他玩家也加入了碳化硅競爭。在此之下，8英寸碳化硅成為各方攻略...  [詳內(nèi)文]

長飛先進武漢基地主體樓全面封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 11 日 15:40 | | 分類: 功率
9月10號晚，長飛先進宣布，公司武漢基地主體樓已全面封頂。 source：長飛先進 據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導體制造基地。項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，...  [詳內(nèi)文]

12英寸氮化鎵，新輔助？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 10 日 14:37 |
| 分類: 功率
第三代半導體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導體材料大廠信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。 2024年9月3日，信越化學宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應樣品。 圖片來源：信越化學 從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN...  [詳內(nèi)文]