8月25日，武漢東湖高新區(qū)管委會與長飛先進半導體簽署了第三代半導體功率器件研發(fā)生產基地項目合作協(xié)議。
長飛先進第三代半導體功率器件研發(fā)生產基地項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資約100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等，將助力武漢打造國內化合物半導體產業(yè)高地。
當前，東湖高新區(qū)重點布局化合物半導體產業(yè)，將九峰山科技園作為武漢新城重點建設的科技項目。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
安徽長飛先進半導體有限公司成立于2018年1月，專注于碳化硅（SiC）功率半導體產品研發(fā)及制造，擁有國內一流的產線設備和先進的配套系統(tǒng)，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發(fā)能力。
可年產6萬片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圓、640萬只功率模塊、1800萬只功率單管。目前，長飛先進可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相關產品。
今年6月，長飛先進完成超38億元A輪股權融資。
新增投資方包括光谷金控、浙江國改基金、中平資本、中建材新材料產業(yè)基金、中金資本旗下基金（中金上汽、中金瑞為、中金知行、中金啟合）、海通并購基金、國元金控集團旗下基金（國元股權、國元基金、國元創(chuàng)新）、魯信創(chuàng)投、東風資產、建信信托、十月資本、華安嘉業(yè)、中互智云、寶樾啟承、云岫資本等，老股東長飛光纖、天興資本等持續(xù)追加投資。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）
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