11月12日，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）“第三代半導體碳化硅襯底產業(yè)化基地建設二期項目”開工儀式在北京順利舉行。
source：天科合達
據集邦化合物半導體此前報道，二期項目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現有工程東側空地；項目總占地面積52790.032m2，總建筑面積105913.29m2，包括生產廠房、化學品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合樓、門衛(wèi)等。
公司擬購置長晶及附屬、晶體加工、晶片加工等工藝設備，新建6-8英寸碳化硅襯底生產線及研發(fā)中心，以及相關配套設施。
項目用于擴大公司碳化硅晶體與晶片產能，同時建設研發(fā)中心以對生產工藝和參數持續(xù)進行優(yōu)化和完善，投產后將實現年產約37.1萬片導電型碳化硅襯底，其中6英寸導電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導電型碳化硅襯底13.5萬片。
天科合達指出，該擴產項目旨在打造行業(yè)內領先的智能化生產線，量產8英寸碳化硅襯底。該項目全面投產后，公司的產能將得到顯著提升，進一步鞏固其在碳化硅襯底市場的領先地位。（集邦化合物半導體整理）
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