據(jù)外媒報道，11月11日，印度國防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實驗室已成功開發(fā)出本土一種工藝，可以生長和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在最高X波段頻率的應用中發(fā)揮作用。
印度國防部表示，SiC/GaN技術是國防、航空航天和清潔能源領域下一代應用的關鍵推動因素。這類先進技術可提高器件效率、減小尺寸和重量，并增強性能，使其在未來作戰(zhàn)系統(tǒng)、雷達、電子戰(zhàn)系統(tǒng)和綠色能源解決方案發(fā)揮重要作用。
隨著未來作戰(zhàn)系統(tǒng)對更輕、更緊湊電源的需求不斷增長，碳化硅/氮化鎵技術為軍事和商業(yè)領域的通信、情報、偵察和無人系統(tǒng)(包括電動汽車和可再生能源)提供了重要基礎。報道還指出，位于海得拉巴邦的SiC/GaN技術中心，可通過本土技術初步生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）MMIC，可滿足新一代太空、航空航天和 5G/衛(wèi)星通信的廣泛應用。
印度多個SiC/GaN項目加速推進
據(jù)集邦化合物半導體了解到，今年印度多個SiC/GaN項目有新進展，具體如下：
今年6月中旬，總部位于印度欽奈的SiCSem宣布，計劃在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測試和封裝（ATMP）工廠。
與此同時，SiCSem與印度理工學院布巴內斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導體領域研究事宜簽署了合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方之間首個項目是在IIT-BBS實現(xiàn)SiC晶體生長的本土化。這一項目專注于6英寸和8英寸SiC晶圓的大批量生產(chǎn)，預估耗資4.5億盧比。
8月5日，印度首家半導體芯片制造商Polymatech正式收購了美國公司Nisene。據(jù)悉，Nisene在Si和SiC材料方面的擁有專業(yè)知識，結合Polymatech的藍寶石基半導體技術，將幫助后者成為一家多晶圓公司。
8月中旬，L & T Semiconductor Technologies（LTSCT）計劃投資100億~120億美元，在未來5到10年內在印度建立三個半導體制造工廠，分別專注于硅、SiC和GaN技術。
9月4日，美國Silicon Power Group在印子公司RIR Power Electronics Limited宣布，公司投資62億盧比在印度奧里薩邦建設的SiC制造工廠已奠基動工。該工廠將用于生產(chǎn)6英寸SiC晶圓，預計2025年全面投產(chǎn)。
9月20日，印度Zoho集團宣布，計劃在印度奧里薩邦Khurda區(qū)投資303.4億盧比建設一座SiC制造工廠。該工廠的設計將覆蓋整個SiC生產(chǎn)鏈，從晶錠制造到晶圓、MOSFET、模塊，再到后續(xù)的改裝和封裝。工廠年產(chǎn)能預計包括7.2萬片SiC外延晶圓、7.2萬個MOSFET和模塊，產(chǎn)品將應用于電動汽車、汽車及可再生能源領域。
9月22日，印度總理莫迪宣布，美印兩國將共同在印度建立一家芯片制造廠。該工廠將專注于為國家安全、下一代電信和綠色能源應用提供先進的感應、通信和電力電子技術，生產(chǎn)紅外、GaN和SiC芯片。據(jù)悉，印度半導體任務以及巴拉特半導體公司、3rdiTech公司和美國太空部隊的戰(zhàn)略技術合作將為其提供支持。
11月，印度GaN初創(chuàng)公司Agnit已經(jīng)完成350萬美元的種子輪融資。
該筆資金將用于提升4英寸GaN-on-SiC外延片的生產(chǎn)質量，滿足射頻器件的需求，同時提高6英寸GaN-on-Silicon晶圓的生產(chǎn)能力，以應對功率器件市場需求。資金還將用于增強器件的可靠性，符合市場的多種標準。此外，這筆投資還將支持原型開發(fā)，尤其是面向印度本土市場的功率器件和電信領域的射頻器件。
結語
近年來，隨著以SiC、GaN為代表的第三代半導體發(fā)展迅猛，促使一些國家開始重視該產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。印度今年多個三代半項目落地，可以從側面反映其在推動本土技術和產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面的決心。（集邦化合物半導體Morty整理）
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