士蘭微:8英寸碳化硅產(chǎn)線通線,12英寸高端模擬芯片產(chǎn)線同步開工

作者 | 發(fā)布日期 2026 年 01 月 06 日 14:37 | 分類 碳化硅SiC

據(jù)士蘭微電子股份有限公司消息,2026年1月4日,杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門海滄區(qū)舉行儀式,宣布其8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線正式通線,同時(shí)12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目同步開工建設(shè)。

圖片來源:士蘭微

此次通線的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線,由旗下子公司士蘭集宏負(fù)責(zé)是該公司自主研發(fā)且規(guī)模化量產(chǎn)的產(chǎn)線,成功突破了8英寸碳化硅晶圓制造的多項(xiàng)核心工藝難題。項(xiàng)目規(guī)劃用地面積約205畝,主廠房核心面積1.5萬平方米,總投資120億元,分兩期建設(shè)。

一期計(jì)劃于2026年至2028年逐步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能爬坡,達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。二期投產(chǎn)后,總產(chǎn)能將達(dá)到年產(chǎn)72萬片。該產(chǎn)線將重點(diǎn)服務(wù)于新能源電動(dòng)汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁、大型白電、AI服務(wù)器電源及工業(yè)電源等應(yīng)用場景。

同步開工的12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目,規(guī)劃投資100億元,聚焦汽車、大型算力服務(wù)器、機(jī)器人、風(fēng)光儲(chǔ)、工業(yè)及通訊等高端應(yīng)用。

該項(xiàng)目計(jì)劃于2027年第四季度初步通線,并于2030年實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn),屆時(shí)將形成年產(chǎn)24萬片12英寸模擬集成電路芯片的生產(chǎn)能力。項(xiàng)目二期規(guī)劃將在一期基礎(chǔ)上再投資100億元,兩期全部完成后,總產(chǎn)能將達(dá)到年產(chǎn)54萬片12英寸高端模擬集成電路芯片。

根據(jù)#士蘭微 2025年年度報(bào)告及廈門海滄區(qū)發(fā)改局公開信息,兩條產(chǎn)線均按照CIDM模式運(yùn)營,面向行業(yè)客戶開放代工,并承擔(dān)部分共性技術(shù)驗(yàn)證功能。8英寸SiC產(chǎn)線首批設(shè)備已完成工藝驗(yàn)證,國產(chǎn)設(shè)備占比超過70%;12英寸模擬產(chǎn)線將導(dǎo)入國產(chǎn)刻蝕、薄膜、離子注入等機(jī)臺(tái),國產(chǎn)化率目標(biāo)不低于60%。

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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