年產(chǎn)10000片氧化鎵單晶襯底項(xiàng)目完成環(huán)保驗(yàn)收

作者 | 發(fā)布日期 2026 年 02 月 25 日 15:37 | 分類 氧化鎵

2月24日,杭州富加鎵業(yè)科技有限公司發(fā)布消息,公司“年產(chǎn)10000片大尺寸高質(zhì)量氧化鎵單晶襯底項(xiàng)目”于2026年1月正式完成竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收,該項(xiàng)目對(duì)應(yīng)的萬(wàn)片級(jí)6/8英寸氧化鎵產(chǎn)線由此取得規(guī)?;a(chǎn)的環(huán)保許可,正式具備合規(guī)量產(chǎn)的前置條件。

該項(xiàng)目聚焦6/8英寸大尺寸氧化鎵單晶襯底的規(guī)模化生產(chǎn),是富加鎵業(yè)在氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化布局中的重要落地項(xiàng)目。從6英寸氧化鎵晶體研制成功,到8英寸VB法氧化鎵晶體的國(guó)際首發(fā),再到本次萬(wàn)片級(jí)產(chǎn)線完成環(huán)保驗(yàn)收,企業(yè)完成了從核心技術(shù)研發(fā)到規(guī)模化生產(chǎn)布局的關(guān)鍵推進(jìn),后續(xù)該產(chǎn)線將正式釋放產(chǎn)能,供應(yīng)大尺寸氧化鎵單晶襯底相關(guān)產(chǎn)品。

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的核心品類,氧化鎵是第四代半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料,相較硅、碳化硅等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料,其擁有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、介電常數(shù)低、電子遷移率高以及制備成本相對(duì)可控等特性,是制作高壓、高頻、高功率、低損耗半導(dǎo)體器件的理想材料。

在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用層面,氧化鎵材料可廣泛適配新能源汽車高壓快充、光伏逆變器、智能電網(wǎng)輸配電、軌道交通供電、深紫外光電探測(cè)、微波射頻器件等多個(gè)領(lǐng)域的器件研發(fā)與生產(chǎn)需求,能夠有效提升相關(guān)器件的能量轉(zhuǎn)換效率、降低能耗、縮小器件體積,契合新能源、新一代信息技術(shù)、高端裝備制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)與發(fā)展需求。

同時(shí),氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,也為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破傳統(tǒng)材料性能瓶頸、向更高端化方向發(fā)展提供了新的技術(shù)路徑,是全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化方向。

此次項(xiàng)目完成竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收,意味著國(guó)內(nèi)氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化在規(guī)模化生產(chǎn)環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)重要進(jìn)展,將進(jìn)一步提升國(guó)內(nèi)大尺寸氧化鎵單晶襯底的市場(chǎng)供給能力,完善國(guó)內(nèi)超寬禁帶半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)鏈布局。富加鎵業(yè)方面表示,后續(xù)將依托該產(chǎn)線的產(chǎn)能保障,加速6/8英寸氧化鎵產(chǎn)品的市場(chǎng)推廣,為市場(chǎng)提供相關(guān)氧化鎵材料解決方案。

據(jù)公開信息,杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年12月31日,主營(yíng)超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化相關(guān)業(yè)務(wù),核心產(chǎn)品包含氧化鎵單晶襯底、氧化鎵外延片、晶體生長(zhǎng)裝備等,目前已形成覆蓋氧化鎵設(shè)備、襯底、外延片的產(chǎn)品體系,可提供“襯底-外延”一體化解決方案,同時(shí)牽頭起草氧化鎵領(lǐng)域首個(gè)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),承擔(dān)并參與多項(xiàng)國(guó)家及省部級(jí)相關(guān)科研項(xiàng)目。

(集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理)

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