文章分類： 功率

聯(lián)合多家頭部企業(yè)，上海打造8英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 29 日 17:50 |
| 分類: 功率
3月29日，據(jù)媒體報(bào)道，“聚勢(shì)芯港、引臨未來”2024上海全球投資促進(jìn)大會(huì)暨臨港新片區(qū)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)遇分享會(huì)在世界會(huì)客廳舉行。據(jù)介紹，本次活動(dòng)也是上海首次舉辦的寬禁帶半導(dǎo)體推介活動(dòng)。 會(huì)上，上海市經(jīng)信委副主任張宏韜、臨港新片區(qū)黨工委副書記吳曉華共同為“寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基...  [詳內(nèi)文]

50億美元，全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 28 日 10:56 |
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3月26日，Wolfspeed旗下耗資50億美元（折合人民幣約361億元）的8吋碳化硅（SiC）制造中心宣告封頂，美國(guó)參議員湯姆·蒂利斯 (Thom Tillis) 與Wolfspeed高管一起參加了封頂儀式。 source：Wolfspeed 該工廠以該公司已故聯(lián)合創(chuàng)始人Jo...  [詳內(nèi)文]

4Q23搭載SiC功率芯片逆變器市占率達(dá)15%

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:48 |
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根據(jù)TrendForce集邦咨詢?nèi)螂妱?dòng)車逆變器市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2023年第四季全球電動(dòng)車逆變器裝機(jī)量達(dá)714萬(wàn)套，相較2023年第三季639萬(wàn)套，季增約12%，主因是去年第四季電動(dòng)車季單季銷量較第三季成長(zhǎng)。其中，逆變器市場(chǎng)主要的推動(dòng)力來自于純電動(dòng)車（BEV）。 TrendFor...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)SiC外延片市場(chǎng)，繁榮與挑戰(zhàn)并存

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 21 日 20:43 |
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隨著電動(dòng)汽車和新能源需求的持續(xù)擴(kuò)大，碳化硅功率半導(dǎo)體元件在各領(lǐng)域的滲透率呈現(xiàn)持續(xù)攀升之勢(shì)。對(duì)于碳化硅外延片環(huán)節(jié)，過去市場(chǎng)長(zhǎng)期由Resonac、Wolfspeed等國(guó)際大廠主導(dǎo)，中國(guó)廠商瀚天天成與天域半導(dǎo)體歷經(jīng)10余年積累，終隨新能源浪潮迎來業(yè)務(wù)高速增長(zhǎng)期，近年來全球市場(chǎng)份額得以迅...  [詳內(nèi)文]

發(fā)展汽車、工業(yè)領(lǐng)域，瑞能半導(dǎo)通過IPO輔導(dǎo)驗(yàn)收

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 19 日 17:24 |
| 分類: 功率
根據(jù)中國(guó)證券監(jiān)督管理委員會(huì)官網(wǎng)資料，瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：瑞能半導(dǎo)）已通過輔導(dǎo)驗(yàn)收。 事實(shí)上，這并非瑞能半導(dǎo)首次申請(qǐng)上市。2020年8月，瑞能半導(dǎo)于上交所上市的申請(qǐng)獲得受理，但其最終于2021年6月申請(qǐng)撤回申請(qǐng)文件。 2023年7月，瑞能半導(dǎo)重整旗鼓，與西南證券...  [詳內(nèi)文]

英飛凌、羅姆產(chǎn)品新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 07 日 10:28 |
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近日，英飛凌和羅姆兩大SiC龍頭在產(chǎn)品端公布了新進(jìn)展。 英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日，英飛凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術(shù)產(chǎn)品，CoolSiC MOSFET G2系列產(chǎn)品。 source：英飛凌 英飛凌表示，新一代C...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目遍地開花

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 03 月 04 日 16:37 |
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近日，多個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目迎來最新進(jìn)展。其中，重投天科第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目、山東菏澤砷化鎵半導(dǎo)體晶片項(xiàng)目投資資金超30億。 總投資32.7億元，重投天科第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目在深圳寶安啟用 據(jù)濱海寶安消息，2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用，其由深圳市重投天科半導(dǎo)體...  [詳內(nèi)文]

SiC龍頭英飛凌重組自身業(yè)務(wù)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 29 日 18:48 |
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2月28日，英飛凌表示，目前公司正在進(jìn)一步加強(qiáng)和精簡(jiǎn)其銷售組織。英飛凌宣布，從3月1日起，公司的銷售團(tuán)隊(duì)將圍繞“汽車”、“工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施”以及“消費(fèi)者、計(jì)算與通信”這三個(gè)以客戶為中心的銷售領(lǐng)域進(jìn)行組建。 source：拍信網(wǎng) 其中，分銷商和電子制造服務(wù)管理（DEM）銷售組織將繼...  [詳內(nèi)文]

EPC宣布推出首款具有1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 29 日 16:42 |
| 分類: 功率
2月27日，EPC推出采用緊湊型3 mm x 5 mm QFN封裝的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，為DC-DC轉(zhuǎn)換、快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能MPPT提供更高的功率密度。 EPC稱，這是市場(chǎng)上導(dǎo)通電阻最低的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，功率密度...  [詳內(nèi)文]

晶圓級(jí)立方SiC單晶生長(zhǎng)取得突破

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 22 日 17:51 |
| 分類: 功率
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低的界面缺陷態(tài)密度(低1個(gè)數(shù)量級(jí))和高的電子親和勢(shì)(3...  [詳內(nèi)文]