文章分類: 功率

芯塔電子功率模塊大批量出貨

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 02 日 16:54 |
| 分類: 功率
近日,芯塔電子核心型號功率模塊產(chǎn)品成功下線,已大批量交付工業(yè)領(lǐng)域標桿客戶。 芯塔電子表示,以湖州功率模塊封裝產(chǎn)線為依托,公司正在開發(fā)性能更出色的車規(guī)級碳化硅功率模塊。 據(jù)介紹,芯塔電子湖州功率模塊封裝產(chǎn)線總投資1億元,于2024年初正式通線,目前處于量產(chǎn)爬坡階段。產(chǎn)線全部達產(chǎn)后,...  [詳內(nèi)文]

成本可降低10%,日本推碳化硅襯底新技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 01 日 14:20 |
| 分類: 功率
據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道,日本中央硝子(Central Glass)開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅(SiC)”襯底的新制造技術(shù)。 據(jù)介紹,中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液(液相法)來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長(升華法)的傳統(tǒng)技術(shù)相比,液相法在增大襯底...  [詳內(nèi)文]

碳化硅新應(yīng)用,熱電池轉(zhuǎn)換效率創(chuàng)新高

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:33 |
| 分類: 功率
長時間電網(wǎng)級儲能將出現(xiàn)新的解方。美國密西根大學(xué)開發(fā)的熱電池,其熱能轉(zhuǎn)換器效率達到44%,表現(xiàn)也優(yōu)于常見的蒸汽渦輪機,其平均效率為35%。 太陽能、風(fēng)力發(fā)電成本雖然快速下跌,但是只有再生能源價格下降還不夠,因為綠能為間歇性能源,日落或是沒有風(fēng)的時候,還是需要“電池“等儲能系統(tǒng)輔助,...  [詳內(nèi)文]

涉及GaN,BAE Systems宣布和格芯達成合作

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:31 |
| 分類: 功率
6月24日,BAE Systems宣布和GlobalFoundries(格芯)建立了合作伙伴關(guān)系,以加強美國國家安全項目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。根據(jù)該協(xié)議,兩家公司將就增加美國半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長期戰(zhàn)略進行合作,雙方共同目標是推進美國國內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng),主要針對航空航天和國防系...  [詳內(nèi)文]

120億+15億,國內(nèi)2個8英寸碳化硅項目迎來新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 26 日 14:05 |
| 分類: 功率
近日,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目在海滄正式開工。 該項目總投資120億元,建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線,建成后將形成年產(chǎn)72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。 該項目分兩期建設(shè),其中,一期項目總投資70億...  [詳內(nèi)文]

碳化硅市場硝煙四起

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 21 日 14:11 | | 分類: 功率
近期市場最新消息顯示,安森美onsemi將投資高達20億美元提高其在捷克共和國的半導(dǎo)體產(chǎn)量,以擴大該公司在歐洲的產(chǎn)能。近幾年,SiC功率元件市場競爭十分激烈。 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動汽車應(yīng)用的驅(qū)動下保持強勁成長,前五大Si...  [詳內(nèi)文]

士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線開工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 18 日 16:55 |
| 分類: 功率
據(jù)廈門廣電網(wǎng)消息,6月18日上午,士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線在海滄區(qū)開工。 source:士蘭微 該項目總投資120億元,分兩期建設(shè),兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。這條生產(chǎn)線投產(chǎn)后將成為國內(nèi)第一條擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)能規(guī)模最...  [詳內(nèi)文]

電科材料GaN-on-Si外延片完成交付

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 14 日 17:55 |
| 分類: 功率
第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場強高等特性,在功率與射頻領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。硅基氮化鎵在具備上述優(yōu)點的同時兼顧了可低成本、大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)點,是第三代半導(dǎo)體發(fā)展的重要方向。 據(jù)中電材料官微消息,近日,電科材料下屬國盛公司研發(fā)的硅基...  [詳內(nèi)文]

從自研芯片到800V,碳化硅上車革命“進行時”

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 11 日 16:49 |
| 分類: 功率
自研芯片、800V SiC高壓平臺……新能源車的半導(dǎo)體革命? 汽車行業(yè)的“自研芯片派”正在持續(xù)擴大。 5月30日,吉利汽車正式發(fā)布了聯(lián)合星紀魅族共同打造的“銀河Flyme Auto”智能座艙系統(tǒng)。據(jù)悉,銀河Flyme Auto采用的是吉利自研并量產(chǎn)了的7n...  [詳內(nèi)文]

復(fù)旦大學(xué)在可見光通信藍光激光mini-LD芯片方面取得突破

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 07 日 9:39 |
| 分類: 功率
近期復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院遲楠團隊聯(lián)合鵬城實驗室余少華院士與沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)Boon Ooi教授,在可見光通信關(guān)鍵光源器件研究方面取得了突破性進展,利用極性面氮化鎵(GaN)材料設(shè)計研制了一種具有大帶寬的窄脊短腔激光器(mini-LD),將高速光源的帶寬從1GHz左右...  [詳內(nèi)文]