文章分類： 功率

芯聯(lián)集成、羅姆半導體分別獲得碳化硅訂單

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 26 日 18:00 | | 分類: 企業(yè) , 功率
11月26日，芯聯(lián)集成、羅姆分別宣布獲得碳化硅訂單。 芯聯(lián)集成為樂道L60供應碳化硅模塊 據(jù)芯聯(lián)集成官微消息，蔚來旗下全新品牌樂道首款車型樂道L60近期上市，芯聯(lián)集成為樂道L60供應碳化硅模塊。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)介紹，樂道L60是同級別車型中唯一采用全域900V高壓...  [詳內文]

AI人工智能，第三代半導體的下一個增量市場？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 21 日 11:01 | | 分類: 產業(yè) , 功率
作為寬禁帶半導體兩大代表材料，氮化鎵目前在消費電子快充領域如魚得水，碳化硅則在新能源汽車應用場景漸入佳境，與此同時，二者都在向更廣闊的應用邊界滲透，而AI的強勢崛起，為碳化硅和氮化鎵創(chuàng)造了新的增量市場。 在此背景下，英飛凌CoolSiC? MOSFET 400V系列、納微全新4....  [詳內文]

氧化鎵初創(chuàng)公司拓諾稀科技獲數(shù)百萬天使輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 20 日 17:30 | | 分類: 功率
11月14日，香港科技大學（廣州）宣布，學校孵化企業(yè)“拓諾稀科技”于近日完成天使輪融資。該輪融資數(shù)百萬元人民幣，由力合科創(chuàng)領投。 資料顯示，拓諾稀科技成立于2022年，公司專注于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導體器件的開發(fā)。 據(jù)介紹，拓諾稀科技提供的核心產品涵蓋高性能氧化鎵肖特基...  [詳內文]

寶士曼功率半導體項目明年投產

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 19 日 18:00 | | 分類: 企業(yè) , 功率
11月13日，據(jù)“吳中發(fā)布”消息，江蘇省蘇州市吳中區(qū)近期全力沖刺第四季度加力提速重點項目建設，其中涉及一個第三代半導體項目——蘇州寶士曼半導體設備有限公司（以下簡稱：寶士曼）第三代半導體及集成電路專用設備研發(fā)生產項目。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目占地面積50畝，建筑面積約...  [詳內文]

碳化硅設備相關廠商科瑞爾獲投資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 19 日 18:00 |
| 分類: 產業(yè) , 功率
近日，碳化硅設備細分領域融資風云再起，國內又有一家碳化硅模塊封裝設備企業(yè)完成新一輪融資。 11月18日，據(jù)“中車資本”消息，由中車資本主發(fā)起的中車轉型升級基金，已在本月完成對功率半導體核心封裝設備制造商常州科瑞爾科技有限公司（以下簡稱：科瑞爾）的投資。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫...  [詳內文]

廣東珠海100億碳化硅相關項目投產

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 15 日 17:58 |
| 分類: 功率
據(jù)珠海網(wǎng)消息，11月14日，總投資約100億元的珠海奕源半導體材料產業(yè)基地項目在金灣區(qū)半導體產業(yè)園開工建設。 source：觀海融媒 據(jù)介紹，珠海奕源項目是北京奕斯偉集團聚焦半導體行業(yè)上游先進材料，在金灣區(qū)打造的集研發(fā)、生產、銷售于一體的半導體材料產業(yè)基地。該項目由華發(fā)集團戰(zhàn)略...  [詳內文]

深重投國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺亮相

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 15 日 17:57 | | 分類: 功率
11月15日，深重投集團投建的國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺在中國國際高新技術成果交易會（簡稱：高交會）上，召開建成發(fā)布會。 source：高交會 據(jù)介紹，建成發(fā)布的深圳綜合平臺具備碳化硅、氮化鎵及超寬禁帶功率材料與器件研發(fā)、集成設計及試制能力。 深圳綜合平臺主要由三...  [詳內文]

印度開發(fā)出4英寸碳化硅晶圓工藝

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 13 日 15:56 |
| 分類: 功率
據(jù)外媒報道，11月11日，印度國防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實驗室已成功開發(fā)出本土一種工藝，可以生長和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在...  [詳內文]

8英寸碳化硅，天科合達北京二期項目正式開工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 13 日 15:53 |
| 分類: 功率
11月12日，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）“第三代半導體碳化硅襯底產業(yè)化基地建設二期項目”開工儀式在北京順利舉行。 source：天科合達 據(jù)集邦化合物半導體此前報道，二期項目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程東側空地；項...  [詳內文]

MACOM牽頭碳化硅基氮化鎵項目

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 06 日 16:11 |
| 分類: 功率
11月4日，美國半導體企業(yè)MACOM宣布，將引領一個碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術開發(fā)項目，主要針對于射頻（RF）和微波應用領域。 項目專注于開發(fā)氮化鎵基材料和單片微波集成電路（MMIC）的半導體制造工藝，以實現(xiàn)在高壓和毫米波（mmW）頻率下的高效運行。 圖片來源：...  [詳內文]