文章分類: 碳化硅SiC

2023集邦咨詢第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會報名通道開啟

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 21 日 14:19 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
關(guān)于第三代半導(dǎo)體的疑慮,這場研討會都有答案。 第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點,先天性能優(yōu)越,是新能源汽車、5G、光伏等領(lǐng)域的“香餑餑”。然而,現(xiàn)實與理想之間尚有較大差距,我們對第三代半導(dǎo)體的發(fā)展仍存疑慮。 為進一步剖析第三代半導(dǎo)體的現(xiàn)...  [詳內(nèi)文]

10億加碼SiC!揚杰科技擬建6英寸晶圓產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 21 日 14:07 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
20日晚間,揚杰科技發(fā)布公告宣布,擬投資10億元在江蘇揚州建設(shè)6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)線,未來還將進一步布局6-8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線建設(shè),這一定程度上意味著揚杰科技在SiC產(chǎn)業(yè)鏈的經(jīng)營模式有可能逐漸從Fabless往IDM模式靠近,進一步加速其SiC業(yè)務(wù)的拓展和規(guī)模的擴大。 2015年...  [詳內(nèi)文]

特斯拉虛晃一槍,碳化硅高速邁進

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 20 日 16:46 |
| 分類: 碳化硅SiC
被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅(qū)平臺再被關(guān)注,在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風(fēng)暴下,業(yè)界在一次次的探討中,逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。 華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局 近日華為舉辦了智能電動新品發(fā)布會,并發(fā)布了聚焦動力域的“DriveONE新一...  [詳內(nèi)文]

首款+全國產(chǎn),中國電科公布碳化硅領(lǐng)域新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 20 日 11:15 |
| 分類: 碳化硅SiC
4月17日,中國電科宣布旗下55所與一汽聯(lián)合研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成流片,首款全國產(chǎn)1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。 報道稱,在750V碳化硅功率芯片項目中,雙方技術(shù)團隊從結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝技術(shù)、材料應(yīng)用維度開展聯(lián)合攻關(guān),推動碳化硅功率芯片技術(shù)達到國際...  [詳內(nèi)文]

華為正式發(fā)布SiC電驅(qū)平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 19 日 17:52 |
| 分類: 碳化硅SiC
4月17日,華為官方公布消息,在本屆上海國際汽車工業(yè)展覽會同期(4/18-27),華為舉辦了智能電動新品發(fā)布會,并發(fā)布了聚焦動力域的“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”以及“新一代全液冷超充架構(gòu)”的充電網(wǎng)絡(luò)解決方案。 搭載SiC,華為打造高效高壓電驅(qū)平臺 其中,Drive...  [詳內(nèi)文]

把激光集成到芯片上的四種方法

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 19 日 17:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
你可以用硅光子學(xué)制造很多東西,但激光不是其中之一。 光子集成電路,將一系列光電功能組合在一塊芯片上,在日常生活中越來越常見。它們被用于連接數(shù)據(jù)中心服務(wù)器機架的高速光收發(fā)器,包括用于傳輸IEEE Spectrum網(wǎng)站的高速光收發(fā)器,用于保持自動駕駛汽車在軌道上的激光雷達,用于發(fā)現(xiàn)大...  [詳內(nèi)文]

縱慧芯光榮獲IATF 16949認證,躋身汽車產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 19 日 17:40 |
| 分類: 碳化硅SiC
近日,縱慧芯光成功獲得國際汽車工作組頒發(fā)的IATF 16949認證,此認證由全球著名認證機構(gòu)SGS授予。在此之前,縱慧芯光的多款芯片已經(jīng)通過了AEC-Q102認證。這兩項重要資質(zhì)將助力縱慧芯光在汽車產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中占據(jù)關(guān)鍵地位。 IATF- 16949認證是全球汽車行業(yè)的質(zhì)量管理體...  [詳內(nèi)文]

激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 19 日 9:30 |
| 分類: 碳化硅SiC
摘 要:本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理,并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進行了介紹。 碳化硅是一種性能優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料,具有光學(xué)性能良好、化學(xué)惰性大、物理特性優(yōu)良的特點,包括帶隙寬...  [詳內(nèi)文]

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功導(dǎo)入Apex Microtechnology工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 19 日 9:27 |
| 分類: 碳化硅SiC
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓...  [詳內(nèi)文]

艾默生官宣:正式收購NI

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 04 月 19 日 8:53 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)路透社報道,美國工業(yè)集團艾默生電氣公司周三同意以 82 億美元收購美國國家儀器公司,結(jié)束了對這家測量設(shè)備制造商近一年的收購。 報道指出,這次每股 60 美元的現(xiàn)金出價較 National Instruments 在 1 月 12 日的收盤價溢價近 50%,該收盤價是 Natio...  [詳內(nèi)文]