文章分類： 碳化硅SiC

碳化硅迎“開門紅”，多個(gè)項(xiàng)目獲新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 15 日 15:35 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
2026年開年以來(lái)，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)“開門紅”，項(xiàng)目落地與產(chǎn)能釋放節(jié)奏持續(xù)加快。從安徽10億元碳化硅項(xiàng)目簽約、云南基礎(chǔ)制品項(xiàng)目環(huán)評(píng)落地到威海車規(guī)級(jí)模塊產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，碳化硅項(xiàng)目多點(diǎn)開花，彰顯了碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料的戰(zhàn)略價(jià)值與市場(chǎng)活力。 安徽10億元碳化硅項(xiàng)目簽約 1月...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電、Wolfspeed同傳捷報(bào)！12英寸碳化硅再迎技術(shù)突破

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 14 日 13:49 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，全球碳化硅領(lǐng)域喜訊頻傳，國(guó)內(nèi)與國(guó)際頭部企業(yè)相繼在12英寸碳化硅技術(shù)上實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破。 國(guó)內(nèi)方面，晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞電子材料有限公司實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底TTV≤1μm突破；國(guó)際方面，Wolfspeed宣布成功制造出單晶12英寸碳化硅晶圓。 01、晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅...  [詳內(nèi)文]

瞄準(zhǔn)碳化硅等業(yè)務(wù)，中科光智成都子公司開業(yè)

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 13 日 15:45 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，中科光智（成都）科技有限公司正式開業(yè)，這是中科光智全國(guó)戰(zhàn)略布局在西部落下的關(guān)鍵一子，旨在打造半導(dǎo)體先進(jìn)封裝裝備研發(fā)制造基地與產(chǎn)業(yè)公共服務(wù)平臺(tái)，深度融入成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟(jì)圈建設(shè)，賦能區(qū)域集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。 中科光智成都子公司主要聚焦研發(fā)與制造高精度貼片機(jī)、光通信封裝關(guān)鍵設(shè)...  [詳內(nèi)文]

芯粵能、頂立科技等7家企業(yè)公布SiC專利

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 13 日 15:41 |
| 分類: 碳化硅SiC
在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速推進(jìn)的背景下，碳化硅（SiC）作為核心材料的技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)突破。據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全統(tǒng)計(jì)，近期國(guó)內(nèi)碳化硅領(lǐng)域共有7項(xiàng)關(guān)鍵專利集中公開或授權(quán)，覆蓋襯底制備、功率器件結(jié)構(gòu)、單晶生長(zhǎng)設(shè)備及應(yīng)用拓展等核心環(huán)節(jié)，其中襯底絕緣層創(chuàng)新、高精度光柵制備及熱場(chǎng)控制技術(shù)成為亮...  [詳內(nèi)文]

2025年第三季度電動(dòng)車SiC逆變器裝機(jī)量創(chuàng)單季新高，滲透率上升至18%

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 12 日 15:37 |
| 分類: 碳化硅SiC
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，受惠于新能源車[注1]市場(chǎng)成長(zhǎng)，2025年第三季全球電動(dòng)車[注2]牽引逆變器總裝機(jī)量達(dá)835萬(wàn)臺(tái)，年增22%。純電動(dòng)車(BEV)及插電混合式電動(dòng)車(PHEV)為主要?jiǎng)幽軄?lái)源，裝機(jī)成長(zhǎng)率分別為36%和13.6%。 因應(yīng)電動(dòng)車智能化與高效化目...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)達(dá)百萬(wàn)只，無(wú)錫高新區(qū)新增車規(guī)級(jí)SiC功率模塊項(xiàng)目

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 12 日 15:29 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)“無(wú)錫高新區(qū)在線”官方發(fā)布消息，1月9日，基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)第三代半導(dǎo)體研發(fā)制造總部基地項(xiàng)目已正式簽約落戶，此次簽約的總部基地項(xiàng)目將重點(diǎn)圍繞產(chǎn)業(yè)鏈能力提升和產(chǎn)能擴(kuò)充展開布局。 根據(jù)規(guī)劃，項(xiàng)目將分階段推進(jìn)建設(shè)，全面達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)每年可實(shí)現(xiàn)百萬(wàn)只#車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊 的生產(chǎn)規(guī)模，為基本...  [詳內(nèi)文]

雷軍重磅官宣！小米新一代SU7全系標(biāo)配碳化硅

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 08 日 14:54 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
1月7日，小米汽車創(chuàng)始人雷軍發(fā)布微博宣布，新一代SU7車型即將于同年4月上市，當(dāng)日上午10時(shí)已同步開啟小訂通道。雷軍強(qiáng)調(diào)，新一代SU7的升級(jí)基于36萬(wàn)車主反饋打磨而成，將持續(xù)堅(jiān)守“駕駛者之車”的核心定位，同時(shí)以更先進(jìn)的技術(shù)配置回應(yīng)市場(chǎng)需求。 圖片來(lái)源：雷軍社交平臺(tái)截圖 作為小米...  [詳內(nèi)文]

12英寸SiC單晶襯底技術(shù)再傳廠商新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 08 日 14:46 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
在半導(dǎo)體材料技術(shù)不斷革新的浪潮中，12英寸碳化硅（SiC）單晶襯底技術(shù)成為眾多廠商競(jìng)相角逐的關(guān)鍵領(lǐng)域。近期，外媒報(bào)道Wolfspeed在12英寸碳化硅單晶襯底方面取得重要進(jìn)展，與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)多家廠商也在該技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，不斷實(shí)現(xiàn)新的突破，為人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)、高壓器件等眾多行業(yè)...  [詳內(nèi)文]

河南年產(chǎn)300噸碳化硅項(xiàng)目進(jìn)入滿產(chǎn)狀態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 06 日 14:40 |
| 分類: 碳化硅SiC
“孟津融媒”官微消息，近期，河南省洛陽(yáng)市孟津區(qū)的碳化硅相關(guān)項(xiàng)目迎來(lái)發(fā)展新階段。洛陽(yáng)中硅高科技有限公司的“年產(chǎn)300噸碳化硅項(xiàng)目”已進(jìn)入滿產(chǎn)狀態(tài)，排產(chǎn)已經(jīng)到四個(gè)月以后。 自2025年初投產(chǎn)以來(lái)，上述碳化硅生產(chǎn)項(xiàng)目產(chǎn)品已成功應(yīng)用于12英寸碳化硅晶圓制備。隨著產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用加速，2025年...  [詳內(nèi)文]

士蘭微：8英寸碳化硅產(chǎn)線通線，12英寸高端模擬芯片產(chǎn)線同步開工

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 06 日 14:37 |
| 分類: 碳化硅SiC
據(jù)士蘭微電子股份有限公司消息，2026年1月4日，杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門海滄區(qū)舉行儀式，宣布其8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線正式通線，同時(shí)12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目同步開工建設(shè)。 圖片來(lái)源：士蘭微 此次通線的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線，由...  [詳內(nèi)文]