寬禁帶半導體（如碳化硅SiC、氮化鎵GaN）及超寬禁帶半導體（如氧化鎵Ga?O?、金剛石）因具備高擊穿電場、高電子遷移率及高熱導率等特性，成為支撐高壓、高頻、高功率應用的核心材料，可廣泛應用于5G/6G通信、新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、航空航天、數(shù)據(jù)中心以及高端消費電子等關鍵... [詳內(nèi)文]
上海臨港出手寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)，“東方芯港”再添火力！ |
| 作者 KikiWang|發(fā)布日期 2025 年 05 月 15 日 14:12 | 分類 半導體產(chǎn)業(yè) |