相關(guān)資訊：揚(yáng)杰科技

今年第二家，揚(yáng)杰科技再成立新公司
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 05 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近期，繼碳化硅相關(guān)廠商中車時代半導(dǎo)體、江豐電子分別成立新公司后，揚(yáng)杰科技也成立了一家新公司，這是揚(yáng)杰科技今年新成立的第二家公司。 天眼查資料顯示，2024年11月1日，揚(yáng)州東興揚(yáng)杰研發(fā)有限公司成立，法定代表人為梁瑤，注冊資本500萬人民幣，經(jīng)營范圍含集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)、電力...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技、德州儀器公布2024Q3財報
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 23 日 17:50 | 分類 企業(yè)
10月22日，揚(yáng)杰科技、德州儀器披露了公司Q3季度業(yè)績營收。其中，揚(yáng)杰科技實(shí)現(xiàn)了營收凈利雙增長，而德州儀器的表現(xiàn)也超過外界預(yù)期。 揚(yáng)杰科技：營收達(dá)15.58億 揚(yáng)杰科技表示，報告期內(nèi)，隨著半導(dǎo)體市場需求逐步改善，公司營收規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大，截至報告期末累計達(dá)到44.23億元，較去年同...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技、新潔能取得SiC、GaN相關(guān)專利
作者 |發(fā)布日期 2024 年 05 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，揚(yáng)杰科技和新潔能2家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商分別取得SiC、GaN相關(guān)專利。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 揚(yáng)杰科技取得GaN MOSFET專利 天眼查資料顯示，5月10日，揚(yáng)杰科技取得一項(xiàng)“一種氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)”專利，授權(quán)公告號CN110749389B，申請日...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技、聞泰科技公布2023年業(yè)績，均實(shí)現(xiàn)營收增長
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 23 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，SiC相關(guān)廠商密集發(fā)布2023年業(yè)績，揚(yáng)杰科技與聞泰科技也相繼公布了2023年年度報告，2家廠商在營收方面均同比實(shí)現(xiàn)小幅增長。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 揚(yáng)杰科技2023年?duì)I收54.10億，SiC MOS批量出貨 4月21日晚間，揚(yáng)杰科技公布2023年年度報告。2023年...  [詳內(nèi)文]

總投資5億元，揚(yáng)杰科技SiC模塊封裝項(xiàng)目簽約
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 20 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，在江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡稱揚(yáng)杰科技）新能源車用IGBT、碳化硅（SiC）模塊封裝項(xiàng)目完成簽約。該項(xiàng)目總投資5億元，主要從事車規(guī)級IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發(fā)制造。 圖片來源：拍...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技取得多項(xiàng)SiC器件相關(guān)專利
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 02 日 17:50 | 分類 企業(yè)
12月29日，揚(yáng)杰科技公開“隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”、“一種碳化硅半導(dǎo)體器件及其制備方法”、“一種提升SIC功率器件短路魯棒性的結(jié)構(gòu)及制造方法”等多項(xiàng)碳化硅（SiC）器件相關(guān)專利，申請日期均為2023年10月27日。 “隔離柵碳化硅晶體管及其制備方法”專利 天眼查資料顯示...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)中心落地
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 12 日 15:50 | 分類 碳化硅SiC
6月6日，在東南大學(xué)建校121周年紀(jì)念日上，揚(yáng)杰科技宣布與東南大學(xué)簽署合作協(xié)議，組建“東南大學(xué)—揚(yáng)杰科技寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”。 基于此研發(fā)中心，雙方將在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域（尤其是寬禁帶功率器件領(lǐng)域）進(jìn)行深層次合作，開發(fā)世界級水平、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的、符合市場與應(yīng)用需求的功...  [詳內(nèi)文]

10億加碼SiC！揚(yáng)杰科技擬建6英寸晶圓產(chǎn)線
作者 |發(fā)布日期 2023 年 04 月 21 日 14:07 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
20日晚間，揚(yáng)杰科技發(fā)布公告宣布，擬投資10億元在江蘇揚(yáng)州建設(shè)6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)線，未來還將進(jìn)一步布局6-8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線建設(shè)，這一定程度上意味著揚(yáng)杰科技在SiC產(chǎn)業(yè)鏈的經(jīng)營模式有可能逐漸從Fabless往IDM模式靠近，進(jìn)一步加速其SiC業(yè)務(wù)的拓展和規(guī)模的擴(kuò)大。 2015年...  [詳內(nèi)文]