相關(guān)資訊：氧化鎵

華潤微：第四代功率半導(dǎo)體氧化鎵已實現(xiàn)全鏈條技術(shù)布局
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 21 日 14:53 | 分類 功率 , 氧化鎵
1月15日，華潤集團(tuán)首屆科技成果展暨科普周活動在深圳舉辦。 華潤微電子作為集團(tuán)科技與新興產(chǎn)業(yè)板塊重要組成，展區(qū)圍繞“芯創(chuàng)前沿 科創(chuàng)領(lǐng)航”“芯鏈科創(chuàng)成果 賦能全鏈路”“芯啟科創(chuàng) 賦能出行”三大主題，綜合運用產(chǎn)品實物、模型演示、顯微鏡互動等多種形式，生動呈現(xiàn)了公司在前沿技術(shù)突破、全產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

我國實現(xiàn)8英寸氧化鎵晶體制備突破！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 29 日 15:48 | 分類 氧化鎵
據(jù)“上?？萍肌眻蟮溃?2月27日，在上海市科委第四代半導(dǎo)體戰(zhàn)略前沿專項支持下，中國科學(xué)院上海光機(jī)所（以下簡稱“上海光機(jī)所”）聯(lián)合杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱“富加鎵業(yè)”），在國際上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制備出8英寸氧化鎵晶體。 圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司...  [詳內(nèi)文]

兩項氧化鎵團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 17 日 15:25 | 分類 氧化鎵
近日，由杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司牽頭的《β相氧化鎵同質(zhì)外延片》（T/CEMIA 050-2025）與《氧化鎵單晶位錯密度測試方法》（T/CEMIA 051-2025）兩項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)中國電子材料行業(yè)協(xié)會批準(zhǔn)正式發(fā)布，將于2026 年1月1日起全面實施。 圖片來源：中國電子材料行業(yè)...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵入選浙江省重大科技成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 17:02 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
近期，浙江省科技廳公布2025年度重大科技成果，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司的氧化鎵系列成果入選。 圖片來源：鎵仁半導(dǎo)體 半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷經(jīng)數(shù)代更迭：從以硅、鍺為代表的第一代，到以砷化鎵等化合物為代表的第二代，再到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代。如今，被譽(yù)為“第四代半導(dǎo)體”的氧化鎵...  [詳內(nèi)文]

這家氧化鎵公司落戶晉江并完成天使輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 19 日 14:28 | 分類 氧化鎵
隨著高功率器件性能需求的持續(xù)提升，氧化鎵憑借超寬禁帶、高擊穿電場等優(yōu)勢，被視為理想的第四代功率半導(dǎo)體材料，吸引國內(nèi)廠商不斷布局，近期氧化鎵領(lǐng)域再次傳出新動態(tài)。 “晉江產(chǎn)經(jīng)報道”官微消息，近日，晉江西安離岸創(chuàng)新中心孵化出的第一個產(chǎn)業(yè)化項目，專注于第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料——氧化鎵科...  [詳內(nèi)文]

石墨烯“做媒”，西電團(tuán)隊破解氧化鎵散熱瓶頸
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 10 日 14:41 | 分類 氧化鎵
近日，中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)教授郝躍團(tuán)隊的教授張進(jìn)成、寧靜在氧化鎵散熱難題上取得突破——用金剛石（鉆石）為散熱體，并通過石墨烯緩沖層實現(xiàn)高效熱傳導(dǎo)。該成果已在《Nature?Communications》上發(fā)表。 圖片來源：西安電子科技大學(xué)——圖為郝躍（中）團(tuán)隊在實驗...  [詳內(nèi)文]

富加鎵業(yè)推出新型（011）晶面氧化鎵襯底產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 20 日 13:46 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
近期，富加鎵業(yè)正式推出新型（011）晶面氧化鎵襯底產(chǎn)品，涵蓋小片及2英寸標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，并全面開放4英寸襯底與2-4英寸外延片定制服務(wù)。 圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司 富加鎵業(yè)成立于2019年，核心產(chǎn)品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及導(dǎo)模法(E...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 氧化鎵
近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破，成功實現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長。 此次鎵仁半導(dǎo)體 的6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片表現(xiàn)優(yōu)異。外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)第四代半導(dǎo)體氧化鎵技術(shù)取得重大進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 16 日 14:19 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 氧化鎵
氧化鎵作為極具潛力的第四代半導(dǎo)體材料，能承受超高電壓、成本低，在電動汽車、軌道交通、5G/6G基站、智能電網(wǎng)、航空航天等系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，被譽(yù)為下一代高功率電子器件的“明星材料”。不過，作為新興材料，氧化鎵應(yīng)用仍有諸多技術(shù)瓶頸待克服。 近期，國內(nèi)氧化鎵領(lǐng)域頻頻傳出重大進(jìn)展。 富加鎵...  [詳內(nèi)文]

金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域，西電研究團(tuán)隊傳來喜訊！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 04 日 14:17 | 分類 氧化鎵
近日，由西安電子科技大學(xué)集成電路學(xué)部郝躍院士團(tuán)隊張進(jìn)成教授、寧靜教授等在寬禁帶半導(dǎo)體材料集成領(lǐng)域取得取得突破性進(jìn)展，研究成果以“Van der Waals β-Ga?O?thin ?lms on polycrystalline diamond substrates”為題在線發(fā)表于...  [詳內(nèi)文]