相關(guān)資訊：氧化鎵

16.8億元氧化鎵項(xiàng)目迎新進(jìn)展：預(yù)計(jì)8月入駐機(jī)電設(shè)備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 25 日 15:06 | 分類 氧化鎵
近日，據(jù)上杭融媒公眾號(hào)消息，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司二期項(xiàng)目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項(xiàng)目迎來(lái)新進(jìn)展。 目前最新進(jìn)展是該項(xiàng)目整個(gè)主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發(fā)樓、宿舍正在進(jìn)行內(nèi)部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動(dòng)力中心正在內(nèi)部調(diào)試，預(yù)計(jì)8月可進(jìn)行機(jī)...  [詳內(nèi)文]

封頂/投產(chǎn)，國(guó)內(nèi)兩個(gè)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC
從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)模化應(yīng)用，化合物半導(dǎo)體正加速重構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局，為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域注入新動(dòng)能。隨著市場(chǎng)對(duì)高性能、高能效半導(dǎo)體器件需求的激增，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目層出不窮。近期，兩個(gè)相關(guān)項(xiàng)目傳出新進(jìn)展，...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵領(lǐng)域強(qiáng)強(qiáng)合作，國(guó)內(nèi)廠商發(fā)力！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 19 日 15:28 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
5月16日，中國(guó)氧化鎵襯底領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)鎵仁半導(dǎo)體與德國(guó)氧化鎵外延頭部企業(yè) NextGO.Epi 簽署全球戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將依托技術(shù)優(yōu)勢(shì)協(xié)同攻關(guān)，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合將共同推動(dòng)氧化鎵在新能源、電力電子等領(lǐng)域的應(yīng)用突破，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新動(dòng)能...  [詳內(nèi)文]

亞洲氧化鎵技術(shù)迎新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 14 日 13:44 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導(dǎo)體材料禁帶寬度的拓寬始終驅(qū)動(dòng)著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢(shì)，掀起一場(chǎng)新的半導(dǎo)體革命。 氧化鎵熔點(diǎn)高達(dá)1900℃，不溶于水...  [詳內(nèi)文]

全球首發(fā)！杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 15:05 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。鎵仁半導(dǎo)體采用完全自主創(chuàng)新的鑄造法成功實(shí)現(xiàn)8英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)，并可加工出相應(yīng)尺寸的晶圓襯底。據(jù)悉，這一成果，標(biāo)志著鎵仁半導(dǎo)體成為國(guó)際上首家掌握8英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)的企業(yè)...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵（Ga?O?）：新興材料的無(wú)限潛力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 01 月 31 日 17:59 | 分類 功率
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為未來(lái)技術(shù)的關(guān)鍵，而氧化鎵（Ga?O?）正是其中的佼佼者。憑借其優(yōu)異的特性，氧化鎵正在改變功率電子器件和光電探測(cè)領(lǐng)域的格局。 氧化鎵的定義氧化鎵（Gallium Oxide，Ga?O?）是一種化學(xué)式為 Ga?O? 的無(wú)機(jī)化合物，是鎵...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體生長(zhǎng)出直拉法2英寸N型氧化鎵單晶
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 29 日 16:38 | 分類 企業(yè) , 功率
氧化鎵作為一種新興的半導(dǎo)體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體的潛在競(jìng)爭(zhēng)者。目前，國(guó)內(nèi)外相關(guān)企業(yè)正在加速推進(jìn)氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近日，又有一家國(guó)內(nèi)企業(yè)披露其在氧化鎵領(lǐng)域取得新進(jìn)展。 source：鎵仁半導(dǎo)體 11月29日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，今年10月...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵二期工廠正式啟用
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
11月15日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵二期工廠近日正式啟用。新工廠在晶體生長(zhǎng)、晶圓加工和外延生長(zhǎng)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)引入了先進(jìn)的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備，預(yù)計(jì)將顯著提升產(chǎn)能，以滿足全球市場(chǎng)對(duì)氧化鎵晶圓襯底和外延片的增長(zhǎng)需求。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹，在二期工廠中，鎵仁半導(dǎo)體自主...  [詳內(nèi)文]

加速氧化鎵產(chǎn)業(yè)化，國(guó)內(nèi)2家企業(yè)發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 31 日 17:11 | 分類 企業(yè)
氧化鎵作為一種新興的半導(dǎo)體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體的潛在競(jìng)爭(zhēng)者。目前，國(guó)內(nèi)外企業(yè)正在加速推進(jìn)氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近期，鎵仁半導(dǎo)體和富加鎵業(yè)分別在氧化鎵材料和功率器件領(lǐng)域有了新突破。 鎵仁半導(dǎo)體采用鑄造法生長(zhǎng)6英寸氧化鎵單晶 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息...  [詳內(nèi)文]

日本FOX公司計(jì)劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 21 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
10月18日，據(jù)外媒消息，日本東北大學(xué)近日宣布成立FOX公司，該公司以低成本大規(guī)模生產(chǎn)β-氧化鎵（β-Ga2O3）晶片為目標(biāo)。FOX采用了無(wú)貴金屬單晶生長(zhǎng)技術(shù)，旨在以比碳化硅更低的成本生產(chǎn)出低缺陷程度與硅相當(dāng)?shù)摩?氧化鎵襯底。 source：東北大學(xué) 據(jù)悉，與碳化硅和氮化鎵相比...  [詳內(nèi)文]