相關資訊：氧化鎵

鎵仁半導體完成近億元Pre-A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 08 日 17:27 | 分類 企業(yè)
8月7日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）迎來了Pre-A輪融資及戰(zhàn)略合作簽約慶典。本輪投資由九智資本領投，普華資本共同投資。公司天使輪投資機構藍馳創(chuàng)投、禹泉資本、毅嶺資本均出席共同見證此次融資簽約儀式。 source：鎵仁半導體 鎵仁半導體表示，本輪融資資金的...  [詳內文]

日本團隊不使用銥坩堝研制出直徑約2英寸氧化鎵晶體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 01 日 18:00 | 分類 產業(yè)
作為一種新興的超寬禁帶半導體材料，氧化鎵具備大禁帶寬度（4.8eV）、高臨界擊穿場強（8MV/cm）和良好的導通特性，與碳化硅和氮化鎵相比，氧化鎵在大功率和高頻率應用中具有優(yōu)勢，且導通電阻更低，損耗更小。 目前，中國、日本、韓國等國的研究機構和團隊在氧化鎵材料的技術研發(fā)和產業(yè)化方...  [詳內文]

韓國首個1200V 氧化鎵SBD問世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 24 日 16:30 | 分類 功率
7月22日，韓國化合物半導體公司Siegtronics宣布，公司已開發(fā)出可應用于高速開關的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢壘二極管（SBD）。 source：Siegtronics 據悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高...  [詳內文]

鎵仁半導體制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 16 日 16:53 | 分類 企業(yè)
7月15日，據鎵仁半導體官微消息，鎵仁半導體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底，據稱為目前國際上已報導的最大尺寸。 source：鎵仁半導體 據鎵仁半導體介紹，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現。首先，（0...  [詳內文]

聚焦氧化鎵，鎵仁半導體與邁姆思達成戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 18:00 | 分類 企業(yè)
6月28日，據蘇州納米城官微消息，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱鎵仁半導體）近日與蘇州邁姆思半導體科技有限公司（以下簡稱邁姆思）于杭州簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在先進半導體氧化鎵晶圓鍵合領域展開深度合作。 圖片來源：拍信網正版圖庫 據悉，邁姆思將與鎵仁半導體協(xié)作實現SiC和氧化...  [詳內文]

銘鎵半導體在氧化鎵材料方面實現新突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 06 日 14:30 | 分類 企業(yè)
據北京順義消息，北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導體”）在超寬禁帶半導體氧化鎵材料開發(fā)及應用產業(yè)化方面實現新突破，已領先于國際同類產品標準。 圖片來源：拍信網正版圖庫 銘鎵半導體董事長陳政委表示，半絕緣型（010）鐵摻襯底和該襯底加導電型薄膜外延，目前國際可做到25毫米...  [詳內文]

鎵仁半導體推出2英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分類 功率
4月9日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）宣布正式推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底，在(010)襯底的研發(fā)生產方面再創(chuàng)新高。 source：鎵仁半導體 據介紹，氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場強高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點，使基于氧化鎵的功率器...  [詳內文]

超越碳化硅？三菱電機投資氧化鎵功率半導體
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 01 日 17:50 | 分類 企業(yè)
3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導體的氧化鎵（Ga2O3）進行投資研發(fā)。與主要用于電動汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導體相比，三菱電機稱這一布局是“為擴大更高電壓的市場”。 三菱電機表示，2024年~2030年，...  [詳內文]

國內首個6英寸氧化鎵襯底產業(yè)化公司誕生
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 21 日 11:21 | 分類 企業(yè)
3月20日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）宣布，公司聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片...  [詳內文]

國內氧化鎵公司晶旭半導體獲億元投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 04 日 18:10 | 分類 企業(yè)
2月3日， 睿悅投資官微發(fā)文稱，睿悅投資與福建晶旭半導體科技有限公司（下文簡稱“晶旭半導體”）簽署戰(zhàn)略投資協(xié)議。 據悉，此次睿悅投資作為晶旭半導體的獨家戰(zhàn)略投資人，對晶旭半導體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力其實現年產75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片的落成達產。 公開資料顯示，福...  [詳內文]