相關資訊：氧化鎵

鎵仁半導體實現(xiàn)6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 氧化鎵
近日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術上取得重大突破，成功實現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長。 此次鎵仁半導體 的6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片表現(xiàn)優(yōu)異。外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)第四代半導體氧化鎵技術取得重大進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 16 日 14:19 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 氧化鎵
氧化鎵作為極具潛力的第四代半導體材料，能承受超高電壓、成本低，在電動汽車、軌道交通、5G/6G基站、智能電網(wǎng)、航空航天等系統(tǒng)中應用廣泛，被譽為下一代高功率電子器件的“明星材料”。不過，作為新興材料，氧化鎵應用仍有諸多技術瓶頸待克服。 近期，國內(nèi)氧化鎵領域頻頻傳出重大進展。 富加鎵...  [詳內(nèi)文]

國際領先，國內(nèi)8英寸氧化鎵襯底秀最新成績單
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 04 日 14:09 | 分類 氧化鎵
9月3日，“鎵仁半導體”官微透露，杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”) 8英寸氧化鎵襯底今年7月通過了國內(nèi)/國外知名機構的檢測，并聯(lián)合發(fā)布檢測結果。 深圳平湖實驗室檢測結果顯示，本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點共計5個，XRD搖擺曲線半高寬測試結果：22~26 a...  [詳內(nèi)文]

16.8億元氧化鎵項目迎新進展：預計8月入駐機電設備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 25 日 15:06 | 分類 氧化鎵
近日，據(jù)上杭融媒公眾號消息，福建晶旭半導體科技有限公司二期項目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目迎來新進展。 目前最新進展是該項目整個主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發(fā)樓、宿舍正在進行內(nèi)部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動力中心正在內(nèi)部調(diào)試，預計8月可進行機...  [詳內(nèi)文]

封頂/投產(chǎn)，國內(nèi)兩個化合物半導體項目新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC
從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)?；瘧茫衔锇雽w正加速重構半導體產(chǎn)業(yè)的競爭格局，為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機驅動等領域注入新動能。隨著市場對高性能、高能效半導體器件需求的激增，國內(nèi)化合物半導體項目層出不窮。近期，兩個相關項目傳出新進展，...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵領域強強合作，國內(nèi)廠商發(fā)力！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 19 日 15:28 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
5月16日，中國氧化鎵襯底領域領先企業(yè)鎵仁半導體與德國氧化鎵外延頭部企業(yè) NextGO.Epi 簽署全球戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將依托技術優(yōu)勢協(xié)同攻關，聚焦超寬禁帶半導體材料氧化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，此次強強聯(lián)合將共同推動氧化鎵在新能源、電力電子等領域的應用突破，為全球半導體產(chǎn)業(yè)注入新動能...  [詳內(nèi)文]

亞洲氧化鎵技術迎新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 14 日 13:44 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導體材料禁帶寬度的拓寬始終驅動著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢，掀起一場新的半導體革命。 氧化鎵熔點高達1900℃，不溶于水...  [詳內(nèi)文]

全球首發(fā)！杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 15:05 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布，發(fā)布全球首顆第四代半導體氧化鎵8英寸單晶。鎵仁半導體采用完全自主創(chuàng)新的鑄造法成功實現(xiàn)8英寸氧化鎵單晶生長，并可加工出相應尺寸的晶圓襯底。據(jù)悉，這一成果，標志著鎵仁半導體成為國際上首家掌握8英寸氧化鎵單晶生長技術的企業(yè)...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵（Ga?O?）：新興材料的無限潛力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 01 月 31 日 17:59 | 分類 功率
隨著半導體技術的飛速發(fā)展，寬禁帶半導體材料逐漸成為未來技術的關鍵，而氧化鎵（Ga?O?）正是其中的佼佼者。憑借其優(yōu)異的特性，氧化鎵正在改變功率電子器件和光電探測領域的格局。 氧化鎵的定義氧化鎵（Gallium Oxide，Ga?O?）是一種化學式為 Ga?O? 的無機化合物，是鎵...  [詳內(nèi)文]