相關(guān)資訊：氧化鎵

亞洲氧化鎵技術(shù)迎新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 04 月 14 日 13:44 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導(dǎo)體材料禁帶寬度的拓寬始終驅(qū)動著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢，掀起一場新的半導(dǎo)體革命。 氧化鎵熔點高達1900℃，不溶于水...  [詳內(nèi)文]

全球首發(fā)！杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 15:05 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè)
3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布，發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。鎵仁半導(dǎo)體采用完全自主創(chuàng)新的鑄造法成功實現(xiàn)8英寸氧化鎵單晶生長，并可加工出相應(yīng)尺寸的晶圓襯底。據(jù)悉，這一成果，標志著鎵仁半導(dǎo)體成為國際上首家掌握8英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)的企業(yè)...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵（Ga?O?）：新興材料的無限潛力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 01 月 31 日 17:59 | 分類 功率
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為未來技術(shù)的關(guān)鍵，而氧化鎵（Ga?O?）正是其中的佼佼者。憑借其優(yōu)異的特性，氧化鎵正在改變功率電子器件和光電探測領(lǐng)域的格局。 氧化鎵的定義氧化鎵（Gallium Oxide，Ga?O?）是一種化學(xué)式為 Ga?O? 的無機化合物，是鎵...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體生長出直拉法2英寸N型氧化鎵單晶
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 29 日 16:38 | 分類 企業(yè) , 功率
氧化鎵作為一種新興的半導(dǎo)體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體的潛在競爭者。目前，國內(nèi)外相關(guān)企業(yè)正在加速推進氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近日，又有一家國內(nèi)企業(yè)披露其在氧化鎵領(lǐng)域取得新進展。 source：鎵仁半導(dǎo)體 11月29日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，今年10月...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵二期工廠正式啟用
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
11月15日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵二期工廠近日正式啟用。新工廠在晶體生長、晶圓加工和外延生長等關(guān)鍵環(huán)節(jié)引入了先進的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備，預(yù)計將顯著提升產(chǎn)能，以滿足全球市場對氧化鎵晶圓襯底和外延片的增長需求。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹，在二期工廠中，鎵仁半導(dǎo)體自主...  [詳內(nèi)文]

加速氧化鎵產(chǎn)業(yè)化，國內(nèi)2家企業(yè)發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 31 日 17:11 | 分類 企業(yè)
氧化鎵作為一種新興的半導(dǎo)體材料，受益于其優(yōu)良的物理特性，成為了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體的潛在競爭者。目前，國內(nèi)外企業(yè)正在加速推進氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近期，鎵仁半導(dǎo)體和富加鎵業(yè)分別在氧化鎵材料和功率器件領(lǐng)域有了新突破。 鎵仁半導(dǎo)體采用鑄造法生長6英寸氧化鎵單晶 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息...  [詳內(nèi)文]

日本FOX公司計劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓
作者 |發(fā)布日期 2024 年 10 月 21 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè)
10月18日，據(jù)外媒消息，日本東北大學(xué)近日宣布成立FOX公司，該公司以低成本大規(guī)模生產(chǎn)β-氧化鎵（β-Ga2O3）晶片為目標。FOX采用了無貴金屬單晶生長技術(shù)，旨在以比碳化硅更低的成本生產(chǎn)出低缺陷程度與硅相當?shù)摩?氧化鎵襯底。 source：東北大學(xué) 據(jù)悉，與碳化硅和氮化鎵相比...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專用長晶設(shè)備
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 23 日 16:33 | 分類 企業(yè)
9月20日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）發(fā)布了公司首臺氧化鎵專用晶體生長設(shè)備。該設(shè)備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創(chuàng)新技術(shù)，是鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術(shù)閉環(huán)的新里程碑。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹，鎵仁半導(dǎo)體此次推出的氧化鎵專...  [詳內(nèi)文]

晶旭半導(dǎo)體氧化鎵高頻濾波芯片生產(chǎn)線項目主體封頂
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月17日，據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：晶旭半導(dǎo)體）二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目于2023年12月開工建設(shè)。目前，項目主體已經(jīng)全部封頂，預(yù)計年底之前具備設(shè)備模擬的條件。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目總投資16.8...  [詳內(nèi)文]

第四代半導(dǎo)體氧化鎵蓄勢待發(fā)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 26 日 14:21 | 分類 功率
新能源汽車大勢之下，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)生水起。與此同時，第四代半導(dǎo)體也在蓄勢待發(fā)，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優(yōu)勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導(dǎo)體材料。 鴻海入局氧化鎵 近期媒體報道，鴻海研究院半導(dǎo)體所與陽明交大電子所合作，雙方研究團隊在第四代...  [詳內(nèi)文]