相關資訊：氧化鎵

國內首個6英寸氧化鎵襯底產業(yè)化公司誕生
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 21 日 11:21 | 分類 企業(yè)
3月20日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）宣布，公司聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片...  [詳內文]

國內氧化鎵公司晶旭半導體獲億元投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 04 日 18:10 | 分類 企業(yè)
2月3日， 睿悅投資官微發(fā)文稱，睿悅投資與福建晶旭半導體科技有限公司（下文簡稱“晶旭半導體”）簽署戰(zhàn)略投資協(xié)議。 據(jù)悉，此次睿悅投資作為晶旭半導體的獨家戰(zhàn)略投資人，對晶旭半導體戰(zhàn)略投資億元人民幣，助力其實現(xiàn)年產75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片的落成達產。 公開資料顯示，福...  [詳內文]

第四代半導體材料龍頭NCT又有新突破
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 26 日 17:41 | 分類 企業(yè)
近日，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶。 據(jù)了解，NCT成立于2015年6月， 是一家專注研發(fā)和生產新一代半導體技術的公司。其由Tamura Corporation和AGC等合資...  [詳內文]

鎵和半導體推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底、首發(fā)4英寸(100)面單晶襯底參數(shù)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 26 日 17:30 | 分類 企業(yè)
在近日召開的“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關材料與器件研討會”上，北京鎵和半導體有限公司（下文簡稱“鎵和半導體”）推出多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首發(fā)4英寸(100)面單晶襯底參數(shù)。 在鎵和半導體展臺上，現(xiàn)場全面陳列出氧化鎵系列的2英寸（100）（001）（-201）三種晶面單晶襯底，U...  [詳內文]

氧化鎵商業(yè)化腳步漸近！TrendForce發(fā)布2024年科技12大趨勢
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 18 日 13:48 | 分類 數(shù)據(jù)
全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢針對2024年科技產業(yè)發(fā)展，整理科技產業(yè)重點趨勢，化合物半導體以及其他內容請見下方： 其中與化合物半導體相關的內容為下面這一項： 1、材料與元件技術并進，氧化鎵商業(yè)化腳步漸近 隨著高壓、高溫、高頻等應用場景的增加，氧化鎵（Ga?O?）...  [詳內文]

突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 18 日 17:27 | 分類 功率
近日，杭州鎵仁半導體有限公司聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心（簡稱科創(chuàng)中心）先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室使用鑄造法成功制備了高質量4英寸氧化鎵單晶，并完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破。 鑄造法是科創(chuàng)中心首席科學家楊德仁院士團隊自主研發(fā)的、適用于氧化鎵單晶生長的...  [詳內文]

氧化鎵產業(yè)“漸入佳境”！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 15 日 9:34 | 分類 企業(yè)
三菱電機公司今天宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發(fā)和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個很有前途的候選者。三菱電機打算加快開發(fā)優(yōu)質節(jié)能功率半導體，以支持全球脫碳。 Novel Crystal Technology 目前是世...  [詳內文]

又一氧化鎵企業(yè)獲融資！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 08 月 01 日 17:15 | 分類 氮化鎵GaN
近日，北京鎵和半導體有限公司（以下簡稱“鎵和半導體”）正式宣布完成六千五百萬元A輪融資，由凱石資本領投，海通證券、正為資本、盈添投資跟投。 鎵和半導體成立于2021年，是一家超寬禁帶半導體材料氧化鎵襯底及外延制造商，主營氧化鎵單晶襯底及外延晶片、單晶及外延生長設備、高靈敏日盲紫外...  [詳內文]

氧化鎵產業(yè)“漸入佳境”！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 07 月 31 日 17:15 | 分類 碳化硅SiC
三菱電機公司今天宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發(fā)和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個很有前途的候選者。三菱電機打算加快開發(fā)優(yōu)質節(jié)能功率半導體，以支持全球脫碳。 Novel Crystal Technology 目前是世...  [詳內文]

氧化鎵商業(yè)化，邁出重要一步
作者 |發(fā)布日期 2023 年 04 月 17 日 17:40 | 分類 氮化鎵GaN
日本新能源產業(yè)技術綜合開發(fā)機構（NEDO）4月6日宣布，作為NEDO推動的“戰(zhàn)略節(jié)能技術創(chuàng)新計劃”的一部分，Novel Crystal Technology正在致力于β-Ga2O3肖特基勢壘二極管的商業(yè)化開發(fā)。宣布已成功確認氧化鎵 (β-Ga2O3) 肖特基勢壘二極管 (SBD)...  [詳內文]