深圳平湖實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合國內(nèi)科研團(tuán)隊(duì)完成一款萬伏級(jí)超低導(dǎo)通電阻氧化鎵光導(dǎo)開關(guān)的研制與驗(yàn)證工作。該器件基于杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下稱“鎵仁半導(dǎo)體”）自主研發(fā)的高質(zhì)量氧化鎵半絕緣襯底材料，擊穿電壓超過10000V，動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻低于10歐姆，響應(yīng)時(shí)間小于1納秒。
據(jù)深圳平湖實(shí)驗(yàn)室介紹，該器件在耐壓能力、導(dǎo)通損耗和響應(yīng)速度等關(guān)鍵指標(biāo)上均達(dá)到國際先進(jìn)水平。其擊穿電壓突破“萬伏”門檻，標(biāo)志著我國成為全球首個(gè)進(jìn)入氧化鎵萬伏級(jí)器件實(shí)用化階段的國家。該成果可用于高壓直流輸電智能控制、大功率脈沖源、先進(jìn)加速器及國防高技術(shù)裝備等領(lǐng)域，有望緩解高壓、超快、低阻器件長(zhǎng)期面臨的“卡脖子”問題。
圖片來源：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室?
器件性能的突破與其襯底材料密切相關(guān)。鎵仁半導(dǎo)體提供的氧化鎵半絕緣襯底，具備高結(jié)晶質(zhì)量、良好厚度均勻性和穩(wěn)定的電學(xué)特性。該公司目前已具備8英寸氧化鎵襯底的規(guī)模化制備能力，其襯底產(chǎn)品的平整度、位錯(cuò)密度及電學(xué)參數(shù)均處于行業(yè)前列。據(jù)稱，該襯底是目前國際上少數(shù)能夠支撐萬伏級(jí)器件工程化驗(yàn)證的氧化鎵材料之一。
在氧化鎵外延方面，鎵仁半導(dǎo)體于2026年3月實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)8英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長(zhǎng)。公司還針對(duì)科研場(chǎng)景開發(fā)了“SCIENCE系列”科研級(jí)VB法長(zhǎng)晶設(shè)備，采用自主研發(fā)的全自動(dòng)化復(fù)合測(cè)溫與控溫技術(shù)，控溫精度達(dá)±0.1℃，并配備可視化操作界面及智能數(shù)據(jù)記錄功能，可減少人工操作誤差。
目前，鎵仁半導(dǎo)體已實(shí)現(xiàn)8英寸氧化鎵同質(zhì)外延片的穩(wěn)定供給，產(chǎn)品覆蓋光導(dǎo)開關(guān)、MOSFET、二極管、探測(cè)器等器件需求。公司表示，愿與高校、科研院所及器件企業(yè)開展合作，推動(dòng)氧化鎵從實(shí)驗(yàn)室研究向產(chǎn)業(yè)化過渡。深圳平湖實(shí)驗(yàn)室成功研制萬伏級(jí)氧化鎵光導(dǎo)開關(guān)
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合國內(nèi)科研團(tuán)隊(duì)完成一款萬伏級(jí)超低導(dǎo)通電阻氧化鎵光導(dǎo)開關(guān)的研制與驗(yàn)證工作。該器件基于杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下稱“鎵仁半導(dǎo)體”）自主研發(fā)的高質(zhì)量氧化鎵半絕緣襯底材料，擊穿電壓超過10000V，動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻低于10歐姆，響應(yīng)時(shí)間小于1納秒。
據(jù)深圳平湖實(shí)驗(yàn)室介紹，該器件在耐壓能力、導(dǎo)通損耗和響應(yīng)速度等關(guān)鍵指標(biāo)上均達(dá)到國際先進(jìn)水平。其擊穿電壓突破“萬伏”門檻，標(biāo)志著我國成為全球首個(gè)進(jìn)入氧化鎵萬伏級(jí)器件實(shí)用化階段的國家。該成果可用于高壓直流輸電智能控制、大功率脈沖源、先進(jìn)加速器及國防高技術(shù)裝備等領(lǐng)域，有望緩解高壓、超快、低阻器件長(zhǎng)期面臨的“卡脖子”問題。
器件性能的突破與其襯底材料密切相關(guān)。鎵仁半導(dǎo)體提供的氧化鎵半絕緣襯底，具備高結(jié)晶質(zhì)量、良好厚度均勻性和穩(wěn)定的電學(xué)特性。該公司目前已具備8英寸氧化鎵襯底的規(guī)?；苽淠芰?，其襯底產(chǎn)品的平整度、位錯(cuò)密度及電學(xué)參數(shù)均處于行業(yè)前列。據(jù)稱，該襯底是目前國際上少數(shù)能夠支撐萬伏級(jí)器件工程化驗(yàn)證的氧化鎵材料之一。
在氧化鎵外延方面，鎵仁半導(dǎo)體于2026年3月實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)8英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長(zhǎng)。公司還針對(duì)科研場(chǎng)景開發(fā)了“SCIENCE系列”科研級(jí)VB法長(zhǎng)晶設(shè)備，采用自主研發(fā)的全自動(dòng)化復(fù)合測(cè)溫與控溫技術(shù)，控溫精度達(dá)±0.1℃，并配備可視化操作界面及智能數(shù)據(jù)記錄功能，可減少人工操作誤差。
目前，鎵仁半導(dǎo)體已實(shí)現(xiàn)8英寸氧化鎵同質(zhì)外延片的穩(wěn)定供給，產(chǎn)品覆蓋光導(dǎo)開關(guān)、MOSFET、二極管、探測(cè)器等器件需求。公司表示，愿與高校、科研院所及器件企業(yè)開展合作，推動(dòng)氧化鎵從實(shí)驗(yàn)室研究向產(chǎn)業(yè)化過渡。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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