在全球科技競爭日益激烈的當(dāng)下，第三代半導(dǎo)體憑借其卓越的性能，成為推動電子信息產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域多個項目取得重要進(jìn)展，為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。
01奧通碳素半導(dǎo)體級等靜壓石墨項目：設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行
6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號消息，奧通碳素（內(nèi)江）科技有限公司的半導(dǎo)體級等靜壓石墨項目目前已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試收官與試生產(chǎn)并行階段。該項目位于成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟(jì)圈的東興經(jīng)開區(qū)，是東興區(qū)布局產(chǎn)業(yè)鏈高端環(huán)節(jié)的關(guān)鍵項目。其瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片、光伏新能源、高端模具制造等 “卡脖子” 領(lǐng)域，所生產(chǎn)的高端等靜壓石墨主要應(yīng)用于碳化硅半導(dǎo)體制造行業(yè)、高端電火花加工行業(yè)以及3C產(chǎn)品模具行業(yè)，同時兼顧光伏產(chǎn)業(yè)。
項目分三期建設(shè)，一期工程總投資1.5億元，新建了年產(chǎn)2000噸石墨粉、配料、混捏生產(chǎn)線，目前大型設(shè)備已全部安裝完畢，調(diào)試工作進(jìn)入最后階段，預(yù)計9月可全面投產(chǎn)。二期工程計劃總投資4億元，將建設(shè)8.7萬平方米廠房，新建年產(chǎn)5000噸半導(dǎo)體級等靜壓石墨全工藝流程生產(chǎn)線，目前前期工作已啟動，計劃于2026年建成投產(chǎn)。
三期工程規(guī)劃投資4.5億元，將建設(shè)11.3萬平方米廠房及配套生產(chǎn)線，將在二期投產(chǎn)當(dāng)年同步啟動。項目整體建成后，可形成年產(chǎn)1萬噸半導(dǎo)體級等靜壓石墨產(chǎn)能，預(yù)計實現(xiàn)年營收15億元，帶動當(dāng)?shù)?00余人就業(yè)。
02全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目：順利封頂
6月8日，全磊光電的化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目也披露最新進(jìn)展，該項目順利封頂。項目位于火炬（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)，由全磊光電股份有限公司投建，計劃采購金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備等主要生產(chǎn)工藝設(shè)備、測試設(shè)備和配套設(shè)備設(shè)施，用于生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體外延片/芯片產(chǎn)品。
圖片來源：天映投資集團(tuán)有限公司
建成投產(chǎn)后，全磊光電將從現(xiàn)有的砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）基外延片產(chǎn)品，逐步拓展至氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品，并應(yīng)用于光通信、智能傳感、微波射頻、功率器件等領(lǐng)域。
項目建設(shè)期為兩年，其中一期建設(shè)內(nèi)容為生產(chǎn)車間、綜合樓以及動力車間等，計劃于2026年1月份投產(chǎn)；二期主要建設(shè)3號樓和4號樓的研發(fā)車間，將于2027年2月份投產(chǎn)，投產(chǎn)后產(chǎn)能是年產(chǎn)40萬片化合物半導(dǎo)體的外延片和芯片。該項目的推進(jìn)將進(jìn)一步完善廈門市化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心環(huán)節(jié)，填補國內(nèi)光通信領(lǐng)域高端產(chǎn)品的空白。
03晶旭半導(dǎo)體超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線：沖刺試產(chǎn)
據(jù)“上杭融媒”6月9日消息，全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線進(jìn)入沖刺試產(chǎn)階段。該項目由福建#晶旭半導(dǎo)體?科技有限公司投資建設(shè)，總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)。目前，項目土建部分以及主體的封頂工程已經(jīng)完成，正在進(jìn)行雨污管網(wǎng)和路面的建設(shè)，內(nèi)部裝修也全面進(jìn)入精裝修工程，動力站機(jī)房的建設(shè)以及廠房的裝修工程預(yù)計在9月份可完成初步試產(chǎn)動作。
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圖片來源：上杭融媒
福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司是一家擁有獨立自主知識產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè)，面向5G通信中高頻聲波濾波器晶圓及芯片材料。其技術(shù)團(tuán)隊從2005年開始研究5G聲波濾波器制備，擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項，特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術(shù)上處于國際領(lǐng)先地位。該生產(chǎn)線建成后，不僅將填補國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白，同時也對上杭縣新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要推動作用 。
隨著這些項目的逐步推進(jìn)和落地，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更快速的發(fā)展，有望在能源、通信、汽車等多個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用，為相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級和創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐 。
（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）
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