8月29日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社宣布，已與深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱：基本半導(dǎo)體）就功率模塊產(chǎn)品正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。
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圖片來源：基本半導(dǎo)體
通過將東芝電子元件擁有的先進(jìn)SiC及IGBT芯片技術(shù)，與基本半導(dǎo)體擁有的高性能、高可靠性模塊技術(shù)相結(jié)合，致力于在全球范圍內(nèi)提供具有競爭力的產(chǎn)品，以滿足車載及工業(yè)領(lǐng)域快速發(fā)展的需求。
資料顯示，東芝電子元件的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品兼具高功率密度與質(zhì)量穩(wěn)定性，通過提升功率轉(zhuǎn)換效率，為減少環(huán)境負(fù)荷做出了貢獻(xiàn)。其中，SiC MOSFET兼具低導(dǎo)通電阻與高可靠性，而IGBT則具有大電流與高可靠性，兩者均擁有豐富的市場應(yīng)用案例。
基本半導(dǎo)體是中國SiC功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)，積極推進(jìn)SiC芯片及功率模塊的技術(shù)研發(fā)，已向市場推出多款符合車規(guī)級和工業(yè)級產(chǎn)品，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲能等領(lǐng)域。通過此次戰(zhàn)略合作，加強(qiáng)雙方的市場競爭力，有助于推出更多創(chuàng)新的解決方案。
稍早之前，東芝電子元件已與天岳先進(jìn)宣布，就天岳先進(jìn)開發(fā)制造的SiC功率半導(dǎo)體用襯底達(dá)成基本協(xié)議。雙方將針對SiC功率半導(dǎo)體特性提升與品質(zhì)改善的技術(shù)協(xié)作，以及運(yùn)用合作成果擴(kuò)大高品質(zhì)穩(wěn)定襯底供應(yīng)的商業(yè)合作。今后雙方將就共同推進(jìn)或相互協(xié)作的具體事項(xiàng)展開詳細(xì)磋商。
天岳先進(jìn)表示，與東芝電子元件達(dá)成合作，天岳先進(jìn)將把SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，以及東芝對SiC襯底核心技術(shù)應(yīng)用的期待，轉(zhuǎn)化為襯底品質(zhì)與可靠性的提升，助力SiC功率半導(dǎo)體市場發(fā)展。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）
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