近日，據(jù)企查查顯示，鎵創(chuàng)未來半導(dǎo)體科技（晉江）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵創(chuàng)未來”）完成千萬(wàn)級(jí)天使輪融資，投資方包括聚卓資本——-晉江人才科創(chuàng)基金、芯豐澤半導(dǎo)體和個(gè)人投資者，所融資金將主要用于提升外延片產(chǎn)能，加速第四代半導(dǎo)體材料的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
圖片來源：企查查
公開資料，鎵創(chuàng)未來是一家專注于第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高科技企業(yè)，成立于2025年，創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)由西安電子科技大學(xué)博士團(tuán)隊(duì)組建而成，核心成員均擁有十年以上氧化鎵/碳化硅材料研究或產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，技術(shù)依托于西安電子科技大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室和寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心。
鎵創(chuàng)未來專注于氧化鎵外延片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品是氧化鎵外延片系列，包括氧化鎵同質(zhì)外延片以及異質(zhì)外延片產(chǎn)品線，涵蓋藍(lán)寶石基、碳化硅基和硅基氧化鎵外延片，可以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
氧化鎵技術(shù)突破提速，產(chǎn)業(yè)多點(diǎn)開花
第四代半導(dǎo)體是繼第一代硅基、第二代化合物半導(dǎo)體、第三代寬禁帶半導(dǎo)體之后，面向極端環(huán)境與超高能效需求的新型半導(dǎo)體材料體系，主要包括氧化鎵（Ga?O?）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等。
當(dāng)前，第四代半導(dǎo)體目前正逐步從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化驗(yàn)證階段，但仍面臨一些挑戰(zhàn)，如材料制備難度大、成本極高、產(chǎn)業(yè)鏈不完善等。不過，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，一些企業(yè)和研究機(jī)構(gòu)在氧化鎵單晶制備等方面已取得了一定的突破。
例如今年3月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（Garen?Semi）發(fā)布了全球首顆8英寸（200mm）氧化鎵單晶，并實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)工藝。鎵仁半導(dǎo)體采用自主研發(fā)的鑄造法，顯著降低了銥金屬的使用量，提升了晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定性和成本效益。該工藝已實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化生產(chǎn)，并通過XRD、載流子濃度、電阻率等指標(biāo)驗(yàn)證了單晶質(zhì)量。
圖片來源：鎵仁半導(dǎo)體 圖為鎵仁半導(dǎo)體8英寸氧化鎵單晶
資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)來自浙江大學(xué)，項(xiàng)目最早源自浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究，隨后在杭州科技園孵化并快速推進(jìn)產(chǎn)業(yè)化。
此外，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司已實(shí)現(xiàn)4英寸VB法氧化鎵襯底的國(guó)際先進(jìn)水平。其采用垂直布里奇曼（VB）法進(jìn)行氧化鎵晶體生長(zhǎng)。該方法通過在垂直方向上形成穩(wěn)定的熱場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)了大尺寸單晶的均勻生長(zhǎng)，克服了傳統(tǒng)EFG法在大晶直徑上易出現(xiàn)的晶格缺陷和厚度不均問題。
資料顯示，#杭州富加鎵業(yè)?成立于2019年，是杭州光學(xué)精密機(jī)械研究所（杭州光機(jī)所）孵化的首家“硬科技”企業(yè)，專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料——氧化鎵的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，核心產(chǎn)品涵蓋氧化鎵單晶襯底、MOCVD與MBE同質(zhì)外延片、以及氧化鎵晶體生長(zhǎng)與加工裝備，廣泛服務(wù)于功率器件、微波射頻和紫外光電探測(cè)等領(lǐng)域。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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