近日，據(jù)企查查顯示，鎵創(chuàng)未來半導體科技（晉江）有限公司（以下簡稱“鎵創(chuàng)未來”）完成千萬級天使輪融資，投資方包括聚卓資本——-晉江人才科創(chuàng)基金、芯豐澤半導體和個人投資者，所融資金將主要用于提升外延片產(chǎn)能，加速第四代半導體材料的產(chǎn)業(yè)化進程。
圖片來源：企查查
公開資料，鎵創(chuàng)未來是一家專注于第四代超寬禁帶半導體材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高科技企業(yè)，成立于2025年，創(chuàng)始團隊由西安電子科技大學博士團隊組建而成，核心成員均擁有十年以上氧化鎵/碳化硅材料研究或產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗，技術依托于西安電子科技大學寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室和寬禁帶半導體國家工程研究中心。
鎵創(chuàng)未來專注于氧化鎵外延片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品是氧化鎵外延片系列，包括氧化鎵同質(zhì)外延片以及異質(zhì)外延片產(chǎn)品線，涵蓋藍寶石基、碳化硅基和硅基氧化鎵外延片，可以滿足不同應用場景的需求。
氧化鎵技術突破提速，產(chǎn)業(yè)多點開花
第四代半導體是繼第一代硅基、第二代化合物半導體、第三代寬禁帶半導體之后，面向極端環(huán)境與超高能效需求的新型半導體材料體系，主要包括氧化鎵（Ga?O?）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等。
當前，第四代半導體目前正逐步從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化驗證階段，但仍面臨一些挑戰(zhàn)，如材料制備難度大、成本極高、產(chǎn)業(yè)鏈不完善等。不過，隨著技術的不斷進步，一些企業(yè)和研究機構在氧化鎵單晶制備等方面已取得了一定的突破。
例如今年3月，杭州鎵仁半導體有限公司（Garen?Semi）發(fā)布了全球首顆8英寸（200mm）氧化鎵單晶，并實現(xiàn)了量產(chǎn)工藝。鎵仁半導體采用自主研發(fā)的鑄造法，顯著降低了銥金屬的使用量，提升了晶體生長的穩(wěn)定性和成本效益。該工藝已實現(xiàn)全自動化生產(chǎn)，并通過XRD、載流子濃度、電阻率等指標驗證了單晶質(zhì)量。
圖片來源：鎵仁半導體 圖為鎵仁半導體8英寸氧化鎵單晶
資料顯示，鎵仁半導體成立于2022年9月，創(chuàng)始團隊來自浙江大學，項目最早源自浙江大學硅材料國家重點實驗室的研究，隨后在杭州科技園孵化并快速推進產(chǎn)業(yè)化。
此外，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司已實現(xiàn)4英寸VB法氧化鎵襯底的國際先進水平。其采用垂直布里奇曼（VB）法進行氧化鎵晶體生長。該方法通過在垂直方向上形成穩(wěn)定的熱場，實現(xiàn)了大尺寸單晶的均勻生長，克服了傳統(tǒng)EFG法在大晶直徑上易出現(xiàn)的晶格缺陷和厚度不均問題。
資料顯示，#杭州富加鎵業(yè)?成立于2019年，是杭州光學精密機械研究所（杭州光機所）孵化的首家“硬科技”企業(yè)，專注于寬禁帶半導體材料——氧化鎵的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，核心產(chǎn)品涵蓋氧化鎵單晶襯底、MOCVD與MBE同質(zhì)外延片、以及氧化鎵晶體生長與加工裝備，廣泛服務于功率器件、微波射頻和紫外光電探測等領域。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。