全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢，成為各國競相布局的關(guān)鍵領(lǐng)域。我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也在加速崛起，近期，揚(yáng)杰科技與南通三責(zé)在第三代半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展。
1、揚(yáng)杰科技斬獲權(quán)威機(jī)構(gòu)芯片國產(chǎn)化認(rèn)證
近期，中國質(zhì)量認(rèn)證中心（CQC）為揚(yáng)杰科技頒發(fā)全國首張芯片（半導(dǎo)體器件）國產(chǎn)化證書，標(biāo)志著揚(yáng)州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)尤其第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在加速布局中走向高端引領(lǐng)。
圖片來源：揚(yáng)杰科技
資料顯示，揚(yáng)杰科技是國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的頭部企業(yè)，主營業(yè)務(wù)覆蓋功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件的全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，包括設(shè)計、制造、封裝測試及終端銷售。其產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能、工業(yè)電源等領(lǐng)域。
今年5月9日，揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目正式開工。該項(xiàng)目計劃總投資10億元，聚焦車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)”芯片設(shè)計—封裝測試—模塊集成”全鏈條布局，標(biāo)志著揚(yáng)州進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時代。
10月28日揚(yáng)杰科技封裝生產(chǎn)線項(xiàng)目正式開工建設(shè)，項(xiàng)目建設(shè)完成后，將進(jìn)一步完善揚(yáng)杰科技“設(shè)計-制造-封裝”IDM全產(chǎn)業(yè)鏈布局，同時將進(jìn)一步增強(qiáng)揚(yáng)州半導(dǎo)體、集成電路產(chǎn)業(yè)鏈韌性和國際國內(nèi)產(chǎn)業(yè)競爭優(yōu)勢。
揚(yáng)杰電子科技股份有限公司公共事務(wù)總經(jīng)理范鋒斌介紹，揚(yáng)杰科技組建了超過1000人的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊，近年來累計投入研發(fā)資金近20億元，建成了國內(nèi)領(lǐng)先的芯片設(shè)計中心和封裝測試產(chǎn)線。未來三年，公司將繼續(xù)加大研發(fā)投入，讓國產(chǎn)芯片服務(wù)更多客戶。
2、南通三責(zé)突破大尺寸碳化硅技術(shù)
近期，江蘇省新材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會正式發(fā)布 2025 年“江蘇省新材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會科學(xué)技術(shù)獎” 評審結(jié)果公示，南通三責(zé)精密陶瓷有限公司憑借 “半導(dǎo)體用大尺寸高純碳化硅陶瓷材料” 項(xiàng)目，斬獲二等獎，該項(xiàng)目主要完成人為閆永杰、唐倩、馬良來、顧進(jìn)、姚玉璽。
圖片來源：江蘇省新材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會
資料顯示，南通三責(zé)為三責(zé)新材集團(tuán)下屬公司，為國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，該公司專注于高性能碳化硅結(jié)構(gòu)陶瓷領(lǐng)域研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和工程應(yīng)用的高新技術(shù)企業(yè)。
自成立以來，始終堅持技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，不斷加大研發(fā)投入，利用先進(jìn)的碳化硅陶瓷燒結(jié)技術(shù)和生產(chǎn)設(shè)備，致力于為精細(xì)化工和制藥、航空航天、石油化工、新能源材料、電子玻璃、微電子和半導(dǎo)體、光學(xué)等各個領(lǐng)域的裝備用戶提供優(yōu)質(zhì)實(shí)用的高性能碳化硅陶瓷解決方案，推動高性能碳化硅陶瓷在節(jié)能環(huán)保和先進(jìn)制造的應(yīng)用。
碳化硅陶瓷憑借高純度、高致密度、高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱系數(shù)及低熱膨脹系數(shù)等優(yōu)異特性，成為光刻機(jī)等集成電路核心裝備精密部件的首選材料，而大尺寸、復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳化硅部件的制備技術(shù)長期被國外少數(shù)企業(yè)壟斷，嚴(yán)重制約我國相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。此次南通三責(zé)的技術(shù)突破，為我國半導(dǎo)體裝備國產(chǎn)化提供了關(guān)鍵材料支撐。
（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）
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