總投資30億元,12英寸硅基晶圓襯底項(xiàng)目正式簽約

作者 | 發(fā)布日期 2026 年 01 月 04 日 15:34 | 分類 碳化硅SiC

近日,總投資30億元的集成電路級(jí)12英寸硅基晶圓襯底材料研發(fā)中心及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目投資簽約活動(dòng)舉行,該項(xiàng)目正式落地麒麟科創(chuàng)園,將為區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供支撐,助力提升我國(guó)關(guān)鍵半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化水平。

據(jù)悉,此次落地項(xiàng)目由江蘇卓航致遠(yuǎn)科技有限公司主導(dǎo)建設(shè),該公司由江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司全資子公司上海卓遠(yuǎn)方德半導(dǎo)體有限公司與江蘇航投未來(lái)科技產(chǎn)業(yè)有限公司股權(quán)合作組建。核心股東江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司為國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)、國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè),在半導(dǎo)體材料及設(shè)備領(lǐng)域擁有技術(shù)積淀,布局覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈多個(gè)環(huán)節(jié)。

江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司長(zhǎng)期布局第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,形成了從單晶制造裝備到晶圓片的產(chǎn)業(yè)鏈布局,重點(diǎn)開(kāi)展碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化工作。公司組建有AI人工智能、無(wú)機(jī)非金屬材料、微電子學(xué)等多學(xué)科研發(fā)團(tuán)隊(duì),自主研發(fā)的12英寸電子級(jí)單晶硅生長(zhǎng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代,市場(chǎng)占有率達(dá)20%,國(guó)產(chǎn)設(shè)備出貨量位居行業(yè)前列,可為第三代半導(dǎo)體材料規(guī)?;a(chǎn)提供設(shè)備支撐。

此次落地的集成電路級(jí)12英寸硅基晶圓襯底材料研發(fā)中心及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,是江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司核心產(chǎn)業(yè)板塊的重要組成部分。

項(xiàng)目聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈核心材料環(huán)節(jié),瞄準(zhǔn)AI算力、航空航天、新能源、汽車電子等領(lǐng)域?qū)π酒男枨螅瑢⒅攸c(diǎn)推進(jìn)12英寸半導(dǎo)體大硅片項(xiàng)目建設(shè),有助于填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端大硅片和MPCVD金剛石產(chǎn)能缺口,提升關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)化率和產(chǎn)業(yè)化率。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,將完善區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條,為南京江寧區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供助力。

麒麟科創(chuàng)園是中國(guó)科學(xué)院創(chuàng)新資源集聚程度較高的科創(chuàng)平臺(tái),聚焦關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域,推進(jìn)創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化與高端產(chǎn)業(yè)集聚。為保障項(xiàng)目推進(jìn),園區(qū)已統(tǒng)籌人事、經(jīng)發(fā)、規(guī)土、建設(shè)、招商等多部門力量,實(shí)行專人負(fù)責(zé)、定期調(diào)度機(jī)制,目前項(xiàng)目地塊文物勘探等前期工作已同步啟動(dòng),電力、燃?xì)獾群诵囊乇U险行驅(qū)印?/p>

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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