近日，全球增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN）功率器件企業(yè)宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布，已與瑞薩電子（Renesas）簽署一項(xiàng)全面的技術(shù)許可及第二來(lái)源（Second Sourcing）合作協(xié)議。
根據(jù)該協(xié)議，瑞薩將獲得EPC經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的低壓eGaN技術(shù)及其成熟供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)的使用權(quán)，旨在通過(guò)全球聯(lián)盟形式加速高性能氮化鎵（GaN）解決方案在各行業(yè)的普及。
此次合作的核心在于技術(shù)的深度整合與供應(yīng)保障。在未來(lái)的一年內(nèi)，兩家公司將緊密協(xié)作，在瑞薩內(nèi)部建立針對(duì)低壓GaN產(chǎn)品的晶圓制造能力。與此同時(shí)，瑞薩將作為EPC幾款熱門量產(chǎn)元件的合格第二供應(yīng)商，這不僅增強(qiáng)了全球客戶的供應(yīng)鏈韌性，也為市場(chǎng)提供了更具保障的供貨選擇。相比傳統(tǒng)硅基材料，GaN電晶體具備更高的轉(zhuǎn)換效率、更快的切換速度及更小的封裝尺寸，正在深刻重塑從消費(fèi)電子到人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換架構(gòu)。
官方新聞稿指出，此次合作是瑞薩電子完善其功率半導(dǎo)體版圖的關(guān)鍵舉措。繼近期完成對(duì)Transphorm的收購(gòu)（主攻650V以上高壓領(lǐng)域）后，引入EPC的低壓eGaN專業(yè)技術(shù)使瑞薩能夠提供涵蓋1V至650V+全譜系的GaN功率組合。瑞薩電子副總裁Rohan Samsi表示，該協(xié)議使瑞薩能夠捕捉高速增長(zhǎng)的電源市場(chǎng)，特別是針對(duì)從48V降至1V的AI電源架構(gòu)、用戶端運(yùn)算及電池供電應(yīng)用。
EPC首席執(zhí)行官Alex Lidow強(qiáng)調(diào)，雙方聯(lián)手構(gòu)建的這一全球聯(lián)盟，將通過(guò)提供最先進(jìn)的能效方案來(lái)顯著降低AI數(shù)據(jù)中心的運(yùn)營(yíng)成本，并強(qiáng)化自主系統(tǒng)的性能表現(xiàn)。面對(duì)硅材料物理極限對(duì)系統(tǒng)微型化的束縛，這一戰(zhàn)略聯(lián)盟被視為推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)步入“氮化鎵革命”新階段的重要里程碑，將為追求高功率密度與低碳足跡的電子設(shè)計(jì)人員提供強(qiáng)大的技術(shù)支撐。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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