深圳平湖實驗室聯(lián)合國內(nèi)科研團隊完成一款萬伏級超低導(dǎo)通電阻氧化鎵光導(dǎo)開關(guān)的研制與驗證工作。該器件基于杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下稱“鎵仁半導(dǎo)體”）自主研發(fā)的高質(zhì)量氧化鎵半絕緣襯底材料，擊穿電壓超過10000V，動態(tài)導(dǎo)通電阻低于10歐姆，響應(yīng)時間小于1納秒。
據(jù)深圳平湖實驗室介紹，該器件在耐壓能力、導(dǎo)通損耗和響應(yīng)速度等關(guān)鍵指標上均達到國際先進水平。其擊穿電壓突破“萬伏”門檻，標志著我國成為全球首個進入氧化鎵萬伏級器件實用化階段的國家。該成果可用于高壓直流輸電智能控制、大功率脈沖源、先進加速器及國防高技術(shù)裝備等領(lǐng)域，有望緩解高壓、超快、低阻器件長期面臨的“卡脖子”問題。
圖片來源：深圳平湖實驗室?
器件性能的突破與其襯底材料密切相關(guān)。鎵仁半導(dǎo)體提供的氧化鎵半絕緣襯底，具備高結(jié)晶質(zhì)量、良好厚度均勻性和穩(wěn)定的電學(xué)特性。該公司目前已具備8英寸氧化鎵襯底的規(guī)?；苽淠芰?，其襯底產(chǎn)品的平整度、位錯密度及電學(xué)參數(shù)均處于行業(yè)前列。據(jù)稱，該襯底是目前國際上少數(shù)能夠支撐萬伏級器件工程化驗證的氧化鎵材料之一。
在氧化鎵外延方面，鎵仁半導(dǎo)體于2026年3月實現(xiàn)了全球首個8英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長。公司還針對科研場景開發(fā)了“SCIENCE系列”科研級VB法長晶設(shè)備，采用自主研發(fā)的全自動化復(fù)合測溫與控溫技術(shù)，控溫精度達±0.1℃，并配備可視化操作界面及智能數(shù)據(jù)記錄功能，可減少人工操作誤差。
目前，鎵仁半導(dǎo)體已實現(xiàn)8英寸氧化鎵同質(zhì)外延片的穩(wěn)定供給，產(chǎn)品覆蓋光導(dǎo)開關(guān)、MOSFET、二極管、探測器等器件需求。公司表示，愿與高校、科研院所及器件企業(yè)開展合作，推動氧化鎵從實驗室研究向產(chǎn)業(yè)化過渡。深圳平湖實驗室成功研制萬伏級氧化鎵光導(dǎo)開關(guān)
深圳平湖實驗室聯(lián)合國內(nèi)科研團隊完成一款萬伏級超低導(dǎo)通電阻氧化鎵光導(dǎo)開關(guān)的研制與驗證工作。該器件基于杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下稱“鎵仁半導(dǎo)體”）自主研發(fā)的高質(zhì)量氧化鎵半絕緣襯底材料，擊穿電壓超過10000V，動態(tài)導(dǎo)通電阻低于10歐姆，響應(yīng)時間小于1納秒。
據(jù)深圳平湖實驗室介紹，該器件在耐壓能力、導(dǎo)通損耗和響應(yīng)速度等關(guān)鍵指標上均達到國際先進水平。其擊穿電壓突破“萬伏”門檻，標志著我國成為全球首個進入氧化鎵萬伏級器件實用化階段的國家。該成果可用于高壓直流輸電智能控制、大功率脈沖源、先進加速器及國防高技術(shù)裝備等領(lǐng)域，有望緩解高壓、超快、低阻器件長期面臨的“卡脖子”問題。
器件性能的突破與其襯底材料密切相關(guān)。鎵仁半導(dǎo)體提供的氧化鎵半絕緣襯底，具備高結(jié)晶質(zhì)量、良好厚度均勻性和穩(wěn)定的電學(xué)特性。該公司目前已具備8英寸氧化鎵襯底的規(guī)?；苽淠芰Γ湟r底產(chǎn)品的平整度、位錯密度及電學(xué)參數(shù)均處于行業(yè)前列。據(jù)稱，該襯底是目前國際上少數(shù)能夠支撐萬伏級器件工程化驗證的氧化鎵材料之一。
在氧化鎵外延方面，鎵仁半導(dǎo)體于2026年3月實現(xiàn)了全球首個8英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長。公司還針對科研場景開發(fā)了“SCIENCE系列”科研級VB法長晶設(shè)備，采用自主研發(fā)的全自動化復(fù)合測溫與控溫技術(shù)，控溫精度達±0.1℃，并配備可視化操作界面及智能數(shù)據(jù)記錄功能，可減少人工操作誤差。
目前，鎵仁半導(dǎo)體已實現(xiàn)8英寸氧化鎵同質(zhì)外延片的穩(wěn)定供給，產(chǎn)品覆蓋光導(dǎo)開關(guān)、MOSFET、二極管、探測器等器件需求。公司表示，愿與高校、科研院所及器件企業(yè)開展合作，推動氧化鎵從實驗室研究向產(chǎn)業(yè)化過渡。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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