11月8日，據(jù)國(guó)星光電官微消息，國(guó)星光電子公司風(fēng)華芯電近日開(kāi)發(fā)出基于扇出面板級(jí)封裝的D-mode氮化鎵半橋模塊。據(jù)介紹，該模塊相對(duì)于傳統(tǒng)鍵合線框架封裝，模塊體積減少超67％，電路板布板面積降低30%。
source：國(guó)星光電
該模塊采用風(fēng)華芯電自主研發(fā)的扇出面板級(jí)封裝形式，其通過(guò)銅球鍵合工藝實(shí)現(xiàn)氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）和硅（Si MOS）芯片的凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，借助再布線層（RDL）的鍍銅工藝實(shí)現(xiàn)互連，達(dá)到4個(gè)功率管有效互連效果，并形成半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)的高密度集成，減少產(chǎn)品體積，提升性能。
為了驗(yàn)證模塊的性能，風(fēng)華芯電將基于扇出面板級(jí)封裝的氮化鎵半橋模塊應(yīng)用于100W開(kāi)關(guān)電源中，該開(kāi)關(guān)電源整體尺寸為60×50×27mm，體積有效減少，且電源峰值效率可達(dá)到95%。此外，該模塊與常規(guī)分立封裝產(chǎn)品對(duì)比，開(kāi)通速度提升17.59%，開(kāi)通損耗下降10.7%。
據(jù)悉，半導(dǎo)體封裝技術(shù)可分為基板型封裝和晶圓級(jí)封裝，基板型封裝里面產(chǎn)品有IC、MOS、功率器件等封裝類型，國(guó)星光電子公司風(fēng)華芯電業(yè)務(wù)涉及基板型封裝的功率器件，已具備第三代半導(dǎo)體功率器件的封裝量產(chǎn)能力。
在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，國(guó)星光電已完成氮化鎵基功率器件外延片的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)；正在發(fā)力第三代半導(dǎo)體封測(cè)技術(shù)，推出了低雜感碳化硅封裝系列產(chǎn)品、集成化GaN-IC產(chǎn)品，其中SiC-SBD產(chǎn)品已獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證，碳化硅器件T0-247—2L通過(guò)了工藝驗(yàn)證，具備量產(chǎn)能力。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元（約19.45億人民幣），至2030年有望上升至43.76億美元（約314.13億人民幣），CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。（來(lái)源：國(guó)星光電，集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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