隨著人工智能逐步進(jìn)入由智能體（Agents）、物理AI及工業(yè)級部署驅(qū)動的新階段，全球算力需求呈爆發(fā)式增長。在近日于美國加州圣何塞舉行的NVIDIA GTC 2026大會上，英偉達(dá)創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛預(yù)言，未來將形成萬億級算力基礎(chǔ)設(shè)施市場。在這一進(jìn)程中，如何提升數(shù)據(jù)中心能效、優(yōu)化電力架構(gòu)成為產(chǎn)業(yè)攻克的關(guān)鍵。
圖片來源：英諾賽科
作為本屆大會的焦點之一，中國功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（Innoscience）憑借在氮化鎵（GaN）領(lǐng)域的深厚積淀，成功斬獲“NVIDIA GTC MGX生態(tài)合作伙伴獎”。值得注意的是，英諾賽科是本屆大會中唯一獲獎的中國芯片企業(yè)。
圖片來源：英諾賽科
本屆GTC大會以“AI工業(yè)化與規(guī)?；瘧?yīng)用”為核心，重點聚焦AI Factory建設(shè)與數(shù)據(jù)中心能效升級。隨著GPU功耗的攀升，傳統(tǒng)電力架構(gòu)已難以滿足高密度計算的需求。大會現(xiàn)場，800V HVDC（高壓直流）數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)成為多方關(guān)注的技術(shù)高地。
在該架構(gòu)生態(tài)中，英諾賽科展示了其尖端的電源解決方案。其核心產(chǎn)品——800V-to-50V全氮化鎵電源模塊方案，精準(zhǔn)切入了AI服務(wù)器電源系統(tǒng)的關(guān)鍵前級轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)。該模塊集成了英諾賽科最新的第三代氮化鎵器件（包含8顆650V GaN和32顆100V GaN），能夠?qū)?00V高壓直流母線電壓直接轉(zhuǎn)換為50V服務(wù)器標(biāo)準(zhǔn)電壓，為后端GPU提供穩(wěn)定且高效的動力支撐。
圖片來源：英諾賽科
此外，在NVIDIA本次展示的800V HVDC AI數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)生態(tài)中，超過半數(shù)的NVIDIA合作伙伴電源系統(tǒng)方案均采用了英諾賽科的氮化鎵功率器件，這意味著英諾賽科GaN技術(shù)已成為AI高壓直流供電架構(gòu)的主流選擇和關(guān)鍵核心器件之一。
相較于傳統(tǒng)硅基功率器件，英諾賽科的氮化鎵技術(shù)具備高密度集成、極致能效表現(xiàn)和顯著降低系統(tǒng)成本三大優(yōu)勢，能更好適配AI服務(wù)器小型化趨勢，降低數(shù)據(jù)中心能耗與運維成本。
作為目前全球產(chǎn)能規(guī)模較大的氮化鎵供應(yīng)商，英諾賽科通過與英偉達(dá)MGX生態(tài)的合作，完成了從基礎(chǔ)器件供應(yīng)商向定制化解決方案提供商的角色演進(jìn)。
目前，該公司已推出800V–50V、800V-12V、800V-6V等多種規(guī)格的電源模塊，旨在覆蓋不同代際AI硬件的電壓需求。雖然在高性能模擬芯片領(lǐng)域，全球市場仍由歐美傳統(tǒng)巨頭主導(dǎo)，但在GaN這一新興細(xì)分賽道，中國企業(yè)正通過產(chǎn)能布局與800V先進(jìn)制程的快速迭代，在AI算力供應(yīng)鏈中占據(jù)一席之地。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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