碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料,憑借其耐高壓、高頻、高溫等特性,正成為新能源汽車、光伏儲能和5G通信等領(lǐng)域的技術(shù)變革引擎。
近期,基本半導(dǎo)體、英飛凌相繼宣布獲得碳化硅新突破:基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品矩陣,覆蓋車規(guī)級、工業(yè)級多場景需求;英飛凌則將基于溝...  [詳內(nèi)文]
英飛凌、基本半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅技術(shù)新進(jìn)展 |
作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 05 月 07 日 14:26
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關(guān)鍵字:
SiC碳化硅
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