文章分類： 企業(yè)

國產紅外探測器廠商中科愛畢賽思完成數(shù)億元融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 27 日 17:35 |
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12月25日，紅外探測器廠商中科愛畢賽思（常州）光電科技有限公司（下文簡稱“中科愛畢賽思”）官微發(fā)布消息稱，公司已完成數(shù)億元融資，資金將用于二期產線建設、新一代產品研發(fā)及市場拓展。本次融資由海通證券旗下海通創(chuàng)新資本領投，方廣資本、常金控、元科投資跟投；老股東昇和資本、國海創(chuàng)新資本...  [詳內文]

第四代半導體材料龍頭NCT又有新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 26 日 17:41 |
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近日，日本NCT（novel crystal technology）公司宣布全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出6英寸β型氧化鎵單晶。 據(jù)了解，NCT成立于2015年6月， 是一家專注研發(fā)和生產新一代半導體技術的公司。其由Tamura Corporation和AGC等合資...  [詳內文]

京東方華燦擬5500萬元向北方華創(chuàng)采購Micro LED相關設備

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 26 日 16:46 |
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12月22日，京東方華燦發(fā)布公告稱，公司全資子公司華燦光電（廣東）有限公司（以下簡稱廣東華燦）和華燦光電（浙江）有限公司（以下簡稱浙江華燦）擬使用募集資金向關聯(lián)方北方華創(chuàng)購買生產設備，關聯(lián)交易總額預計不超5,500萬元。 其中，廣東華燦擬使用募投項目中的“Micro LED晶圓制...  [詳內文]

蘇格蘭SiC晶圓廠Clas-SiC開展大動作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:46 |
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12月19日，據(jù)外媒消息，蘇格蘭碳化硅（SiC）晶圓廠Clas-SiC正在尋求2400萬英鎊（折合人民幣約2.18億元）的投資，用來擴大潔凈室空間并購買額外的生產設備，此舉有望將工廠的產能擴大至2.5倍，該筆資金還可以用于后續(xù)的工藝開發(fā)和彈性運營。 據(jù)了解， Clas-SiC是英...  [詳內文]

韓國APROSEMICON公司新建GaN生產基地

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:45 |
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據(jù)外媒消息，近日，韓國APROSEMICON公司（首席執(zhí)行官Jonghyun Lim）將把其光州總部遷至慶北龜尾，并投資600億韓元（折合人民幣約3.3億元）建設以氮化鎵 (GaN) 為基礎的功率半導體生產設施。 為此，該公司于12日與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄。Apros...  [詳內文]

數(shù)千萬！SiC MOSFET廠商至信微電子完成A輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 | | 分類: 企業(yè)
近日，深圳市至信微電子有限公司（以下簡稱至信微電子）宣布完成數(shù)千萬元A輪融資，本輪融資由深智城產投、正景資本、揚子江基金、太和基金共同投資，融資資金將用于加速公司產品研發(fā)、團隊擴建以及市場拓展等。 資料顯示，至信微電子成立于2021年11月，是一家專注于第三代半導體功率器件研發(fā)的...  [詳內文]

南京國盛第一枚GaN on Si外延片正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 |
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12月22日，電科材料下屬國盛公司南京外延材料產業(yè)基地項目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。 據(jù)介紹，GaN on Si材料具有高頻率、低損耗、抗輻射性強等優(yōu)勢，制成的器件還有一定的成本優(yōu)勢，具有較強的競爭力。國盛公司制備的GaN on Si外延片，可以滿足電...  [詳內文]

斥資50億！光谷打造化合物半導體企業(yè)總部園區(qū)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:45 |
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12月20日，武漢東湖高新區(qū)（以下簡稱光谷）宣布投資50億元建設化合物半導體孵化加速及制造基地，選址九峰山實驗室南面，計劃明年開工，后年投用。作為總部園區(qū)，力爭在3年內引育企業(yè)100家。 據(jù)悉，九峰山實驗室是湖北十大實驗室之一，已建成化合物半導體產業(yè)科研及中試平臺。該總部園區(qū)將利...  [詳內文]

晶盛機電實現(xiàn)8英寸襯底批量生產

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:35 |
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12月21日，晶盛機電在回答投資者提問時表示，公司8英寸碳化硅（SiC）襯底片已實現(xiàn)批量生產，量產晶片的核心位錯達到行業(yè)領先水平。 據(jù)悉，晶盛機電自2017年開始SiC晶體生長設備和工藝研發(fā)，經過幾年沉淀，今年已經迎來收獲期。今年2月4日，晶盛機電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設...  [詳內文]