英諾賽科亮相PCIM Asia,集中呈現(xiàn)國內氮化鎵最新成果

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:48 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN

9月24日至26日,PCIM Asia展會(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會)如火如荼召開,全球氮化鎵功率半導體領先企業(yè)英諾賽科(Innoscience)呈現(xiàn)了其最新的InnoGaN產品系列與多行業(yè)應用方案,吸引眾多業(yè)內人士駐足交流。

PCIM Asia作為亞太地區(qū)電力電子與可再生能源管理領域的重要盛會,持續(xù)推動寬禁帶半導體技術的創(chuàng)新與應用。本次展會聚焦碳化硅、氮化鎵、電機驅動和運動控制等熱點領域,英諾賽科作為國內GaN技術的重要推動者,帶來了涵蓋15V至900V電壓范圍的Single GaN、雙向GaN(VGaN?)、雙冷卻LGA封裝以及系統(tǒng)級封裝SolidGaN?等多個產品系列,展現(xiàn)了其在高壓、高功率密度應用方面的技術實力。

本次展會上,#英諾賽科 六大創(chuàng)新方案首次亮相,覆蓋家電、數(shù)據中心、新能源、汽車和機器人等多個關鍵領域,顯示出GaN技術在提升能效與系統(tǒng)集成度方面的廣泛適用性:

家電領域:推出300W高壓電機解決方案,助力家電能效升級;

數(shù)據中心:展示12kW 800-48V DCDC轉換器及8kW 54-12V 16相Buck轉換器,提升服務器電源效率;

新能源應用:700W微逆方案適用于光伏儲能場景;

汽車電子:6.6kW單級車載充電器(OBC)具備高功率密度,支持電動車快速充電;

機器人:3kW電機驅動與關節(jié)模塊,增強機器人動力響應與緊湊化設計。

值得一提的是,6.6kW單級OBC系統(tǒng)峰值效率達97%,體積小巧(224×186×48mm),功率密度為54W/inch3,采用四顆ISG6121BTA與INV650TQ015E芯片,顯示出英諾賽科在整合設計與半導體性能方面的協(xié)同優(yōu)勢。

機器人用3kW電機驅動方案同樣表現(xiàn)突出,支持48–72V寬電壓輸入,最高相電流95A,在無風冷條件下仍保持良好溫控,結構緊湊,適用于高關節(jié)負載應用場景。

與此同時,英諾賽科GaN IC設計產品副總陳敏在氮化鎵專題論壇中發(fā)表題為《創(chuàng)新型氮化鎵InnoGaN為下一代電力電子應用賦能》的演講,從技術演進與行業(yè)趨勢角度,解析GaN器件在高頻、高效電能轉換中的核心價值與發(fā)展前景。

 

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