據(jù)韓媒The Elec報(bào)道，三星的8英寸氮化鎵 (GaN) 生產(chǎn)線現(xiàn)已準(zhǔn)備就緒，可以投入運(yùn)營(yíng)。
三星電子此前于2023年宣布，其功率半導(dǎo)體晶圓廠將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)，但實(shí)際上已經(jīng)落后于計(jì)劃。最新的行業(yè)動(dòng)態(tài)顯示，三星首條8英寸氮化鎵（GaN）生產(chǎn)線預(yù)計(jì)最早將于2026年第二季度投入量產(chǎn)，初期營(yíng)收預(yù)計(jì)低于1000億韓元。
報(bào)道指出，三星已建立起一套全面的氮化鎵解決方案生態(tài)系統(tǒng)，涵蓋除芯片設(shè)計(jì)以外的所有方面，并能夠獨(dú)立生產(chǎn)氮化鎵外延片。
此外，三星計(jì)劃于年內(nèi)啟動(dòng)其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體代工廠生產(chǎn)線。該公司在SiC領(lǐng)域擁有端到端的能力，包括設(shè)計(jì)，使其能夠在不同的電壓范圍內(nèi)與氮化鎵（GaN）技術(shù)形成互補(bǔ)。
此前的報(bào)道還透露，三星已投資約1000億至2000億韓元用于先進(jìn)工藝設(shè)備，包括來(lái)自Aixtron的MOCVD系統(tǒng)，以支持SiC和GaN晶圓的加工。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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