近日，無錫利普思半導(dǎo)體有限公司揚州生產(chǎn)基地開工儀式在揚州市江都區(qū)隆重舉行，正式宣告該聚焦車規(guī)級第三代功率半導(dǎo)體的重點項目啟動建設(shè)。
此次開工的揚州利普思第三代車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊項目，一期規(guī)劃總投資1.8億元，占地32畝，總建筑面積約3.1萬平方米，將建設(shè)辦公大樓、研發(fā)及測試中心、可靠性實驗室及封裝測試工廠，打造全流程功能模塊。
項目規(guī)劃總產(chǎn)能達(dá)年產(chǎn)300萬只IGBT/SiC模塊，其中一期新建2條車規(guī)級SiC模塊封裝測試產(chǎn)線，預(yù)計2026年底竣工，2027年3月正式投產(chǎn)，屆時可實現(xiàn)年產(chǎn)150萬只車規(guī)級SiC模塊。
為保障生產(chǎn)效率與品質(zhì)，項目將引進(jìn)100余臺套進(jìn)口及國產(chǎn)先進(jìn)設(shè)備，涵蓋全自動銀燒結(jié)機(jī)、真空焊接機(jī)等，并導(dǎo)入MES追溯系統(tǒng)，實現(xiàn)產(chǎn)品全生命周期自動化、數(shù)字化管理。此前，利普思已于3月中旬完成億元PreB+輪融資，資金主要用于該基地建設(shè)及市場拓展。
利普思成立于2019年，專注SiC功率半導(dǎo)體模塊設(shè)計、生產(chǎn)與銷售，已開發(fā)20個封裝類型、超300個產(chǎn)品型號，送樣客戶逾500家，產(chǎn)品出口至20多個國家，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、電網(wǎng)、儲能等領(lǐng)域。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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