4月9日，英特爾代工服務(wù)宣布實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破，成功研發(fā)出全球最薄氮化鎵（GaN）芯粒，其基底硅片厚度僅19微米，約為人類頭發(fā)絲直徑的1/5。
該芯?；?00毫米（12英寸）標(biāo)準(zhǔn)硅基氮化鎵晶圓制造，采用英特爾自研的隱切減薄工藝實(shí)現(xiàn)超薄片化，在極致輕薄的同時，保障了結(jié)構(gòu)完整性與性能穩(wěn)定性。
更關(guān)鍵的是，團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)氮化鎵功率晶體管與硅基數(shù)字邏輯電路的單片集成，將復(fù)雜計(jì)算功能直接嵌入電源芯粒，無需額外搭配獨(dú)立輔助芯片，大幅簡化系統(tǒng)架構(gòu)并降低組件間能量損耗。
性能測試顯示，這款芯粒中的氮化鎵晶體管可承受78伏耐壓，射頻截止頻率超過300吉赫茲，能滿足高頻通信場景需求；集成的數(shù)字電路庫運(yùn)行穩(wěn)定，反相器開關(guān)速度僅33皮秒，且全晶圓范圍內(nèi)表現(xiàn)一致，具備大規(guī)模量產(chǎn)潛力。經(jīng)四項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)可靠性測試驗(yàn)證，該技術(shù)可應(yīng)對高溫、高壓等實(shí)際應(yīng)用場景，符合商用落地要求。
傳統(tǒng)硅基技術(shù)在高功率、高頻場景下已逐漸逼近物理極限，而氮化鎵作為寬禁帶半導(dǎo)體，具備更高功率密度、更快開關(guān)速度和更低能耗的優(yōu)勢。
英特爾通過300毫米硅基氮化鎵晶圓工藝，可兼容現(xiàn)有半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施，有望顯著降低量產(chǎn)成本，推動技術(shù)普及。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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