4月8日，三菲化合物半導(dǎo)體光芯片制造基地項(xiàng)目簽約落戶江蘇太倉，項(xiàng)目計(jì)劃總投資達(dá)20億元，將聚焦化合物半導(dǎo)體光芯片研發(fā)與制造，填補(bǔ)區(qū)域相關(guān)產(chǎn)業(yè)空白，助力太倉打造半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。
化合物半導(dǎo)體光芯片是光通信、5G通信、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的核心元器件，市場需求持續(xù)攀升，也是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
此次落戶的三菲化合物半導(dǎo)體光芯片制造基地項(xiàng)目，將分兩期推進(jìn)建設(shè)，其中一期項(xiàng)目總投資10億元，預(yù)計(jì)于2026年8月正式開工建設(shè)，2028年實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)運(yùn)營，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值超10億元。
三菲半導(dǎo)體成立于2002年，立足自有光芯片、電芯片、算法的核心技術(shù)能力，專注于模擬光和相干光的光電一體化解決方案。
為進(jìn)一步拓展業(yè)務(wù)、擴(kuò)大產(chǎn)能，三菲決定在太倉市城廂鎮(zhèn)投資建設(shè)三菲化合物半導(dǎo)體光芯片制造基地項(xiàng)目，主要從事InP激光器和光電探測器芯片、GaAs激光器芯片的研發(fā)與制造，打造外延生長、光芯片制造、光電融合一體化產(chǎn)業(yè)鏈。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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