據(jù)中新社香港報(bào)道，香港科技園公司與杰平方半導(dǎo)體(上海)有限公司（以下簡(jiǎn)稱：杰平方）于10月13日在中國(guó)香港簽署合作備忘錄，雙方將在香港科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設(shè)香港首家碳化硅（SiC）8英寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠。
杰平方介紹，8英寸SiC先進(jìn)垂直整合晶圓廠項(xiàng)目總投資約69億港幣（約合人民幣64.5億元），計(jì)劃到2028年年產(chǎn)24萬片SiC晶圓，帶動(dòng)年產(chǎn)值超過110億港元，并創(chuàng)造超過700個(gè)本地和吸引國(guó)際專業(yè)人才來港的就業(yè)崗位。該工廠將成為香港首個(gè)具規(guī)模的半導(dǎo)體晶圓廠，將推動(dòng)香港生產(chǎn)自主研發(fā)的第三代半導(dǎo)體芯片。
杰平方是一家車規(guī)芯片設(shè)計(jì)研發(fā)商，產(chǎn)品覆蓋SiC功率器件及通用模擬、信號(hào)鏈芯片等，面向車身電能轉(zhuǎn)換、通信等領(lǐng)域。
今年7月，杰平方發(fā)布了自主研發(fā)的1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品——JPM120020B，該產(chǎn)品支持耐壓值1200V，導(dǎo)通阻抗為20mΩ，產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)涵蓋熱穩(wěn)定性好、允許導(dǎo)通電流更大、阻抗更低等，適用于光伏逆變、新能源汽車、充電樁、儲(chǔ)能等應(yīng)用。
從產(chǎn)品層面看，杰平方的布局與目前高功率應(yīng)用領(lǐng)域?qū)iC產(chǎn)品性能的需求方向相符。而且，結(jié)合其在車規(guī)芯片領(lǐng)域的其他產(chǎn)品，杰平方在車用SiC領(lǐng)域有一定的協(xié)同優(yōu)勢(shì)。
特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長(zhǎng)孫東指出，目前全世界關(guān)于第三代半導(dǎo)體的研發(fā)都處于初步階段，香港的第三代半導(dǎo)體企業(yè)做起來后，與歐美的差距大概在一兩年左右。如果下一步借助內(nèi)地的龐大市場(chǎng)，香港有可能在未來5至10年躋身世界領(lǐng)先行列。
另值得注意的是，香港特別行政區(qū)政府本月初還宣布，成功引進(jìn)30家創(chuàng)新科技企業(yè)落戶香港，其中8成來自內(nèi)地，包括華為、京東、美團(tuán)、聯(lián)想、阿斯利康等。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Jenny整理）
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