2023年6月，湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展會(huì)上首發(fā)8英寸SiC碳化硅襯底，正式躋身國(guó)內(nèi)8英寸襯底陣列。在此基礎(chǔ)上，湖南三安加快了8英寸襯底的生產(chǎn)和銷售，目前進(jìn)展效果顯著。
圖片來源：湖南三安
三安8英寸SiC襯底已小批量生產(chǎn)及送樣
昨日（10/23）晚間，湖南三安披露，8英寸SiC襯底已完成開發(fā)，并進(jìn)入小批量生產(chǎn)及送樣階段。據(jù)了解，其產(chǎn)品主要采用精準(zhǔn)熱場(chǎng)控制的自主PVT工藝，可實(shí)現(xiàn)更低成本及更低缺陷密度。下一步，湖南三安的重點(diǎn)將放在良率的提升上，現(xiàn)已加快設(shè)備調(diào)試與工藝優(yōu)化，并持續(xù)推進(jìn)湖南與重慶工廠的量產(chǎn)進(jìn)程。
在重慶的投資上，湖南三安正在穩(wěn)步推進(jìn)相關(guān)項(xiàng)目的建設(shè)，其與ST意法半導(dǎo)體合資成立的三安意法半導(dǎo)體（重慶）有限公司承建的8英寸SiC器件廠項(xiàng)目前期相關(guān)審批事項(xiàng)已成功獲批，后續(xù)隨著各項(xiàng)工作有序推進(jìn)，預(yù)計(jì)將于2025年完成階段性建設(shè)并投產(chǎn)，2028年進(jìn)入達(dá)產(chǎn)階段。作為配套，三安未來也將獨(dú)立建造及運(yùn)營(yíng)一個(gè)8英寸SiC襯底廠。
據(jù)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)了解，為推進(jìn)重慶相關(guān)項(xiàng)目的建設(shè)，三安光電已于今年7月成立了重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（注冊(cè)資本18億元），間接持股100%。
國(guó)產(chǎn)8英寸SiC襯底整體發(fā)展速度喜人
SiC襯底是整個(gè)SiC產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)含金量最高的一個(gè)環(huán)節(jié)，從市場(chǎng)格局來看，依舊是國(guó)際廠商領(lǐng)先，國(guó)內(nèi)廠商追趕的局面。但不難發(fā)現(xiàn)，近兩年來，國(guó)內(nèi)廠商在SiC襯底領(lǐng)域快馬加鞭，尤其是大尺寸襯底。
從企業(yè)數(shù)量來看，按照公開信息統(tǒng)計(jì)，已有10家國(guó)內(nèi)廠商成功研發(fā)了SiC襯底。從實(shí)際生產(chǎn)和銷售情況來看，天科合達(dá)、爍科晶體、合盛硅業(yè)已分別進(jìn)入小批量供貨、小批量生產(chǎn)和銷售、以及量產(chǎn)階段，加上如今的湖南三安，國(guó)內(nèi)已有4家廠商取得了實(shí)質(zhì)性的成果。另外，天岳先進(jìn)近期也表示已經(jīng)具備8英寸導(dǎo)電型SiC襯底的量產(chǎn)能力。
從合作來看，英飛凌綁定了天科合達(dá)及天岳先進(jìn)的襯底產(chǎn)能，第二階段的合作都涵蓋了8英寸襯底；而三安光電與ST的合作也側(cè)面反映其對(duì)三安SiC襯底產(chǎn)品性能和質(zhì)量的認(rèn)可······國(guó)內(nèi)8英寸SiC襯底的總體量產(chǎn)潛力和實(shí)力由此可見一斑。
根據(jù)北大相關(guān)研究者的了解，在SiC產(chǎn)業(yè)鏈當(dāng)中，除了一些特別高端的襯底材料以外，國(guó)內(nèi)廠商跟國(guó)際廠商差距最小的環(huán)節(jié)就是SiC襯底，總體來看，國(guó)內(nèi)企業(yè)的襯底技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了相當(dāng)高的水平。由此推測(cè)，隨著國(guó)產(chǎn)技術(shù)的進(jìn)一步突破以及國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)配套的逐步完善，國(guó)內(nèi)廠商也有望進(jìn)一步縮短與國(guó)際廠商在SiC器件領(lǐng)域的差距。
三安車規(guī)級(jí)MOS驗(yàn)證提速
就目前來看，SiC器件廠在產(chǎn)品研發(fā)、驗(yàn)證以及應(yīng)用上也按下了“快進(jìn)鍵”，尤其是在車規(guī)SiC領(lǐng)域，今年以來便傳來了不少關(guān)于產(chǎn)品驗(yàn)證送樣、收獲訂單的消息。同樣以湖南三安為例，其車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品的驗(yàn)證已提速。
據(jù)悉，湖南三安全新推出了650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET。其中，1200V/75mΩ MOSFET主要匹配新能源汽車OBC的需求，而1700V/1000mΩ MOSFET則主要面向光伏逆變器的輔助電源應(yīng)用。據(jù)透露，目前這兩款產(chǎn)品均處于客戶端導(dǎo)入階段，將逐步批量供貨。此外，1200V /16mΩ的車規(guī)級(jí)芯片已在戰(zhàn)略客戶處進(jìn)行模塊驗(yàn)證。
總的來看，在當(dāng)前SiC最大的應(yīng)用市場(chǎng)——新能源汽車領(lǐng)域，湖南三安的SiC產(chǎn)品已經(jīng)取得階段性進(jìn)展，部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。
當(dāng)下，湖南三安已經(jīng)是三安光電的一個(gè)重要收入來源。今年上半年，在SiC市場(chǎng)需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)下，湖南三安實(shí)現(xiàn)營(yíng)收5.82億元，同比增長(zhǎng)178.86%；實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)3.32億元，同比大幅增長(zhǎng)266.99%。而且，湖南三安的SiC業(yè)務(wù)毛利率也有所提高，另加上GaAs射頻和GaN射頻業(yè)務(wù)的推進(jìn)，三安光電集成電路業(yè)務(wù)整體毛利率增長(zhǎng)了7.75%。
而基于對(duì)三安光電發(fā)展前景及長(zhǎng)期穩(wěn)定增長(zhǎng)的信心，三安光電的間接控股股東三安集團(tuán)及其一致行動(dòng)人今年擬兩次增持三安光電的股份。
第一次增持計(jì)劃已于9月實(shí)施完畢，增持金額5,000萬元至1億元。自此，三安集團(tuán)有三安光電的股權(quán)比例上升至5.0081%。第二次增持計(jì)劃剛于昨日公布，本次預(yù)計(jì)增持的金額同樣是5,000萬元至1億元，三安集團(tuán)及其一致行動(dòng)人擬在接下來1個(gè)月內(nèi)通過集中競(jìng)價(jià)交易方式增持三安光電股份。
小結(jié)
從湖南三安8英寸襯底的進(jìn)展速度和成果可見，國(guó)產(chǎn)SiC襯底廠在全球舞臺(tái)的競(jìng)爭(zhēng)力正在逐漸增強(qiáng)；從其車規(guī)級(jí)SiC MOS器件的進(jìn)展也可窺知，國(guó)產(chǎn)SiC器件廠的實(shí)力也正在一步一步獲得全球車企客戶的認(rèn)可，未來皆可期。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）
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