三安光電、揚杰科技等四家企業(yè)披露SiC新動態(tài)

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 05 月 13 日 16:11 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC

近日,揚杰科技、三安光電、華太電子以及中恒微半導(dǎo)體四家企業(yè)分別發(fā)布其在關(guān)鍵技術(shù)和市場拓展方面的重要進展。從前瞻布局人形機器人到深耕新能源汽車和賦能新一代通信技術(shù),國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)正以創(chuàng)新驅(qū)動,加速產(chǎn)業(yè)升級。

01、揚杰科技:布局人形機器人與車規(guī)級SiC模塊雙線并進

揚杰科技于5月12日在互動平臺透露,公司現(xiàn)有部分IGBT、MOSFET、ESD、TVS等產(chǎn)品已可應(yīng)用于人形機器人的小型關(guān)節(jié)電機和步進電機驅(qū)動及感知系統(tǒng)。盡管目前出貨量尚小,但此舉標志著揚杰科技已前瞻性地布局人形機器人這一新興領(lǐng)域。同時,公司也密切關(guān)注外骨骼機器人技術(shù)的發(fā)展與市場動向,計劃根據(jù)實際情況進行相關(guān)戰(zhàn)略調(diào)整。

新能源汽車領(lǐng)域,揚杰科技于5月9日宣布其SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊封裝項目正式開工,總投資高達10億元。該項目專注于車規(guī)級框架式和塑封式IGBT、SiC MOSFET模塊等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品,旨在顯著提升公司在汽車電子功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭力。

source:揚杰科技

值得一提的是,揚杰科技在2025年第一季度的汽車電子營收占比已超過15%,展現(xiàn)出其在該領(lǐng)域的強勁增長勢頭。此外,為進一步完善其在電路保護器件領(lǐng)域的產(chǎn)品布局,揚杰科技還計劃收購東莞貝特。

揚杰科技主營產(chǎn)品涵蓋MOSFET、IGBT、SiC等,廣泛應(yīng)用于汽車電子、清潔能源、5G通訊等多個領(lǐng)域。公司采用“YJ”和“MCC”雙品牌策略,分別深耕國內(nèi)及亞太市場和歐美市場,構(gòu)建全球化的市場渠道。

02、三安光電:碳化硅業(yè)務(wù)強勢增長,產(chǎn)能持續(xù)擴張

三安光電近日表示,公司的碳化硅襯底及外延銷售已正式計入集成電路產(chǎn)品營業(yè)收入,并透露湖南三安已具備16000片/月的6英寸碳化硅配套產(chǎn)能。此前信息顯示,截至2025年4月,湖南三安的8英寸碳化硅襯底及外延產(chǎn)能已達1000片/月,8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中。重慶三安的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線已于2025年3月投產(chǎn),當前產(chǎn)能為500片/周,并計劃逐步提升至每周1萬片。

三安光電已完成650V至2000V、13mΩ至1000mΩ全系列SiC MOSFET的產(chǎn)品布局,廣泛應(yīng)用于光伏、充電樁、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源等工業(yè)級市場,部分產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)和批量供貨。湖南三安的碳化硅襯底也已向多家客戶送樣驗證,并在AI/AR眼鏡、熱沉散熱等新興應(yīng)用方向展開探索。

在合資方面,湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶成立的安意法半導(dǎo)體已于2025年2月實現(xiàn)通線,首次建設(shè)產(chǎn)能2000片/月,規(guī)劃達產(chǎn)后8英寸外延、芯片年產(chǎn)能將達到48萬片。此外,湖南三安與理想汽車合資成立的蘇州斯科半導(dǎo)體,其生產(chǎn)的理想汽車自研自產(chǎn)碳化硅功率模塊已于2025年2月13日下線。

source:意法半導(dǎo)體

財務(wù)數(shù)據(jù)顯示,三安光電在2024年實現(xiàn)營業(yè)收入約145億元,同比增長16.7%,其中碳化硅業(yè)務(wù)營收突破11.4億元,同比增長高達200%,成為公司營收增長的重要驅(qū)動力。

03、華太電子:發(fā)布高性能功率放大器,賦能5G與低碳未來

華太電子于5月12日正式發(fā)布三款高性能功率放大器——HTH1D22P700S、HTN8G27P060P與H9G1822M60Q。這些產(chǎn)品覆蓋5G NR、4G LTE、基站驅(qū)動及分布式天線系統(tǒng)等多種應(yīng)用場景,致力于以高效節(jié)能技術(shù)推動全球通信基礎(chǔ)設(shè)施向綠色低碳轉(zhuǎn)型。

其中,HTH1D22P700S采用先進的GaN on SiC技術(shù),提供高達700W的飽和輸出功率,適用于5G NR FR1和4G LTE等,廣泛應(yīng)用于宏基站、中繼器和DAS系統(tǒng)。HTN8G27P060P基于Doherty架構(gòu),具備雙通路60W輸出功率,支持多種通信制式,適用于設(shè)備升級和多載波部署。H9G1822M60Q采用非對稱Doherty結(jié)構(gòu),在效率與線性之間取得平衡,為基站提供高效的驅(qū)動解決方案。

華太電子于2025年4月在MEE 2025上展示了其最新的6kW儲能逆變器方案以及功率模塊封測和定制服務(wù),并推出了適用于新能源與工業(yè)電源領(lǐng)域的超結(jié)二代(SJ-IGBT)新品。華太電子專注于射頻、功率系列產(chǎn)品和高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,并提供大功率封測業(yè)務(wù)。

04、中恒微半導(dǎo)體:推出Drive ED3封裝SiC功率模塊

中恒微半導(dǎo)體于5月12日宣布推出Drive ED3(EconoDUAL? 3)封裝的SiC功率模塊。該模塊采用平面柵(planer gate)SiC MOSFET芯片技術(shù),在高溫下展現(xiàn)出優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻特性。其標準封裝具有良好的適配性,能夠滿足多種中等功率應(yīng)用的需求。

source:中恒微

Drive ED3封裝的SiC功率模塊在高耐溫性方面表現(xiàn)卓越,最高可達600℃,保證了在極端工作條件下的穩(wěn)定性能,提升了系統(tǒng)的可靠性和使用壽命。憑借其卓越性能,該模塊適用于新能源汽車的主逆變器、光伏逆變器以及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域,為相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進步提供有力支持。

(集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理)

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