近日，山東力冠于正式發(fā)布其12英寸PVT電阻設備及8英寸多坩堝設備，為8-12英寸SiC晶圓的規(guī)?；⒎€(wěn)定化、低成本制備樹立了新的行業(yè)標桿。
山東力冠發(fā)布的12英寸PVT電阻設備及8英寸多坩堝設備，是碳化硅晶圓制備的核心工藝設備，可以決定了碳化硅晶錠的生長效率、質(zhì)量和成本，與碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展密切相關。
據(jù)了解，12英寸PVT電阻爐單爐次生長效率提升達40%，且集成先進多溫區(qū)精準控制技術，可有效確保晶格質(zhì)量與厚度一致性，能滿足嚴苛的量產(chǎn)質(zhì)量要求。
8英寸多坩堝設備采用3-5個坩堝同步生長，單次產(chǎn)出能力成倍提升，可大幅攤薄晶錠的制造成本。同時，其創(chuàng)新的硬件架構與智能控制軟件融合，可實現(xiàn)高精度溫度與真空壓力動態(tài)調(diào)控，獨家多坩堝協(xié)同溫場技術還解決了傳統(tǒng)超大尺寸設備熱場分布不均的問題。
公開資料顯示，山東力冠成立2013年，是國內(nèi)半導體裝備制造行業(yè)的頭部企業(yè)。其產(chǎn)品涵蓋第一代至第四代半導體材料工藝裝備，包括PVT單晶生長設備、HVPE設備、SiC籽晶粘接設備等。產(chǎn)品廣泛應用于集成電路、5G芯片、光通信等戰(zhàn)略新興領域，已進入比亞迪半導體等頭部企業(yè)產(chǎn)線，還出口至中國臺灣、俄羅斯、韓國、新加坡等國家和地區(qū)。
（集邦化合物半導體整理）
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