“深圳國資”官微消息，近期由市屬國企深重投集團(tuán)與深圳市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。
國創(chuàng)中心首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量氮化鋁鎵/氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。這一成果打破了大尺寸氮化鎵與碳化硅材料單片集成的技術(shù)瓶頸，可批量應(yīng)用于大尺寸、高質(zhì)量氮化鎵外延材料制備，為現(xiàn)有硅基氮化鎵技術(shù)路線提供了一種極具競爭力的替代方案，為氮化鎵/碳化硅混合晶體管的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程奠定基礎(chǔ)。
據(jù)介紹，為獲得高質(zhì)量外延和器件，目前商用#碳化硅功率器件?均是基于4°傾角的4H-SiC襯底，而常用作氮化鎵外延的碳化硅襯底因4°傾角會導(dǎo)致氮化鎵外延層出現(xiàn)臺階聚集、表面粗糙、晶體質(zhì)量下降及各向異性電性能等退化問題而為無傾角襯底。隨著氮化鎵和碳化硅技術(shù)邁入8英寸時代，如何在大尺寸4°傾角碳化硅襯底上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量氮化鎵外延，成為氮化鎵/碳化硅異質(zhì)集成及其產(chǎn)業(yè)化亟待解決的核心難題。
國創(chuàng)中心表示，此次研制的8英寸4°傾角4H-SiC上氮化鎵外延片具有良好的均勻性與平整度，能顯著降低氮化鎵外延材料的缺陷密度，大幅提升散熱性能，各項指標(biāo)均達(dá)到國際領(lǐng)先水平，將進(jìn)一步提升器件的功率密度與集成度，有望從根本上解決其可靠性問題，實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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