近日媒體報(bào)道，湖南三安半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“湖南三安”）于今年8月正式推出首代高性能Trench MOSFET技術(shù)平臺(tái)，在碳化硅功率器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大技術(shù)突破。
湖南三安Trench MOSFET技術(shù)平臺(tái)導(dǎo)通電阻最低達(dá)1.75 mΩ·cm2，擊穿電壓超過(guò)1400V，核心靜態(tài)性能處于行業(yè)領(lǐng)先。此外，湖南三安計(jì)劃將下一代產(chǎn)品導(dǎo)通電阻再降低20%以上。
據(jù)悉，目前上述技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)電性能篩選與可靠性測(cè)試，柵氧品質(zhì)等核心數(shù)據(jù)表現(xiàn)優(yōu)異，可滿(mǎn)足新能源汽車(chē)、光伏逆變器、工業(yè)電源等高要求應(yīng)用場(chǎng)景。
未來(lái)，湖南三安將持續(xù)深化碳化硅技術(shù)研發(fā)，加速推進(jìn)第三代半導(dǎo)體在能源轉(zhuǎn)型與高端制造領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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