斯達(dá)、晶盛機(jī)電半年報(bào)公布:第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)強(qiáng)勁增長

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 08 月 29 日 14:13 | 分類 企業(yè)

近期,斯達(dá)半導(dǎo)體、晶盛機(jī)電兩家公司相繼發(fā)布2025年半年報(bào)。報(bào)告期內(nèi),兩家公司均實(shí)現(xiàn)營收增長,并在第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面表現(xiàn)強(qiáng)勁。

1、晶盛機(jī)電:12 英寸碳化硅技術(shù)突破

2025年上半年,晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入57.99 億元,歸屬于上市公司股東的凈利潤6.39億元。

圖片來源:晶盛機(jī)電公告截圖

化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,在設(shè)備方面,晶盛機(jī)電報(bào)告期內(nèi)晶盛機(jī)電重點(diǎn)加強(qiáng)8英寸碳化硅外延設(shè)備、6-8英寸碳化硅減薄設(shè)備的市場(chǎng)推廣,加速商業(yè)化落地;同時(shí),該公司碳化硅氧化爐、激活爐、離子注入設(shè)備等關(guān)鍵裝備正推進(jìn)客戶驗(yàn)證,進(jìn)展順利,為后續(xù)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)?;慨a(chǎn)提供設(shè)備支撐。

襯底材料領(lǐng)域,晶盛機(jī)電成功長出12英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體,打破大尺寸碳化硅襯底的技術(shù)壁壘;同時(shí),8英寸碳化硅襯底的全球客戶驗(yàn)證范圍大幅擴(kuò)大,產(chǎn)品性能獲客戶認(rèn)可,已成功獲取部分國際客戶的批量訂單。

此外,為匹配全球碳化硅市場(chǎng)需求,公司在馬來西亞檳城投建8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,同時(shí)在銀川投建8英寸碳化硅襯底片配套晶體項(xiàng)目,進(jìn)一步強(qiáng)化技術(shù)與規(guī)模雙重優(yōu)勢(shì),提升全球供應(yīng)鏈響應(yīng)能力。

2、斯達(dá):碳化硅、氮化鎵業(yè)務(wù)發(fā)展迅速

2025年上半年,斯達(dá)半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入約19.36億元,同比上升26.25%,實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤約2.75億元,較去年同期上升0.26%。

圖片來源:斯達(dá)半導(dǎo)體公告截圖

報(bào)告期內(nèi),斯達(dá)半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)較快發(fā)展。

斯達(dá)半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品已經(jīng)在汽車、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、低空飛行等多個(gè)行業(yè)得到應(yīng)用,其中該公司自主研發(fā)的車規(guī)級(jí)第二代SiC MOSFET芯片開始批量出貨,平臺(tái)電壓覆蓋750V、1200V、1400V、1500V等多個(gè)電壓等級(jí),將對(duì)應(yīng)配套400V、800V、1000V等電壓平臺(tái)主電驅(qū)項(xiàng)目。

氮化鎵領(lǐng)域,今年上半年,斯達(dá)半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)GaN驅(qū)動(dòng)模塊獲得了主電機(jī)控制器平臺(tái)定點(diǎn),預(yù)計(jì)2026年進(jìn)入裝車應(yīng)用階段。今年6月,斯達(dá)半導(dǎo)體發(fā)布公告表示,計(jì)劃發(fā)行總額不超過15億元的可轉(zhuǎn)換公司債券,將募資資金用于建設(shè)車規(guī)級(jí)GaN模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊制造項(xiàng)目等。其中,車規(guī)級(jí)GaN模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目投資總額約3億元,擬投入募集資金2億元。

 

(集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理)

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