文章分類(lèi)： 碳化硅SiC

國(guó)際首次突破！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室攻克GaN/SiC單片集成技術(shù)瓶頸

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:52 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室官微宣布，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室近日在GaN/SiC集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，在國(guó)際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。 據(jù)了解，該成果打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術(shù)瓶頸，為GaN/SiC混合器件的發(fā)...  [詳內(nèi)文]

中芯國(guó)際：未來(lái)將配合建立SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 16:42 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯國(guó)際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績(jī)會(huì)上表示，公司未來(lái)將根據(jù)國(guó)際客戶(hù)的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能。 這一戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著中芯國(guó)際在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展，旨在滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)高端半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，...  [詳內(nèi)文]

英國(guó)這家初創(chuàng)公司，憑兩大新專(zhuān)利進(jìn)軍GaN與SiC市場(chǎng)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 11 日 14:01 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
隨著寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域部分核心專(zhuān)利陸續(xù)到期，一場(chǎng)技術(shù)創(chuàng)新的浪潮正悄然興起。英國(guó)初創(chuàng)公司#柵源漏半導(dǎo)體（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住這一歷史機(jī)遇，正專(zhuān)注于研發(fā)新一代的專(zhuān)利保護(hù)型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。該公司計(jì)劃在未來(lái)2-3年內(nèi)，推出垂直...  [詳內(nèi)文]

應(yīng)對(duì)中國(guó)廠商競(jìng)爭(zhēng)，羅姆加速SiC研發(fā)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 07 日 17:12 |
| 分類(lèi): 碳化硅SiC
近期，羅姆半導(dǎo)體公布了2025財(cái)年一季度財(cái)報(bào)（2025年4月-6月）。該季，羅姆半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1162億日元，同比下滑1.8%，凈利潤(rùn)為29億日元，同比下滑14.3%。 圖片來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體 羅姆半導(dǎo)體表示，該季車(chē)用碳化硅器件銷(xiāo)售保持穩(wěn)健，但受客戶(hù)調(diào)整因素影響，對(duì)外銷(xiāo)售的SiC...  [詳內(nèi)文]

九峰山實(shí)驗(yàn)室宣布，碳化硅獲得新突破！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 07 日 17:09 |
| 分類(lèi): 碳化硅SiC
8月6日，根據(jù)九峰山實(shí)驗(yàn)室官微消息，九峰山實(shí)驗(yàn)室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅溝槽MOSFET科研級(jí)器件樣品，旨在滿(mǎn)足產(chǎn)業(yè)及科研機(jī)構(gòu)對(duì)具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC溝槽新型器件的測(cè)試、分析及應(yīng)用探索需求，進(jìn)一步推動(dòng)下一代碳化硅溝槽型MOSFET功率器件的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 ...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體透露碳化硅、氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:12 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，納微半導(dǎo)體公布2025年第二季度財(cái)報(bào)，同時(shí)該公司在財(cái)報(bào)會(huì)議中透露了碳化硅與氮化鎵業(yè)務(wù)進(jìn)展。 圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體官網(wǎng)新聞稿截圖 據(jù)悉，英偉達(dá)已經(jīng)與納微半導(dǎo)體進(jìn)行開(kāi)發(fā)合作，以支持下一代 800V 數(shù)據(jù)中心。納微半導(dǎo)體將在固態(tài)變壓器（SST）、800V DC/DC以及48V...  [詳內(nèi)文]

晶升股份推出SCML320A碳化硅外延爐

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 06 日 14:05 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 碳化硅SiC
8月5日，晶升股份官微宣布成功開(kāi)發(fā)出新一代SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延爐。 圖片來(lái)源：晶升股份 據(jù)了解，晶升股份SCML320A碳化硅外延爐生長(zhǎng)速率≥60μm/h，膜厚均勻性＜1%，摻雜均勻性＜2%，指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。此外，還支持N/P兩種摻雜類(lèi)型，可以滿(mǎn)足不...  [詳內(nèi)文]

方正微電子、安世半導(dǎo)體發(fā)布最新碳化硅新品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 06 日 13:42 |
| 分類(lèi): 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域迎來(lái)了一系列重要新品發(fā)布，其中安世半導(dǎo)體（Nexperia）以及方正微電子均推出了各自的新產(chǎn)品。 方正微電子：高性能碳化硅 MOS 功率模塊發(fā)布 近日，深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司旗下的深圳方正微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“方正微電子”）正式推出了一款...  [詳內(nèi)文]

月產(chǎn)2億顆芯片，SiC/GaN封裝工廠正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 04 日 14:25 |
| 分類(lèi): 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)濱海發(fā)布消息，8月1日，伯芯微電子（天津）有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“伯芯微電子”）在天津經(jīng)開(kāi)區(qū)微電子創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園正式投產(chǎn)。 圖片來(lái)源：濱海發(fā)布 根據(jù)預(yù)測(cè)，該項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)月封裝芯片產(chǎn)能在2億顆以上，年收入將達(dá)到2億元以上。 公開(kāi)資料顯示，伯芯微電子成立于2022年，由中科院微電子研究所...  [詳內(nèi)文]

徐州 “芯” 勢(shì)力再升級(jí)！8英寸液相法碳化硅單晶成功

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 08 月 01 日 14:16 |
| 分類(lèi): 碳化硅SiC
據(jù)徐州日?qǐng)?bào)報(bào)道，近日，江蘇集芯先進(jìn)材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“江蘇集芯”）成功出爐首枚8英寸液相法（LPE）高質(zhì)量碳化硅單晶。經(jīng)檢測(cè)，晶體面型、晶型與結(jié)晶質(zhì)量均達(dá)到預(yù)期目標(biāo)，標(biāo)志著江蘇集芯在第三代半導(dǎo)體核心材料領(lǐng)域再下一城，也為我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控寫(xiě)下關(guān)鍵一筆。 據(jù)了解，江蘇集...  [詳內(nèi)文]