湖南三安獲1.54億元產(chǎn)業(yè)扶持資金

作者 | 發(fā)布日期 2020 年 11 月 16 日 13:43 | 分類 產(chǎn)業(yè)

日前,三安光電發(fā)布公告宣布全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“湖南三安”)獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金近1.54億元。

公告顯示,根據(jù)三安光電與長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽訂的《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》,長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)同意撥付湖南三安15,372.65萬(wàn)元,湖南三安已于11月13日收到這筆款項(xiàng)。

湖南三安是三安光電在長(zhǎng)沙投建的160億元第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目的實(shí)施主體,經(jīng)營(yíng)范圍包括研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售6吋SiC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品。

此項(xiàng)目聚焦包括但不限于碳化硅的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),擬建設(shè)長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈。8月消息顯示,湖南三安已完成部分項(xiàng)目用地摘牌,剩余土地也將盡快摘牌,項(xiàng)目處于基礎(chǔ)建設(shè)階段。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

早前,三安光電表示,長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)給予項(xiàng)目實(shí)施主體補(bǔ)助、扶持、補(bǔ)貼等支持資金,包括科技研發(fā)專項(xiàng)扶持、生產(chǎn)要素補(bǔ)貼、兩高人才補(bǔ)貼、市場(chǎng)拓展等。

本次獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金,在一定程度上有助于湖南三安推動(dòng)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目的建設(shè)與實(shí)施。據(jù)了解,該項(xiàng)目在用地各項(xiàng)手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個(gè)月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn),48個(gè)月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn),72個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

除了長(zhǎng)沙第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目以外,三安光電同時(shí)正在穩(wěn)步推進(jìn)其他幾個(gè)關(guān)于Mini/Micro LED、化合物半導(dǎo)體的大項(xiàng)目。

其中,湖北葛店120億元Mini/Micro LED芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目去年7月正式開(kāi)工,今年順利推進(jìn),預(yù)計(jì)明年3月項(xiàng)目投產(chǎn)見(jiàn)效。

福建泉州333億元高端氮化鎵LED襯底等七大產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目也正在順利推進(jìn)中,并于今年加快了發(fā)展步伐,項(xiàng)目已有部分設(shè)備調(diào)試完成,產(chǎn)能正在逐步釋放。(文:LEDinside Janice)

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