近日，國星光電受第三代半導體聯(lián)盟標委會（CASAS）邀請參與了《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學法測試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法》兩項團體標準的起草與草案討論（線上），助力加速第三代半導體國產(chǎn)化替代進程。
《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學法測試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法》兩項團體標準提案由工業(yè)和信息化部電子第五研究所牽頭，經(jīng)CASA標準化委員會（CASAS）管理委員會審核，兩項提案均立項通過[1]。
兩項標準草案
《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）熱阻電學法測試方法》、《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率循環(huán)試驗方法》標準草案線上討論會于5月26日、6月10日先后召開，國星光電研究院代表參加了標準的線上討論并對標準修訂提出了重要建議與意見。兩次線上研討會共計有三十多人（次）來自產(chǎn)學研不同領(lǐng)域的專家代表參與。
SiC（碳化硅）材料對比傳統(tǒng)的Si（硅）材料，具備電性能和熱性能優(yōu)越、雜散電感低、轉(zhuǎn)換效率高、輕載損耗小等特點，在產(chǎn)品設(shè)計時可以適配更大的功率密度，更小的產(chǎn)品體型。然SiC的材料性能與Si的材料性能相差甚大，傳統(tǒng)Si的熱阻及可靠性測試方式并不都適合SiC材料的器件產(chǎn)品。SiC器件的熱阻測試與功率循環(huán)測試評估，對SiC MOSFET器件的可靠性與分析改進具備非常重要的意義。
近期，國星光電的TO系列產(chǎn)品已送至第三方有資質(zhì)的機構(gòu)，完成了相關(guān)工業(yè)級可靠性測試，SiC產(chǎn)品線進一步擴展，目前SiC-TO產(chǎn)品已開發(fā)完成5種封裝大類的開發(fā)（TO-247/TO-220/TO-252/TO-263/DFN5*6），建設(shè)6個系列化產(chǎn)品線：SiC-SBD 650V 2-50A系列、SiC-SBD 1200V 2-60A系列、 SiC-MOS 1200V 18-160mΩ系列、SiC-SBD 1700V 5-30A系列、SiC-SBD 3300V 1-5A系列、內(nèi)絕緣型SiC-SBD/MOS 系列。
以SiC為代表的第三代半導體材料的開發(fā)與應用已寫入“十四五規(guī)劃”，國家在三代半領(lǐng)域事業(yè)正如火如荼地推進著。隨著航天、航空、石油勘探、核能、汽車等電力電子領(lǐng)域的發(fā)展，尤其是新能源汽車的快速發(fā)展，在國產(chǎn)替代呼聲高漲及政策的推動下，我國半導體市場持續(xù)不斷地升溫。國星光電也在大力布局“三代半封測”業(yè)務(wù)，積極持續(xù)加大第三代半導體的研究開發(fā)和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，望在國產(chǎn)替代的偉大宏圖上貢獻國星力量，為廣晟集團奮進世界500強注入強勁動能。（來源：國星光電）
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