近日，中微公司臨港產業(yè)化基地、格創(chuàng)·華芯半導體園區(qū)、艾銳光電化合物半導體平臺項目等3個化合物半導體相關項目披露了最新進展。
中微公司臨港產業(yè)化基地正式啟用
8月2日，據(jù)中微公司官微消息，中微公司宣布其臨港產業(yè)化基地正式啟用。據(jù)悉，中微公司臨港產業(yè)化基地占地約157畝、總建筑面積約18萬平方米，配備實驗室、潔凈室、生產車間及智能化立體倉庫等設施，可實現(xiàn)生產全程數(shù)字化、智能化管理。
source：中微公司
項目進展方面，2023年7月，14萬平方米的中微公司南昌生產研發(fā)基地落成并投入使用；目前，位于滴水湖畔的中微臨港總部暨研發(fā)大樓也正在建設中，建成后占地面積約10萬平方米。未來，中微公司的生產和研發(fā)基地總面積將達到約45萬平方米。
業(yè)務進展方面，中微公司在刻蝕設備、薄膜沉積設備、MOCVD設備等領域均取得了突破。在刻蝕設備領域，憑借刻蝕設備雙臺機技術，中微公司率先提出“皮米級”加工精度概念，其刻蝕精度已經達到100“皮米”以下水平，相當于頭發(fā)絲350萬分之一的精準度，能夠滿足90%以上的刻蝕應用需求。
半導體薄膜沉積設備領域，中微公司推出了Preforma Uniflex? CW、Preforma Uniflex? HW、Preforma Uniflex? AW等多款新產品。此外，其新開發(fā)的硅和鍺硅外延EPI設備、晶圓邊緣Bevel刻蝕設備等多款新產品，也會在近期投入市場驗證。
在MOCVD設備領域，中微公司自推出第一代MOCVD設備PRISMO A7?以來，不斷豐富產品線且快速升級迭代，目前在Mini LED等氮化鎵基設備領域，中微公司的市場占有率穩(wěn)居前列，并持續(xù)開發(fā)用于氮化鎵、碳化硅等功率器件及Micro-LED器件制造的MOCVD設備。
總投資33.87億元，格創(chuàng)·華芯半導體園區(qū)落成
8月4日，據(jù)“珠海高新區(qū)”官微消息，格創(chuàng)·華芯半導體園區(qū)落成暨設備進機儀式于8月3日舉行。
source：珠海高新區(qū)
據(jù)了解，格創(chuàng)·華芯半導體園區(qū)總投資33.87億元。此次實現(xiàn)設備進機的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產基地主體工程項目——華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產線，主要生產化合物半導體微波集成電路（MMIC）及VCSEL芯片，建成后將成為廣東省內首家砷化鎵代工廠，預計今年11月竣工驗收并工藝通線、2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產。該項目于2023年7月正式開工，僅用時184天便實現(xiàn)項目主體封頂。
資料顯示，華芯微電子是華芯（珠海）半導體有限公司（以下簡稱珠海華芯）全資子公司，后者是一家半導體集成電路產品與服務供應商。珠海華芯擁有外延金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）設備、芯片工藝設備和封裝設備等，主要從事尖端化合物半導體光電子芯片及其應用產品的研究、開發(fā)與生產，主要產品為高亮度LED、藍綠光半導體激光管、垂直腔面發(fā)射（VCSEL）光子芯片、DFB光子芯片、EML光子芯片以及高亮度半導體激光芯片等。
艾銳光電化合物半導體平臺項目二期主體廠房封頂
8月1日，據(jù)“日照開發(fā)區(qū)發(fā)布”官微消息，艾銳光電化合物半導體平臺項目2#廠房主體結構7月31日順利封頂。據(jù)介紹，主體封頂后，該項目擬計劃于近幾個月將后期的填充墻砌筑，內外墻裝飾抹灰，樓、地面及門窗安裝和保溫涂料工程全部完成。
source：日照開發(fā)區(qū)發(fā)布
據(jù)悉，該項目總投資約2.6億元。一期投資1.4億元，建設MOCVD（金屬有機氣相外延）、MBE（分子束外延）生產線，主要生產2英寸和3英寸磷化銦外延片，預計年產量約5000片；二期投資1.2億元，以一期項目磷化銦外延片為原料，新上芯片處理設備，進行激光器封裝及光模塊產品的生產，形成300萬TO-CAN光器件、100萬光模塊的年產能。
據(jù)介紹，艾銳光電還計劃新上測試臺，ATE功能測試系統(tǒng)近20套，形成6條組裝生產線，達到年組裝36萬個光模塊的產能。
作為一家光組件及芯片研發(fā)商，艾銳光電集研發(fā)、生產、銷售于一體，為用戶提供光通信及傳感用激光芯片、光器件、組件及光模塊，以及光組件、模塊產品的設計方案和技術服務。艾銳光電以基于啁啾控制的高速DML激光器技術為切入點，研發(fā)10G DML激光器、25G DFB/FP等產品，面向10G-PON、NGPON2、5G無線前傳、及100G數(shù)據(jù)中心等市場。（來源：LEDinside）
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