據日媒報道,8月1日,碳和石墨產品綜合制造商東海碳素(Tokai Carbon)擬投資54億日元(折合人民幣約為2.7億元)在日本神奈川縣茅崎市建立一條多晶SiC晶圓專線,并預計將于2024年12月完成建設。
東海炭素開發(fā)的用于功率半導體的SiC晶圓,被稱為“層壓SiC晶圓”。層壓SiC晶圓是通過將帶有預刻槽的單晶SiC晶圓與多晶SiC晶圓鍵合,然后加熱剝離刻槽部分,在作為襯底的多晶SiC晶圓上形成單晶SiC薄膜而制成的。由于單晶SiC層是薄膜,單晶SiC晶圓可重復使用10次以上,一張單晶SiC晶圓可生產10張以上的鍵合晶圓。
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多晶SiC的優(yōu)點是電阻值約為單晶SiC的1/5~1/4,可以進一步降低功率損耗。與僅使用單晶SiC的晶圓相比,通過使用層壓SiC晶圓,可以提高SiC功率半導體的性能,并且可以使系統(tǒng)本身更小、更輕,并且可以提高EV的行駛里程。
此前報道,今年5月,東海炭素與法國半導體材料制造商Soitec就多晶SiC晶圓達成合作,公司將在中長期內為Soitec供應6英寸和8英寸多晶SiC晶圓。
除了在日本茅崎市基地設立多晶SiC專線外,東海炭素還計劃在其位于韓國京畿道安城市的現(xiàn)有工廠生產多晶SiC。 (文:集邦化合物半導體Morty整理)
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