12月31日，據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會消息，中電科半導(dǎo)體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司近日成功研制出12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶襯底。
source：中國電子材料行業(yè)協(xié)會
從電化學(xué)性質(zhì)差異來看，碳化硅襯底材料可以分為導(dǎo)電型襯底（電阻率區(qū)間15-30mΩ·cm）和半絕緣型襯底（電阻率高于105Ω·cm）。其中，半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造射頻器件、光電器件等，導(dǎo)電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件。
爍科晶體此次同時研制出2種12英寸碳化硅襯底，有望推動碳化硅產(chǎn)業(yè)加速向大尺寸晶圓時代前進(jìn)。
據(jù)悉，晶圓尺寸增大意味著每片晶圓上可以制造更多的芯片，從而提高了生產(chǎn)效率。不僅降低了單個芯片的生產(chǎn)成本，還使得整體制造成本得到優(yōu)化。因此，大尺寸晶圓在經(jīng)濟(jì)上具有更高的效益，為制造商帶來了更大的競爭優(yōu)勢。目前，大尺寸晶圓已成為各大廠商共同追求的目標(biāo)。
除爍科晶體外，天岳先進(jìn)已于2024年11月13日發(fā)布了12英寸N型碳化硅襯底產(chǎn)品，標(biāo)志著碳化硅產(chǎn)業(yè)正式邁入超大尺寸碳化硅襯底時代。盡管目前碳化硅襯底領(lǐng)域正在由6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型，但未來向12英寸演進(jìn)已具有較高的能見度。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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