引子：十字路口的暗戰(zhàn)
當(dāng)下的功率半導(dǎo)體市場，正上演一場無聲的暗戰(zhàn)。這不是傳統(tǒng)的市場份額爭奪，而是一場關(guān)乎產(chǎn)業(yè)模式、技術(shù)路線乃至地緣格局的大洗牌。戰(zhàn)場的中央，三股力量正在激烈碰撞，共同塑造著行業(yè)的未來。
第一股力量，是統(tǒng)治這片疆域數(shù)十年的舊日帝國——以英飛凌（Infineon）、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）為代表的IDM（集成器件制造商）。他們憑借著從設(shè)計(jì)到制造的垂直整合能力，構(gòu)建了深厚的護(hù)城河，長期以來穩(wěn)坐霸主之位。他們的權(quán)力根植于對工藝的深刻理解和對質(zhì)量的絕對掌控。
第二股力量，是來自東方的新生貴族——由中國廠商組成的Fabless（無晶圓廠設(shè)計(jì)公司）生態(tài)系統(tǒng)。他們搭乘著成熟制程產(chǎn)能充裕的順風(fēng)車，以輕資產(chǎn)、高靈活性的姿態(tài)，向傳統(tǒng)格局發(fā)起了猛烈的沖擊。這股力量的崛起，不僅是市場選擇的結(jié)果，更與大國博弈的宏大敘事緊密相連。
第三股力量，則是一件足以顛覆戰(zhàn)場規(guī)則的超級武器——以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料。它的出現(xiàn)，不僅拓寬了技術(shù)的邊界，更像一劑催化劑，激化了前兩股力量的矛盾。汽車和工業(yè)領(lǐng)域?qū)Ω呖煽啃缘膰?yán)苛要求，特別是SiC市場的爆發(fā)，反過來強(qiáng)化了IDM模式的必要性，因?yàn)樗芨玫貙?shí)現(xiàn)深度整合和全程質(zhì)量把控。
這場戰(zhàn)爭的核心矛盾，呈現(xiàn)出一種奇特的拉扯。一方面，行業(yè)在走向更精細(xì)的分工合作，這是中國Fabless崛起的底層邏輯；另一方面，新技術(shù)和高端應(yīng)用的需求，卻在反向推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的再度整合。這意味著，市場正同時(shí)被兩股方向相反的力量拉扯：一股是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈解構(gòu)、走向開放協(xié)作的離心力；另一股則是因應(yīng)高階技術(shù)復(fù)雜性而要求垂直整合、強(qiáng)化內(nèi)部控制的向心力。
這不是一個(gè)誰將取代誰的簡單故事，而是一場關(guān)于垂直整合與供應(yīng)鏈多元化的激烈戰(zhàn)略博弈。在這場由技術(shù)、經(jīng)濟(jì)和地緣政治共同作用的權(quán)力游戲中，舊的聯(lián)盟正在瓦解，新的秩序尚未成型。我們正站在一個(gè)充滿變數(shù)的十字路口，目睹著一場深刻的權(quán)力轉(zhuǎn)移。最終，行業(yè)將走向何方？這個(gè)問題的答案，不僅決定了無數(shù)企業(yè)的命運(yùn)，也將為全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的未來定下基調(diào)。
第一章：IDM的舊制度：一座難以撼動(dòng)的堅(jiān)固堡壘
在功率半導(dǎo)體這個(gè)領(lǐng)域，IDM模式的長期統(tǒng)治并非歷史的偶然，而是源于其產(chǎn)品特性和市場結(jié)構(gòu)的內(nèi)在邏輯。這座由傳統(tǒng)巨頭們建立的舊制度堡壘，其堅(jiān)固程度遠(yuǎn)超外界想象。它的護(hù)城河不僅僅是資本和工廠，更是一種深植于行業(yè)骨髓的手藝與信任。
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· 不止是工廠，更是老師傅的手藝
將IDM的優(yōu)勢簡單歸結(jié)為擁有晶圓廠，是一種普遍的誤解。事實(shí)上，與高度標(biāo)準(zhǔn)化的數(shù)字邏輯芯片不同，功率和模擬組件的性能，與其制造工藝的物理和電氣特性深度綁定。這意味著，制造本身并非一項(xiàng)可以輕易外包的服務(wù)，而是產(chǎn)品性能和核心知識產(chǎn)權(quán)不可分割的一部分。
功率組件的設(shè)計(jì)，與其說是在圖紙上堆指標(biāo)，不如說更像是中醫(yī)調(diào)和藥方。每一項(xiàng)性能的提升，都必須兼顧其他五六個(gè)相互制衡的參數(shù)。電壓、溫度、導(dǎo)通損耗、開關(guān)速度……幾乎沒有一項(xiàng)指標(biāo)能夠獨(dú)善其身。這種類似于模擬IC設(shè)計(jì)中著名的八邊形法則的權(quán)衡與優(yōu)化，往往無法通過理論計(jì)算完美解決，而是要靠經(jīng)驗(yàn)豐富的資深工程師，在產(chǎn)在線一次次地調(diào)整參數(shù)、摸索工藝，像打磨藝術(shù)品一樣，一點(diǎn)點(diǎn)磨出來。
左圖：模擬集成電路的“八邊形法則” 右圖：功率半導(dǎo)體器件也存在類似的“八邊形法則”
這正是IDM模式的根本優(yōu)勢所在：它能夠在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)與工藝技術(shù)的上下游協(xié)同。設(shè)計(jì)部門可以根據(jù)新組件架構(gòu)的需求，向工藝部門提出調(diào)整流程的請求；反之，工藝部門的任何改進(jìn)，也能迅速反饋給設(shè)計(jì)部門，催生出新的設(shè)計(jì)思路。這種持續(xù)、高效的內(nèi)部反饋閉環(huán)，在Fabless與代工廠（Foundry）的合作模式中，雖然也可以開展，但溝通成本高昂，效率也難以相提并論。
中國IDM領(lǐng)軍企業(yè)士蘭微電子董事長陳向東曾指出，功率器件行業(yè)內(nèi)高達(dá)75%到80%的產(chǎn)出來自IDM，其根本原因就在于歐美日的傳統(tǒng)巨頭們，憑借數(shù)十年積累的特殊工藝技術(shù)構(gòu)筑了強(qiáng)大的市場壁壘。這些技術(shù)本身就是一種獨(dú)特的、難以轉(zhuǎn)移的專有資產(chǎn)，例如英飛凌的 1200V CoolSiC? MOSFET工藝，它不僅僅是一套生產(chǎn)流程，更是英飛凌核心競爭力的體現(xiàn)。
這也解釋了為何功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的Fabless模式，面臨著比數(shù)字集成電路領(lǐng)域高得多的門坎。一家功率Fabless公司無法簡單地從代工廠提供的標(biāo)準(zhǔn)工藝菜單中挑選，而必須投入巨大的成本與代工廠進(jìn)行深度協(xié)同開發(fā)，這在很大程度上削弱了其輕資產(chǎn)模式的初衷。在標(biāo)準(zhǔn)化、開放的功率組件工藝平臺真正成熟之前，IDM模式憑借將設(shè)計(jì)和工藝開發(fā)都掌握在自己手中的天然優(yōu)勢，將繼續(xù)保持其在性能和技術(shù)迭代上的領(lǐng)先地位。
· 雜貨鋪也是一種護(hù)城河
功率半導(dǎo)體市場的另一個(gè)顯著特點(diǎn)，是其高度碎片化的產(chǎn)品組合。根據(jù)電壓、電流、封裝、功能等參數(shù)的不同排列組合，市場上的產(chǎn)品型號 數(shù)以萬計(jì)。這就像一個(gè)巨大的雜貨鋪，客戶的需求五花八門，而且往往是少量多樣。
這種市場結(jié)構(gòu)，對Fabless公司構(gòu)成了巨大的挑戰(zhàn)。通過外部代工廠來管理如此龐大的產(chǎn)品組合，將面臨巨大的交易成本。每一款產(chǎn)品、每一個(gè)小批量訂單，都可能需要獨(dú)立的合同談判、IP保護(hù)協(xié)議、質(zhì)量保證審核以及頻繁的技術(shù)溝通。這種摩擦成本會隨著產(chǎn)品種類的增加而急劇上升，嚴(yán)重侵蝕利潤。
IDM模式則通過將這些活動(dòng)內(nèi)部化，顯著降低了交易成本。其統(tǒng)一、集成的產(chǎn)品開發(fā)與制造流程，使得企業(yè)能以更低的邊際成本推出多樣化的產(chǎn)品組合。這正是德州儀器（Texas Instruments）、英飛凌、意法半導(dǎo)體等行業(yè)巨頭能夠維持其市場領(lǐng)導(dǎo)地位的關(guān)鍵競爭優(yōu)勢之一。他們之所以能成為行業(yè)的雜貨鋪巨頭，并非僅僅因?yàn)橐?guī)模大，更是因?yàn)樗麄兊慕M織架構(gòu)天然地適應(yīng)了這種少量多樣的市場需求。從經(jīng)濟(jì)學(xué)的角度看，IDM的垂直整合模式，是應(yīng)對功率半導(dǎo)體市場高度復(fù)雜性和碎片化所帶來的交易成本問題的最優(yōu)解。其主導(dǎo)地位是市場效率選擇的結(jié)果，而不僅僅是歷史的慣性。
· 客戶信任的另一座長城
如果說技術(shù)和商業(yè)模式是IDM堡壘的磚石，那么信任就是將這一切粘合在一起、并使其堅(jiān)不可摧的水泥。在對可靠性和質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)市場，這種基于長期合作和穩(wěn)定供應(yīng)的品牌聲譽(yù)，本身就是一種難以估量的戰(zhàn)略資產(chǎn)。
建設(shè)和運(yùn)營一座功率半導(dǎo)體晶圓廠需要巨大的資本投入，同時(shí)在研發(fā)上的持續(xù)支出也構(gòu)成了強(qiáng)大的資金門坎。這種重資產(chǎn)模式雖然使IDM在行業(yè)周期性波動(dòng)中面臨一定風(fēng)險(xiǎn)，但它也賦予了這些企業(yè)掌控自身技術(shù)路線圖、保護(hù)核心工藝秘密以及建立強(qiáng)大品牌聲譽(yù)的能力。
在汽車和工業(yè)應(yīng)用中，一個(gè)微小的組件失效都可能導(dǎo)致災(zāi)難性的后果。因此，客戶在選擇供貨商時(shí)，除了考慮性能和成本，更看重其長期的可靠性記錄和供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。一個(gè)擁有數(shù)十年歷史、經(jīng)歷過多輪行業(yè)周期考驗(yàn)的IDM巨頭，其品牌本身就代表了一種質(zhì)量承諾。這種信任，是新進(jìn)入者難以在短時(shí)間內(nèi)建立的，它構(gòu)成了一道無形的、卻又極其堅(jiān)固的信任長城。
數(shù)據(jù)源：集邦化合物半導(dǎo)體整理
這張表格清晰地勾勒出了三種商業(yè)模式的根本差異。它不僅是一個(gè)簡單的對比，更是理解整個(gè)功率半導(dǎo)體行業(yè)競爭格局的基礎(chǔ)框架。IDM的優(yōu)勢在于整合與控制，F(xiàn)abless的優(yōu)勢在于專注與靈活，而Foundry則立足于規(guī)模與專業(yè)。這三者之間的博弈與共生，構(gòu)成了我們接下來要探討的所有故事的背景。
第二章：中國Fabless的“閃電戰(zhàn)”：一場天時(shí)地利的突襲
長期以來由IDM巨頭們主導(dǎo)的穩(wěn)定格局，正被一股來自東方的力量以“閃電戰(zhàn)”般的速度撕開缺口。由中國廠商形成的Fabless生態(tài)系統(tǒng)，其崛起并非偶然，而是一場在特定市場條件、充足代工產(chǎn)能和國家戰(zhàn)略共同作用下的、堪稱天時(shí)地利的突襲。
· 東風(fēng)已備：成熟產(chǎn)能的 大水漫灌
中國Fabless崛起的背后，最關(guān)鍵的東風(fēng)是中國晶圓代工產(chǎn)業(yè)在成熟制程節(jié)點(diǎn)上，具備了充足的產(chǎn)能和深厚的工藝積累。
首先，中國是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場，但長期高度依賴進(jìn)口，這催生了巨大的市場替代空間。尤其在電動(dòng)汽車、光伏、工業(yè)控制等高增長領(lǐng)域，對功率半導(dǎo)體的需求呈爆炸式增長，為本土廠商提供了肥沃的土壤。
其次，功率半導(dǎo)體的主戰(zhàn)場并非尖端制程，而是通常大于65納米的成熟節(jié)點(diǎn)。與建造一座耗資超過200億美元的先進(jìn)邏輯芯片晶圓廠不同，用于生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的成熟制程晶圓廠，尤其是200mm（8英寸）產(chǎn)線，資本密集度相對較低，技術(shù)門檻也更容易跨越。
這恰好與中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀完美契合。芯聯(lián)集成、華虹半導(dǎo)體等中國本土代工廠，在過去十幾年里建立了龐大的成熟制程產(chǎn)能。在國內(nèi)廠商競爭激烈的背景下，為了充分利用產(chǎn)能，這些代工廠對數(shù)量較小、種類多樣的特色工藝訂單有著濃厚興趣，不像頭部大廠那樣會嚴(yán)苛挑選客戶和訂單。這與新興Fabless公司“船小好掉頭”的業(yè)務(wù)模式和發(fā)展需求形成了完美的共生關(guān)系：Fabless無需承擔(dān)巨額資本開支即可獲得制造能力，而代工廠則通過承接這些高附加值的訂單來填補(bǔ)產(chǎn)能，實(shí)現(xiàn)了雙贏。這股成熟產(chǎn)能的大潮水，為中國Fabless的幼苗提供了最關(guān)鍵的灌溉。
· 奇兵突出：從標(biāo)準(zhǔn)化的IGBT撕開缺口
如果說成熟產(chǎn)能是東風(fēng)，那么標(biāo)準(zhǔn)化的IGBT模塊，就是中國Fabless發(fā)動(dòng)閃電戰(zhàn)時(shí)選定的“奇兵”。他們沒有選擇在IDM防守最嚴(yán)密的領(lǐng)域（如高度客制化、對工藝?yán)斫庖髽O高的分立器件）進(jìn)行正面強(qiáng)攻，而是巧妙地選擇了IDM整合優(yōu)勢最弱、代工模式成本優(yōu)勢最強(qiáng)的環(huán)節(jié)作為突破口。
與規(guī)格復(fù)雜、種類繁多的普通功率組件不同，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）通常以模塊 ?（Module）的形式封裝和銷售。這些模塊將多個(gè)IGBT芯片和續(xù)流二極管等集成在一起，形成標(biāo)準(zhǔn)化的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這使得不同制造商生產(chǎn)的、功能和額定參數(shù)相同的IGBT模塊，在封裝尺寸、引腳定義、電氣參數(shù)等方面具有高度的通用性。
這種高度的標(biāo)準(zhǔn)化，為中國Fabless廠商提供了一個(gè)天然的切入口。一家設(shè)計(jì)公司可以專注于設(shè)計(jì)少數(shù)幾個(gè)市場需求量最大的熱門模塊，然后將這些少樣大量的標(biāo)準(zhǔn)化訂單放心地交給代工廠生產(chǎn)。這種模式不僅極大地降低了與代工廠的溝通成本和管理復(fù)雜度，還能通過規(guī)模效應(yīng)顯著降低代工成本。這正是對IDM模式少量多樣優(yōu)勢的精準(zhǔn)打擊。
資料來源：集邦化合物半導(dǎo)體整理
中國IGBT設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)者斯達(dá)半導(dǎo)（StarPower）與主要代工廠華虹半導(dǎo)體之間的合作，是這一模式成功運(yùn)作的典范。通過雙方合作，華虹半導(dǎo)體成為全球首家同時(shí)在8英寸和12英寸產(chǎn)在線大規(guī)模量產(chǎn)先進(jìn)IGBT的純晶圓代工廠。同樣，無錫新潔能也通過與一流的8英寸晶圓代工廠緊密合作，來保證其產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定供應(yīng)。這些成功案例，清晰地展示了中國Fabless如何通過精準(zhǔn)的產(chǎn)品定位，將代工模式的優(yōu)勢發(fā)揮到極致。
· 戰(zhàn)略迂回：繞開封鎖的陽關(guān)大道
將視角拉遠(yuǎn)，中國Fabless的熱潮背后，還隱藏著更深層次的戰(zhàn)略邏輯。這不僅僅是一個(gè)產(chǎn)業(yè)趨勢，更是一項(xiàng)符合政策方向的發(fā)展戰(zhàn)略。
近年來，美國等國的出口管制主要集中在7納米以下的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)和高端AI芯片領(lǐng)域。而功率半導(dǎo)體所依賴的成熟工藝節(jié)點(diǎn)，在很大程度上相對不受管制影響。然而，這些節(jié)點(diǎn)的發(fā)展，同樣對于提升一個(gè)國家的產(chǎn)業(yè)規(guī)模、積累技術(shù)能力、保障關(guān)鍵領(lǐng)域供應(yīng)鏈安全至關(guān)重要。
因此，通過大力發(fā)展Fabless功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)，中國可以在不直接挑戰(zhàn)最嚴(yán)苛技術(shù)封鎖的前提下，迅速提升在汽車、工業(yè)等國家命脈領(lǐng)域的半導(dǎo)體自給率和供應(yīng)鏈安全。這可以被視為一種巧妙的“戰(zhàn)略迂回”。它繞開了封鎖最嚴(yán)密的“獨(dú)木橋”，選擇了一條雖然不那么光鮮靚麗、但同樣能夠通向產(chǎn)業(yè)自主的“陽關(guān)大道” ?。這場 “閃電戰(zhàn)”的目標(biāo)，不僅僅是市場份額，更是產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略縱深。
數(shù)據(jù)源：集邦化合物半導(dǎo)體整理
這張表格就像是中國Fabless 新貴們的一張群像。它具體地展示了這股新興力量的代表性企業(yè)和他們的核心產(chǎn)品，將抽象的 Fabless熱潮落實(shí)到了一個(gè)個(gè)真實(shí)的市場參與者身上，勾勒出中國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新興生態(tài)系統(tǒng)的版圖。
第三章：碳化硅的“權(quán)力的游戲”：誰能坐上鐵王座？
如果說IDM與Fabless的對決是舊制度與新勢力的較量，那么碳化硅（SiC）的出現(xiàn)，則徹底改變了游戲規(guī)則。這不僅僅是一次技術(shù)升級，更是一場深刻的材料革命。它正以其卓越的性能，重塑著功率半導(dǎo)體行業(yè)的競爭格局、供應(yīng)鏈結(jié)構(gòu)和成本模型，并對IDM與Fabless之爭產(chǎn)生了決定性的影響。一場圍繞SiC的“權(quán)力游戲”已經(jīng)拉開序幕，所有玩家都想坐上未來的“鐵王座”。
· 汽車的“心臟病” 與SiC的“特效藥”
SiC市場正迎來史無前例的爆發(fā)式增長。根據(jù)TrendForce集邦咨詢的預(yù)測，到2030年，全球SiC功率組件的市場規(guī)模將接近164億美元，2025至2030年的復(fù)合年增長率（CAGR）高達(dá)驚人的31%。
Figure 1 SiC功率器件的市場規(guī)模
資料來源：TrendForce全球SiC功率半導(dǎo)體市場報(bào)告
這場爆發(fā)的核心驅(qū)動(dòng)力，來自于汽車行業(yè)，特別是純電動(dòng)汽車（BEV）。隨著各大車廠紛紛轉(zhuǎn)向800V高壓平臺以追求更高的充電效率和續(xù)航里程，傳統(tǒng)的硅基IGBT開始力不從心。高電壓下的開關(guān)損耗和散熱問題，成為了制約電動(dòng)車性能提升的 “心臟病”。而SiC，正是治療這種“心臟病” 的“特效藥” ?。預(yù)計(jì)到2030年，來自汽車領(lǐng)域的需求將占據(jù)SiC總需求的約70% 。
SiC的價(jià)值主張，必須在系統(tǒng)層面才能完全體現(xiàn)。盡管在單個(gè)組件層面，SiC MOSFET的價(jià)格仍然遠(yuǎn)高于其對目標(biāo)硅基IGBT，通常是同等規(guī)格產(chǎn)品的3倍左右，其核心成本來自于價(jià)格可能是硅晶圓20到40倍的SiC襯底 。但其優(yōu)越的性能——如極低的開關(guān)損耗——允許系統(tǒng)在更高的頻率下工作，從而顯著減小濾波器、電容等被動(dòng)組件的尺寸、重量和成本。其更高的轉(zhuǎn)換效率能夠有效提升電動(dòng)車的續(xù)航里程，并降低對龐大散熱系統(tǒng)的要求。例如，在逆變器應(yīng)用中，用SiC MOSFET替代IGBT，可以將總功率損耗降低約41% 。正是這種系統(tǒng)級的巨大優(yōu)勢，證明了在電動(dòng)車等高端應(yīng)用中采用更高成本組件的合理性。
· 兩條路線的世紀(jì)豪賭
SiC的戰(zhàn)略重要性，使其上游的襯底材料成為了兵家必爭之地。由于SiC襯底的生產(chǎn)技術(shù)壁壘極高，高度依賴經(jīng)驗(yàn)積累，在市場發(fā)展初期，供應(yīng)被Wolfspeed等少數(shù)幾家供貨商壟斷，造成了嚴(yán)重的供應(yīng)瓶頸。為了確保關(guān)鍵原材料的穩(wěn)定供應(yīng)，行業(yè)內(nèi)部出現(xiàn)了兩條截然不同的戰(zhàn)略路線，這是一場關(guān)乎未來的“世紀(jì)豪賭”。
圖片來源：sora AI生成
第一條路：垂直整合，掌控一切。
以onsemi為代表的廠商，選擇了這條最為決絕的路。通過收購襯底大廠GTAT，并大力投資內(nèi)部研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè)，onsemi的目標(biāo)是掌控從晶體生長到模塊封裝的全價(jià)值鏈。目前，其SiC襯底材料的自給率已超過50%，并提出了實(shí)現(xiàn)50%毛利率的宏大目標(biāo)。這是一個(gè)基于“ 控制力”的賭注：他們相信，只有將最核心、最不確定的環(huán)節(jié)牢牢掌握在自己手中，才能帶來最終的成本、質(zhì)量和供應(yīng)保障優(yōu)勢。
第二條路：多元采購，保持靈活。
行業(yè)巨頭英飛凌則采取了截然不同的戰(zhàn)略。它刻意避免自行生產(chǎn)SiC晶體，轉(zhuǎn)而建立一個(gè)多元化的供貨商網(wǎng)絡(luò)，其中甚至包括了天科合達(dá)和山東天岳等中國供貨商。這是一個(gè)基于“靈活性”的賭注：英飛凌押注SiC襯底市場最終會走向成熟和商品化，通過避免在非核心能力上進(jìn)行巨額資本投資，他們保持了戰(zhàn)略的靈活性，分散了地緣政治風(fēng)險(xiǎn)，并能將研發(fā)資源集中在價(jià)值創(chuàng)造能力更強(qiáng)的組件設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)。
Figure 2 SiC器件行業(yè)的主導(dǎo)商業(yè)模式長期趨勢
資料來源：TrendForce全球SiC功率半導(dǎo)體市場報(bào)告
這場“世紀(jì)豪賭”誰會贏？關(guān)鍵取決于一個(gè)變數(shù)：中國以及其他新興的SiC襯底廠商，能否在未來幾年內(nèi)快速追上頂級水平。如果他們做到了，襯底市場將如英飛凌所愿變得更具競爭性，其多元化采購的策略將大獲全勝；如果質(zhì)量和良率的差距依然巨大，那么onsemi那條自給自足的整合路線將顯得更加穩(wěn)固。這場路線之爭的結(jié)果，不僅關(guān)乎兩家公司的命運(yùn)，更將為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)在面對未來新材料時(shí)，應(yīng)如何構(gòu)建供應(yīng)鏈提供一個(gè)決定性的范例。
· 價(jià)格戰(zhàn)的“血色婚禮”
在這場權(quán)力游戲的背后，一場殘酷的價(jià)格戰(zhàn)已經(jīng)打響。在技術(shù)升級和產(chǎn)能擴(kuò)張的雙重驅(qū)動(dòng)下，SiC市場正在經(jīng)歷一場“價(jià)格破壞效應(yīng)”，其慘烈程度堪比一場“血色婚禮”。
一方面，為了降低單位芯片成本，整個(gè)行業(yè)正處于從150mm（6英寸）向200mm（8英寸）晶圓過渡的關(guān)鍵時(shí)期。Wolfspeed是這一轉(zhuǎn)型的先行者，博世、英飛凌、意法半導(dǎo)體等巨頭也緊隨其后。晶圓尺寸的增大，理論上可以大幅降低單顆芯片的成本。
另一方面，全球（尤其是在中國）正在進(jìn)行大規(guī)模的SiC產(chǎn)能擴(kuò)張。這兩股力量疊加，共同導(dǎo)致了SiC晶圓和組件價(jià)格的持續(xù)走低。從2024年的價(jià)格趨勢圖可以看出，無論是1200V/40mΩ還是1200V/80mΩ的SiC MOSFET，都經(jīng)歷了一場雪崩式的下跌。
Figure 3 1200V/40mΩ的SiC MOSFET價(jià)格趨勢（unit:USD）
資料來源：TrendForce全球SiC功率半導(dǎo)體市場報(bào)告
由上圖可以看出，1200V/40Ω的SiC MOSFET在2024年經(jīng)歷了明顯的下滑，尤其是高端市場的價(jià)格，受到的沖擊更為明顯，下滑的速率也更高。
Figure 4 1200V/80mΩ的SiC MOSFET價(jià)格趨勢（unit:USD）
資料來源：TrendForce全球SiC功率半導(dǎo)體市場報(bào)告
而在1200V/80Ω的SiC MOSFET市場，同樣也經(jīng)歷了一場雪崩式的下跌。這背后的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素正是SiC襯底市場出現(xiàn)了6英寸向8英寸切換的歷史性變化。
然而，市場正陷入一個(gè)致命的悖論：電動(dòng)汽車需求的短期放緩，與大規(guī)模的產(chǎn)能建設(shè)同時(shí)發(fā)生。這給那些已經(jīng)進(jìn)行了巨額資本投資的企業(yè)帶來了巨大的財(cái)務(wù)壓力。這場血色婚禮正在無情地清洗市場，只有那些在技術(shù)、成本和供應(yīng)鏈上擁有真正護(hù)城河的玩家，才能在這場混戰(zhàn)中幸存下來，并最終登上“鐵王座” ?。
數(shù)據(jù)源：集邦化合物半導(dǎo)體整理
這張表格是SiC 權(quán)力游戲的實(shí)時(shí)記分牌。它揭示了兩個(gè)核心事實(shí)：第一，市場高度集中，前四家IDM巨頭合計(jì)占據(jù)了近八成的市場份額，顯示了IDM模式在SiC領(lǐng)域的絕對主流地位。第二，巨頭們的戰(zhàn)略路徑清晰分野，從意法半導(dǎo)體在中國的合資，到onsemi的整合，再到英飛凌的采購，每一步棋都充滿了深思熟慮的戰(zhàn)略考慮。這場游戲的結(jié)局，遠(yuǎn)未到來。
第四章：終局之戰(zhàn)：回歸“品質(zhì)與信任”的強(qiáng)大引力
在技術(shù)迭代、模式創(chuàng)新和地緣政治的紛繁擾動(dòng)之下，功率半導(dǎo)體行業(yè)的終局之戰(zhàn)，最終將回歸到一個(gè)古老而樸素的戰(zhàn)場——品質(zhì)與信任。這股強(qiáng)大的引力，源自汽車和工業(yè)等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ζ放坪涂煽啃缘臉O致要求。一個(gè)看似矛盾的現(xiàn)象正在發(fā)生：推動(dòng)市場增長的技術(shù)創(chuàng)新，本身也反向強(qiáng)化了那些有利于傳統(tǒng)IDM巨頭的、基于保守和信任的采購行為。
在汽車和工業(yè)應(yīng)用中，可靠性永遠(yuǎn)是超越性能或成本的首要考慮因素。一個(gè)汽車零部件被期望在嚴(yán)酷的工作環(huán)境下，實(shí)現(xiàn)長達(dá)15至20年的零失效壽命。對于一家大型汽車制造商（OEM）而言，哪怕是百萬分之一（PPM）的失效率，也可能意味著每天有數(shù)十輛新車存在潛在缺陷，這將導(dǎo)致無法估量的聲譽(yù)和財(cái)務(wù)損失。因此，供貨商在質(zhì)量和可靠性方面的品牌聲譽(yù)，成為了一張最高級的入場券。
圖片來源：sora AI生成
汽車行業(yè)嚴(yán)格的安全標(biāo)準(zhǔn)（如AEC-Q101）和漫長的驗(yàn)證流程，為新進(jìn)入者設(shè)置了極高的壁壘。芯片制造商為了滿足這些標(biāo)準(zhǔn)，甚至需要建立專門服務(wù)于汽車行業(yè)的晶圓廠和工藝流程。這種環(huán)境天然地有利于那些與OEM建立了數(shù)十年合作關(guān)系、并擁有良好交付記錄的成熟企業(yè)，如英飛凌、意法半導(dǎo)體等。
更深層次的變化在于，汽車行業(yè)的技術(shù)演進(jìn)正在從根本上改變其風(fēng)險(xiǎn)評估體系。過去，汽車行業(yè)傾向于使用經(jīng)過多年驗(yàn)證的成熟半導(dǎo)體技術(shù)，其失效模式已廣為人知。而現(xiàn)在，隨著高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和電動(dòng)化的普及，汽車制造商被迫采用最前沿的技術(shù)，包括先進(jìn)的系統(tǒng)級芯片（SoC）和SiC等新材料。這意味著，他們正在將汽車的安全與性能，押注在那些長期失效模式尚不完全明確的新技術(shù)上，這也必然導(dǎo)致現(xiàn)場意外失效的風(fēng)險(xiǎn)急劇增加。
在這種高風(fēng)險(xiǎn)環(huán)境中，采購方自然會出現(xiàn)一種 “向質(zhì)量看齊”（flight to quality）的轉(zhuǎn)變，他們會本能地傾向于選擇最值得信賴的合作伙伴來共同管理和降低風(fēng)險(xiǎn)。這種信任，建立在長期的質(zhì)量記錄、深入的技術(shù)合作以及對制造過程的透明控制之上。這為老牌的IDM巨頭創(chuàng)造了強(qiáng)大的結(jié)構(gòu)性優(yōu)勢。他們能夠?yàn)镺EM提供從設(shè)計(jì)、制造到質(zhì)量保證的 “一站式”服務(wù)，提供一種Fabless/Foundry聯(lián)盟難以匹敵的責(zé)任和問責(zé)機(jī)制。
汽車行業(yè)，無疑是決定功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵戰(zhàn)場。市場預(yù)測顯示，每輛汽車的半導(dǎo)體用量將從2024年的700美元，提高到2030年的1400美元 。僅在2025年，由電動(dòng)汽車效率和續(xù)航需求驅(qū)動(dòng)的SiC和氮化鎵（GaN）功率組件的需求，預(yù)計(jì)就將增長超過20% 。在這片增長最快、利潤最豐厚、同時(shí)要求也最嚴(yán)苛的戰(zhàn)場上，信任的引力和價(jià)值將會被放大到極致。
因此，我們看到了一個(gè)深刻的悖論：正是驅(qū)動(dòng)汽車半導(dǎo)體市場增長的SiC技術(shù)革命，反過來鞏固了“舊制度”的根基。創(chuàng)新帶來了風(fēng)險(xiǎn)，而風(fēng)險(xiǎn)催生了對信任的需求，信任最終流向了那些擁有最深厚歷史積淀的IDM巨頭。
結(jié)語：沒有終局的戰(zhàn)爭
這場功率半導(dǎo)體的戰(zhàn)爭，不會有單一的勝利者，也不會有一個(gè)一勞永逸的終局。未來，一個(gè)更加復(fù)雜、動(dòng)態(tài)共存的產(chǎn)業(yè)新格局將會浮現(xiàn)：
IDM巨頭將繼續(xù)鞏固其在金字塔尖的統(tǒng)治地位。在汽車電子、關(guān)鍵工業(yè)控制等對可靠性、安全性和供應(yīng)鏈穩(wěn)定性要求達(dá)到極致的高價(jià)值核心市場，他們憑借設(shè)計(jì)與工藝的深度融合，以及數(shù)十年建立的 信任長城 ?，其優(yōu)勢短期內(nèi)無可替代。
中國的Fabless新貴則會在更廣闊的領(lǐng)域開疆拓土。在消費(fèi)電子、標(biāo)準(zhǔn)化工業(yè)模塊以及對成本更為敏感的市場區(qū)間，他們憑借輕資產(chǎn)的靈活性、快速的市場響應(yīng)和與本土代工廠的協(xié)同效應(yīng)，將繼續(xù)蠶食市場份額，成為一股不可忽視的力量。
真正的戰(zhàn)場，將在廣闊的中間地帶展開。這不是一場模式的替代戰(zhàn)爭，而是一場動(dòng)態(tài)的共存與演進(jìn)。
對于身處其中的每一位業(yè)者而言，看清這場十字路口的暗戰(zhàn)，理解背后的權(quán)力游戲規(guī)則，才能在復(fù)雜多變的市場中，找到屬于自己的航道。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Figo 整理）
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